存儲(chǔ)器廠憂DRAM漲勢受阻

韓國存儲(chǔ)器大廠SK海力士透露，因市況好轉(zhuǎn)，考慮在第一季增產(chǎn)部分特殊DRAM，市場擔(dān)心稼動(dòng)率回升，破壞以往存儲(chǔ)器大廠減產(chǎn)提價(jià)共識，恐不利后續(xù)DRAM漲勢。

觀察16日存儲(chǔ)器族群股價(jià)，包括鈺創(chuàng)、華邦電、南亞科、點(diǎn)序、十銓、品安、晶豪科等，股價(jià)跌幅逾2％，表現(xiàn)較大盤弱勢。

惟業(yè)界人士認(rèn)為，包括三星、SK海力士及美光等三大原廠產(chǎn)能，多往1-alpha／beta先進(jìn)制程升級，以滿足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）需求，預(yù)期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢。

SK海力士執(zhí)行長郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費(fèi)性電子展（CES）表示，市況改善是該公司在第一季考慮增產(chǎn)特殊DRAM的原因。

在NAND型閃存方面，郭魯正表示，雖然最壞狀況應(yīng)該已經(jīng)結(jié)束，但產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇速度較慢，因此，會(huì)等到年中過后，再考慮增產(chǎn)。

此話一出后，令部分投資人擔(dān)憂原廠DRAM稼動(dòng)率回升，不利后續(xù)DRAM漲勢。但據(jù)臺(tái)系存儲(chǔ)器界重量級人士透露，「SK海力士要增產(chǎn)的產(chǎn)品，主要是應(yīng)用在AI上的HBM，也增加一點(diǎn)DDR5，但會(huì)持續(xù)減產(chǎn)DDR4。」

且由于三大廠產(chǎn)能多往1-alpha／beta，增加DDR5及HBM供給，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下，利基型DRAM報(bào)價(jià)將逐步轉(zhuǎn)佳，整體DRAM市況也將逐步改善。

故分析SK海力士增產(chǎn)特殊DRAM之說，對于整體DRAM后續(xù)報(bào)價(jià)的影響性，也無不利影響。

TrendForce指出，目前觀察各大供貨商廠區(qū)內(nèi)有一定的生產(chǎn)量，倘若要生產(chǎn)更多的HBM、DDR5，因使用制程較為先進(jìn)，故需要更多設(shè)備，因此，2024年第一季DDR3及DDR4產(chǎn)能，預(yù)期會(huì)較2023年下降。

然而，因市場迭代考慮，高階產(chǎn)品需求持續(xù)往DDR5轉(zhuǎn)進(jìn)，DDR3及DDR4需求亦會(huì)相對放緩，故此一產(chǎn)能分布，與市場趨勢發(fā)展是一致的。

回顧存儲(chǔ)器價(jià)格變化，2022年第四季至2023年第三季，存儲(chǔ)器市況慘淡，促使三星、SK海力士及美光連袂減產(chǎn)，到了2023年第四季，DRAM、NAND型閃存報(bào)價(jià)終于開始反彈，漲勢延續(xù)到2024年第一季，后續(xù)漲價(jià)動(dòng)能持續(xù)受市場密切關(guān)注。