科學(xué)家研發(fā) BBCube 內(nèi)存：吞吐量 1.6 TB / s，速度是 HBM2M 內(nèi)存 4 倍、功耗僅 1/5

IT之家 7 月 7 日消息，來(lái)自東京工業(yè)大學(xué)的科研團(tuán)隊(duì)近日研發(fā)出可堆疊內(nèi)存，其傳輸速度是 HBM2E 內(nèi)存的 4 倍，功耗僅為五分之一。

科研團(tuán)隊(duì)將其稱為 BBCube，最大的亮點(diǎn)在于去除了傳統(tǒng)內(nèi)存的逐層焊接晶體布局。

科研團(tuán)隊(duì)在 2023 年 6 月舉行的 VLSI IEEE Symposium 2023 大會(huì)上得到了同行論證，不僅提出了這一新概念，還詳細(xì)描述了生產(chǎn)這種存儲(chǔ)器的技術(shù)流程。

IT之家注：高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）是三星電子、超微半導(dǎo)體和 SK 海力士發(fā)起的一種基于 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM，適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合，像是圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備等。

生產(chǎn) HBM 內(nèi)存的現(xiàn)有方法限制了其功能，堆疊中的每一層（DRAM 芯片）不能制造得比特定規(guī)格更薄，并且層之間的球接觸（ball contacts）數(shù)量不能增加超過(guò)特定值，否則存在機(jī)械損壞和短路的風(fēng)險(xiǎn)。

科研團(tuán)隊(duì)提議在 DRAM 封裝過(guò)程中去除球接觸，可以讓芯片變得更薄，降低每一層的機(jī)械應(yīng)力，縮短 TSV 的過(guò)孔線。

研究團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人 Takayuki Ohba 教授表示：“BBCube 3D 有潛力實(shí)現(xiàn)每秒 1.6 TB 的吞吐量，比 DDR5 快 30 倍，比 HBM2E 快四倍?！?/p>