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瑞能半導(dǎo)體亮相2023慕尼黑上海電子展,加速升級(jí)創(chuàng)領(lǐng)功率器件新浪潮

作者: 時(shí)間:2023-07-12 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

【2023年7月12日 – 中國(guó)上?!?/strong>7月11日-13日,2023在國(guó)家會(huì)展中心(上海)隆重舉行。全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱“”)攜豐富的產(chǎn)品組合亮相H7.2 C120展臺(tái),覆蓋工業(yè),光伏儲(chǔ)能以及新能源汽車相關(guān)方向的全域功率半導(dǎo)體解決方案升級(jí)呈現(xiàn)。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202307/448541.htm

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產(chǎn)品戰(zhàn)略持續(xù)進(jìn)階 引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展

作為2023年盛大的行業(yè)盛會(huì),旨在順應(yīng)電子行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)和需求,本屆展會(huì)就吸引了1600多家上下游企業(yè)參展。作為行業(yè)知名的供應(yīng)商,在本屆突顯了強(qiáng)大的技術(shù)累積和產(chǎn)品儲(chǔ)備。

依托于在可靠和高效的功率半導(dǎo)體器件上的持續(xù)投入,瑞能集中展示了一直以來(lái)探索的創(chuàng)新技術(shù)和最新產(chǎn)品,彰顯了其在具體應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最佳效率的深度與廣度。特別是在當(dāng)前半導(dǎo)體供應(yīng)鏈面臨諸多挑戰(zhàn)和不確定性的環(huán)境下,瑞能將與上下游產(chǎn)業(yè)鏈聚力發(fā)展,協(xié)同變革。

近年來(lái),瑞能就與行業(yè)主流供應(yīng)商陸續(xù)展開(kāi)深度合作,攜手客戶共同構(gòu)建長(zhǎng)期穩(wěn)健可靠的供需關(guān)系,助推產(chǎn)業(yè)鏈可持續(xù)發(fā)展,蓄力放大協(xié)同效應(yīng)。以光伏儲(chǔ)能為例,瑞能的功率產(chǎn)品組合在微型逆變器、大功率儲(chǔ)能變流器、中小功率儲(chǔ)能變流器、組串式單相逆變器、組串式三相逆變器應(yīng)用中展現(xiàn)出技術(shù)優(yōu)勢(shì),其產(chǎn)品的質(zhì)量,效率和可靠性得到了行業(yè)頭部客戶的一致認(rèn)可,被大量采用,在保障對(duì)客戶穩(wěn)定供應(yīng)的同時(shí),也積極聽(tīng)取客戶的建議來(lái)對(duì)產(chǎn)品性能進(jìn)行有針對(duì)性的優(yōu)化,為自身產(chǎn)品的升級(jí)與創(chuàng)新帶來(lái)了積極效應(yīng)。

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技術(shù)迭代步履不停 樹(shù)立高效新標(biāo)準(zhǔn)

本屆慕尼黑上海電子展,瑞能半導(dǎo)體展出了包括碳化硅器件組合,Si-MOSFET, 可控硅與功率二極管,IGBT 等功率分立器件,以及各類型功率模塊如雙極性功率模塊,碳化硅模塊,IGBT模塊。豐富的產(chǎn)品系列能覆蓋光伏儲(chǔ)能,工業(yè)以及新能源汽車應(yīng)用的方方面面,更可以針對(duì)客戶的需求提供定制化的解決方案。

在可控硅產(chǎn)品解決方案的展示中,瑞能著力聚焦可控硅平面設(shè)計(jì)工藝的優(yōu)勢(shì),其具備最大的150℃的工作結(jié)溫,低漏流和優(yōu)秀的可靠性。值得強(qiáng)調(diào)的是,部分封裝通過(guò)了UL1557絕緣認(rèn)證,高達(dá)2500V的隔離耐壓能力能向用戶提供更高的安全保障。

