江波龍亮相CES2024，前沿存儲技術(shù)備受矚目

作者：江波龍時間：2024-01-12 來源：江波龍

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近日，CES2024以其獨特的視角和前瞻性的技術(shù)，吸引了全球的目光。作為全球最大的消費電子展，CES一直是各大科技公司展示最新技術(shù)和產(chǎn)品的舞臺。作為國內(nèi)知名的半導(dǎo)體存儲品牌企業(yè)，江波龍在CES期間展示了其最新的存儲技術(shù)和產(chǎn)品。

本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/202401/454749.htm

在本次CES展會期間，江波龍展出了其最新的嵌入式存儲、固態(tài)硬盤（SSD）、內(nèi)存條以及存儲卡等產(chǎn)品。這些產(chǎn)品采用了先進的制程和存儲技術(shù)，具備更高的容量、更快的讀寫速度以及更可靠的數(shù)據(jù)保護等特點，得到了現(xiàn)場觀眾和媒體的一致好評。

（圖：FORESEE產(chǎn)品全家福）

以ChatGPT為代表的AI大模型類應(yīng)用近期呈現(xiàn)出井噴式增長，通過今年CES上的觀察可見，AI大模型無論在云端服務(wù)器還是在終端設(shè)備上的應(yīng)用趨勢已經(jīng)日漸明朗。

談及云端服務(wù)器，不少互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)在控制經(jīng)營成本、減少服務(wù)器總采購量的同時，仍投入巨量資金部署AI服務(wù)器?？梢灶A(yù)見，未來幾年里AI類應(yīng)用仍將維持迅猛增長的趨勢，并強力拉動半導(dǎo)體等相關(guān)產(chǎn)業(yè)的需求，市場給半導(dǎo)體企業(yè)提出高算力AI芯片、高速網(wǎng)絡(luò)傳輸芯片和高速存儲芯片（如HBM內(nèi)存，PCIe 5.0 NVMe SSD等）三大類產(chǎn)品需求。作為國內(nèi)少數(shù)可同時研發(fā)并量產(chǎn)企業(yè)級RDIMM和SSD的廠商之一，江波龍旗下行業(yè)類存儲品牌FORESEE推出了DDR5 RDIMM與PCIe SSD的產(chǎn)品組合方案，以匹配AI服務(wù)器領(lǐng)域大帶寬、低延遲的主要需求，該方案也可作為HBM需求的有益補充，目前已成功量產(chǎn)。

談及智能手機等終端領(lǐng)域，每輪消費電子的景氣周期主要由技術(shù)進步引發(fā)的新需求所驅(qū)動，手機端大模型的應(yīng)用將帶動上游硬件需求升級，使SoC、存儲、電源管理芯片等重要器件的價值實現(xiàn)不同程度的提升。但手機大模型與云端大模型有截然不同的使用場景，如果完全依靠云計算提供服務(wù)，產(chǎn)生較大通信帶寬占用以及較長時延的同時，用戶的數(shù)據(jù)和隱私安全也很難得到完全保障。因此，手機AI大模型需要在端側(cè)具備一定的算力和存力，目前主流SoC企業(yè)的旗艦移動平臺可以提供充沛的本地算力，加速支撐各大智能手機廠商大模型產(chǎn)品落地。有了端側(cè)SoC算力的助力，也需要更高速的DRAM和NAND Flash的存力來支持，如最新的UFS 4.0和LPDDR5。以DRAM舉例，智能手機運行130億參數(shù)大模型至少需要配備16GB內(nèi)存。高算力需求會加速推動存儲產(chǎn)品的升級迭代，江波龍預(yù)計2024年推出LPDDR5產(chǎn)品以匹配手機廠商更高的存儲需求，并持續(xù)以嵌入式分離存儲和嵌入式復(fù)合存儲等豐富產(chǎn)品組合為智能終端市場提供多元化選擇。

而在智能汽車領(lǐng)域，新能源汽車的滲透率持續(xù)上升，根據(jù)中國電動汽車百人會的預(yù)測，2024年新能源汽車市場規(guī)模突破1300萬輛是值得期待的，全年滲透率接近40%，單月滲透率應(yīng)該能突破50%。目前，汽車客戶群體已經(jīng)轉(zhuǎn)變?yōu)?/span>“實用主義者 ”，所以“實用”變得更重要；對于汽車半導(dǎo)體市場來說，“務(wù)實”比“拼性能指標”更重要。在汽車前裝市場，江波龍在中國大陸率先推出車規(guī)級eMMC和車規(guī)級UFS，符合AEC-Q100可靠性標準，均采用車規(guī)級高品質(zhì)顆粒與器件，配合江波龍自研固件算法，以及嚴苛的可靠性標準驗證測試，能夠有效確保產(chǎn)品在-40℃~105℃和-40℃~85℃的高低溫環(huán)境下長期、穩(wěn)定、可靠運行，保障數(shù)據(jù)安全。

此外，江波龍的行業(yè)級固態(tài)硬盤、內(nèi)存條和存儲卡也備受關(guān)注。其中，江波龍的XP2200 PCIe SSD采用最新的PCIe 4.0接口，讀寫速度達到了驚人的7100MB/s，是傳統(tǒng)SATA固態(tài)硬盤的近6倍。該產(chǎn)品還采用了高層堆疊的3D TLC NAND閃存芯片，容量可達2TB，可滿足用戶對高性能、大容量的存儲需求。內(nèi)存條則采用了主流的DDR5規(guī)格，容量可達32GB，速度高達6400MT/s，相比上一代DDR4規(guī)格的產(chǎn)品，速度提升了約30%。而EPLUS系列存儲卡則采用了C10 U1 V10 A1/ C10 U3 V30 A2速度等級，支持快速的讀寫響應(yīng)和24小時不間斷視頻高清錄入，解決教育電子、穿戴設(shè)備、安防監(jiān)控斷音、失真以及無法循環(huán)覆蓋、停錄、丟幀的痛點，滿足客戶穩(wěn)定的應(yīng)用需求。