三星西安工廠工藝升級獲批，將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

據(jù)悉，三星電子經(jīng)營高層日前做出決定，將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠，為完成工廠制程升級已下單采購最新半導(dǎo)體設(shè)備，或?qū)⒂诮衲昴甑组_始引進(jìn)新設(shè)備。西安工廠是目前三星電子位于海外的唯一內(nèi)存芯片生產(chǎn)基地，2014 年開始投產(chǎn)，經(jīng) 2020 年擴(kuò)建二期項(xiàng)目后，目前每月生產(chǎn) 20 萬張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產(chǎn)基地，占三星電子 NAND 芯片總產(chǎn)量的 40% 以上。三星電子計(jì)劃明年在西安工廠內(nèi)部署生產(chǎn) 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設(shè)備，并依次完成工藝轉(zhuǎn)換。

2022 年 11 月，三星電子宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲(chǔ)芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當(dāng)搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費(fèi)級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子當(dāng)時(shí)沒有公開芯片的大小和實(shí)際密度，不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。

三星電子閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁 SungHoi Hur 表示：「由于市場對更密集、更大容量存儲(chǔ)的需求推動(dòng)了更高的 V-NAND 層數(shù)，三星采用了先進(jìn)的 3D 壓縮技術(shù)，以減少表面積和高度，同時(shí)避免通常在壓縮時(shí)出現(xiàn)的單元間干擾。我們第 8 代 V-NAND 將有助于滿足快速增長的市場需求，并使我們更好地提供更多差異化的產(chǎn)品和解決方案，這將是未來存儲(chǔ)創(chuàng)新的基礎(chǔ)。」

為什么對西安工廠進(jìn)行升級？

三星電子對西安工廠進(jìn)行升級的原因大致出于兩方面的考慮，在全球 NAND 閃存市場未出現(xiàn)明顯回暖跡象下，三星電子欲維持全球龍頭老大的地位。從去年底開始，全球 IT 市場尤其是半導(dǎo)體景氣不振，三星電子在 NAND 業(yè)務(wù)上也持續(xù)低迷，加上未能出貨的庫存積壓，赤字不斷擴(kuò)大。

今年三季度，三星電子設(shè)備解決方案（DS）部門虧損推測為 3 萬億韓元以上，其中 2 萬億韓元虧損來自 NAND 業(yè)務(wù)。雖然三星電子持續(xù)減產(chǎn)，但對業(yè)績的改善效果不及預(yù)期，因此決定升級工藝制程。通過生產(chǎn)最新第 8 代產(chǎn)品不僅可確保價(jià)格競爭力和市場需求，且相比于第 6 代產(chǎn)品，第 8 代產(chǎn)品所需芯片減少 30%，可起到自然減產(chǎn)效果，符合市場需求保持供需平衡。

三星電子自今年 4 月宣布減產(chǎn)后，第 6 代（128 層）V-NAND 主產(chǎn)地西安工廠開工率大幅降低。業(yè)內(nèi)判斷此時(shí)為升級工廠的最佳時(shí)機(jī)，西安工廠 236 層 NAND 工藝趨于穩(wěn)定后，將逐漸減少現(xiàn)有生產(chǎn)線。其次，美方日前同意向三星電子和 SK 海力士提供半導(dǎo)體設(shè)備，令這兩家半導(dǎo)體大廠得以喘息。

一位業(yè)界人士稱，三星西安工廠擴(kuò)建雖然仍有困難，但在進(jìn)行設(shè)備維護(hù)或工藝轉(zhuǎn)換方面不會(huì)存在太大問題，雖然因工藝升級設(shè)備數(shù)量增加，芯片的投入量和產(chǎn)能會(huì)有所降低，但出貨量仍保持穩(wěn)定。業(yè)內(nèi)預(yù)測三星電子 DS 部門有望于明年上半年實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，今年前兩季度，該部門均出現(xiàn) 4.5 萬億韓元左右的虧損，三季度收窄至 3 萬多億韓元。尤金證券市場調(diào)查負(fù)責(zé)人李勝宇稱，由于減產(chǎn)效果逐漸顯現(xiàn)，庫存量明顯減少，價(jià)格將持續(xù)反彈，三星電子業(yè)績有望得到改善。

此外，在存儲(chǔ)市場經(jīng)歷了長時(shí)間的低迷后，NAND 也終于迎來了它的漲價(jià)周期。

NAND 開始漲價(jià)

據(jù)悉，三星內(nèi)部認(rèn)為目前 NAND Flash 芯片供應(yīng)價(jià)格過低，計(jì)劃在今年第四季度將 NAND Flash 芯片價(jià)格調(diào)漲 10％以上，且最快自 10 月開始漲價(jià)。

據(jù)了解，三星上月已與小米、OPPO 及谷歌等客戶簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議，DRAM 和 NAND Flash 芯片價(jià)格較之前合同價(jià)格上調(diào) 10%-20％。三星還預(yù)計(jì)，從第四季度起存儲(chǔ)芯片市場或?qū)⒐┎粦?yīng)求。

今年以來，三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略。最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域，之后下半年開始著手大幅削減 NAND Flash 芯片的產(chǎn)量。此次調(diào)漲 NAND Flash 芯片合約價(jià)格，是三星電子繼先前宣布 NAND Flash 芯片減產(chǎn)后，企圖提振 NAND Flash 芯片價(jià)格的最新策略。SK 海力士、美光等大型芯片廠商調(diào)整了其 NAND 產(chǎn)品的價(jià)格，合約價(jià)至少上漲了 10%。