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在契合終端應(yīng)用展示方案中,瑞能第四代650V快恢復(fù)二極管表現(xiàn)亮眼,其具備耐壓高,漏電流底,恢復(fù)速度快和抗雪崩能力強(qiáng)等特點(diǎn),依托優(yōu)化的終端設(shè)計(jì)和先進(jìn)的壽命控制技術(shù),具備優(yōu)秀的EMI性能表現(xiàn)以及國(guó)際一流的可靠性,已經(jīng)被消費(fèi)和工業(yè)類客戶廣泛采用。另外,具有高耐壓,低內(nèi)阻,優(yōu)異的Rsp(on)等特點(diǎn)的SJ-MOSFET ,在提升功率密度的前提下,可以提供極低的開(kāi)關(guān)損耗和優(yōu)秀的電磁干擾能力,同樣適合應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、通訊電源、光伏儲(chǔ)能以及汽車充電樁等應(yīng)用中。

在三代半導(dǎo)體領(lǐng)域自2011年以來(lái),瑞能持續(xù)研發(fā)并推出多種碳化硅(SiC)半導(dǎo)體器件,累計(jì)出貨量累計(jì)達(dá)4000萬(wàn)顆。目前,瑞能SiC二極管產(chǎn)品已完成六代產(chǎn)品開(kāi)發(fā),擁有1.26V超低Vf。第二代SiC MOSFET產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低比導(dǎo)電阻: Ron,sp=2.6mΩ·cm2。目前正在進(jìn)行第三代trench gate產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。

值得一提的是,瑞能半導(dǎo)體在展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)還帶來(lái)了精彩的技術(shù)講解,與大家共同見(jiàn)證瑞能優(yōu)質(zhì)高效的產(chǎn)品組合的風(fēng)采。來(lái)自瑞能的工程師在展臺(tái)上凝神聚力地分別以《瑞能高性能SIC器件助力低碳產(chǎn)業(yè)發(fā)展》、《瑞能Si MOSFET產(chǎn)品及其應(yīng)用介紹》、《瑞能晶閘管和硅基二極管在功率電源中的應(yīng)用》和《瑞能高性能IGBT產(chǎn)品及應(yīng)用介紹》的主題,多維度深入淺出地分享了目前瑞能摘得的累累碩果,收獲了現(xiàn)場(chǎng)的一致好評(píng)。

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瑞能半導(dǎo)體市場(chǎng)總監(jiān)Brian Xie表示:“瑞能半導(dǎo)體依靠高素質(zhì)的研發(fā)和運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì),持續(xù)保持高強(qiáng)度的研發(fā)投入,并對(duì)先進(jìn)產(chǎn)能進(jìn)行擴(kuò)充,以推動(dòng)生產(chǎn)制造的升級(jí)轉(zhuǎn)型。我們將繼續(xù)依托產(chǎn)品和技術(shù)優(yōu)勢(shì),及時(shí)有效的客戶支持以及遍布全球的銷售網(wǎng)絡(luò),圍繞新品研發(fā)、技術(shù)服務(wù)和產(chǎn)品推廣,為客戶和合作伙伴提供可靠高效的功率半導(dǎo)體器件,推動(dòng)行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展?!?/p>

另外,在7月25日,由瑞能半導(dǎo)體全資控股的模塊生產(chǎn)工廠瑞能微恩模塊工廠將隆重開(kāi)業(yè),正式投入運(yùn)營(yíng)。瑞能微恩模塊工廠總面積超11000平方米,一期已引入百余臺(tái)先進(jìn)機(jī)器,已釋放和正在研發(fā)中的不同模塊封裝多達(dá)數(shù)十種。工廠全自動(dòng)模塊生產(chǎn)線具有多種工藝選項(xiàng),如芯片的無(wú)鉛焊接和銀燒結(jié)、端子的銷壓配合和超聲波焊接、鋁線綁定和銅片連接等,均由行業(yè)經(jīng)驗(yàn)豐富的資深技術(shù)人員負(fù)責(zé)模塊開(kāi)發(fā)和批量生產(chǎn)。

未來(lái),瑞能半導(dǎo)體將從更高產(chǎn)品功率、更高效率等多維度全面發(fā)力,持續(xù)布局全球制造與供應(yīng)體系,為客戶提供最優(yōu)解決方案,為行業(yè)變革和升級(jí)轉(zhuǎn)型注入可持續(xù)能量。



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