IGBTs給高功率帶來了更多的選擇

絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時日，事實上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應(yīng)用的主要器件，包括供暖通風與空氣調(diào)節(jié)（HVAC）系統(tǒng)以及電焊和感應(yīng)加熱等高電流應(yīng)用。隨著太陽能面板、電動汽車充電器和工業(yè)伺服電機的日益普及，市場對高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個行業(yè)的需求，并進一步完善持續(xù)擴大的高壓技術(shù)產(chǎn)品組合（GaN和SiC），Nexperia （安世半導體）正在推出多個 IGBT系列，首先便是600  V 器件。

系統(tǒng)電氣化和可再生能源的不斷發(fā)展是電子市場的最大變革之一。這一趨勢刺激了高能效型電子系統(tǒng)的強勁增長，比如電動車充電站、太陽能發(fā)電裝置以及最近的熱泵設(shè)備。與此同時，智能工廠和工業(yè)4.0對機器人的使用量也在持續(xù)加大，尤其是那些需要使用高功率伺服電機的重復型起重作業(yè)。因此，根據(jù)各種市場調(diào)研報告，到2030年，IGBT市場預計幾乎將翻一番。

IGBT 不斷演變以滿足當下需求

首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品發(fā)布距今已有40年，相關(guān)技術(shù)已發(fā)生了巨大演變，這是毋庸置疑的事實?，F(xiàn)在的IGBT所使用的不再是上世紀80年代時那種簡單 DMOS 結(jié)構(gòu)，而是使用載流子存儲溝槽柵（CSTG）技術(shù)。Nexperia采用 CSTG以及先進的第三代場截止（FS）結(jié)構(gòu)，并在晶圓背面采用了多層金屬。除了實現(xiàn)更高的功率密度和更高的可靠性外，這種制造工藝還能更好地權(quán)衡兼顧器件的導通性能和開關(guān)性能。

成熟可靠的產(chǎn)品組合和合作伙伴

600 V系列涵蓋Nexperia的多款中速(M3)和高速(H3)IGBT，采用TO-247-3L封裝，可供設(shè)計人員自由選擇。20 kHz以下的M3系列經(jīng)過優(yōu)化，進一步降低了導通損耗，保持了出色的開關(guān)損耗性能，并具備5 μs短路能力。H3系列（20kHz至50kHz）重點優(yōu)化了開關(guān)損耗，同時其導通損耗非常低。Nexperia一直重點關(guān)注不斷優(yōu)化器件導通性能和開關(guān)性能之間的權(quán)衡，以提高器件可靠性（通過了高壓高濕高溫反偏HV-H3TRB測試），并在高達175 ℃的環(huán)境中提高逆變器功率密度。當然，作為基本半導體的專業(yè)供應(yīng)商，Nexperia還擁有大批量交付高質(zhì)量產(chǎn)品的基礎(chǔ)設(shè)施。