ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積！

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*²和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。

近年來，為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相比，GaN HEMT的柵極處理很難，必須與驅動柵極用的驅動器結合使用。在這種市場背景下，ROHM結合所擅長的功率和模擬兩種核心技術優(yōu)勢，開發(fā)出集功率半導體——GaN HEMT和模擬半導體——柵極驅動器于一體的Power Stage IC。該產品的問世使得被稱為“下一代功率半導體”的GaN器件輕輕松松即可實現(xiàn)安裝。

新產品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能夠更大程度地激發(fā)出GaN HEMT性能的專用柵極驅動器、新增功能以及外圍元器件。另外，新產品支持更寬的驅動電壓范圍（2.5V～30V），擁有支持一次側電源各種控制器IC的性能，因此可以替換現(xiàn)有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET*³／以下簡稱“Si MOSFET”）。與Si MOSFET相比，器件體積可減少約99%，功率損耗可降低約55%，因此可同時實現(xiàn)更低損耗和更小體積。

新產品已于2023年6月開始量產（樣品價格4,000日元/個，不含稅）。另外，新產品及對應的三款評估板（BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003）已開始網售，在Ameya360等電商平臺可購買。

＜產品陣容＞

新產品支持更寬的驅動電壓范圍（2.5V～30V），而且傳輸延遲短、啟動時間快，因此支持一次側電源中的各種控制器IC。

＜應用示例＞

● 適用于內置一次側電源（AC-DC或PFC電路）的各種應用。

● 消費電子：白色家電、AC適配器、電腦、電視、冰箱、空調

● 工業(yè)設備：服務器、OA設備

 ＜電商銷售信息＞

電商平臺：Ameya360

產品和評估板在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

（開始銷售時間：2023年7月起）

  · 產品信息

產品型號：

BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB

?評估板信息

評估板型號：
BM3G007MUV-EVK-002（PFC 240W）

BM3G007MUV-EVK-003

BM3G015MUV-EVK-003

＜什么是EcoGaN?＞ 

EcoGaN?是通過更大程度地發(fā)揮GaN的性能，助力應用產品進一步節(jié)能和小型化的ROHM GaN器件，該系列產品有助于應用產品進一步降低功耗、實現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數量等。 

EcoGaN?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。  

＜術語解說＞

*1) 一次側電源

在工業(yè)設備和消費電子等設備中，會通過變壓器等對電源和輸出單元進行隔離，以確保應用產品的安全性。在隔離部位的兩側，電源側稱為“一次側（初級）”，輸出側稱為“二次側（次級）”，一次側的電源部位稱為“一次側電源”。 

*2) GaN HEMT

GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料。與普通的半導體材料——Si（硅）相比，具有更優(yōu)異的物理性能，目前，因其具有出色的高頻特性，越來越多的應用開始采用這種材料。

HEMT是High Electron Mobility Transistor（高電子遷移率晶體管）的英文首字母縮寫。 

*3）Super Junction MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）

MOSFET是晶體管的一種，根據器件結構上的不同又可細分為DMOSFET、Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同種類的產品。與DMOSFET和Planar MOSFET相比，Super Junction MOSFET在耐壓和輸出電流方面表現(xiàn)更出色，在處理大功率時損耗更小。