1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠先進(jìn)技術(shù)競賽仍在繼續(xù)

盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠對于先進(jìn)技術(shù)的競賽仍在繼續(xù)。

對DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗(yàn)。當(dāng)前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。

美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后，計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn)，未來日本廠也有望導(dǎo)入EUV設(shè)備。三星計劃于2023年進(jìn)入1bnm工藝階段，芯片容量將達(dá)到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度將在6.4-7.2Gbp。

NAND Flash領(lǐng)域，目前NAND Flash已經(jīng)突破200層堆疊大關(guān)，存儲廠商正持續(xù)發(fā)力更高層數(shù)。8月9日SK海力士便在2023閃存峰會（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321層NAND閃存樣品，效率比上一代238層512Gb提高了59%。SK海力士表示將進(jìn)一步完善321層NAND閃存，并計劃于2025年上半期開始量產(chǎn)。

除此之外，美光計劃232層之后推出2YY、3XX與4XX等更高層數(shù)產(chǎn)品；鎧俠與西數(shù)也在積極探索300層以上、400層以上與500層以上的3D NAND技術(shù)；三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達(dá)到280層），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層），2030年前實(shí)現(xiàn)1000層NAND Flash。