10張圖，看未來十年邏輯電路將走向何方

在 2024 年 SEMI 國(guó)際戰(zhàn)略研討會(huì)上，筆者從技術(shù)、經(jīng)濟(jì)和可持續(xù)發(fā)展的角度審視十年后邏輯電路將走向何方。

為了理解邏輯電路，筆者相信了解前沿邏輯器件的構(gòu)成是有用的。TechInsights 提供了詳細(xì)的封裝分析報(bào)告，筆者為 10 種 7 納米和 5 納米級(jí)設(shè)備做了報(bào)告，包括英特爾和 AMD 微處理器、蘋果 A 系列和 M 系列處理器，NVIDIA GPU 和其他設(shè)備。圖 1 說明了芯片區(qū)域的構(gòu)成。

從圖 1 中可以看出，邏輯部分占芯片面積略小于二分之一，內(nèi)存部分略小于芯片面積的三分之一，而 I/O、模擬和其他部分則占平衡。有趣的是，實(shí)際測(cè)量的 SRAM 內(nèi)存面積比筆者通常聽到人們談?wù)摰钠舷到y(tǒng) (SOC) 產(chǎn)品的百分比要小得多。

單一邏輯幾乎占據(jù)了芯片面積的一半，所以從邏輯部分開始設(shè)計(jì)是有意義的。邏輯設(shè)計(jì)是使用標(biāo)準(zhǔn)單元完成的，圖 2 是標(biāo)準(zhǔn)單元的平面圖。

圖 2. 標(biāo)準(zhǔn)單元

標(biāo)準(zhǔn)單元的高度通常被描述為 Metal 2 Pitch（M2P）乘以磁道數(shù)，但從圖的右側(cè)看，器件結(jié)構(gòu)的橫截面圖也必須與單元高度相匹配并受到設(shè)備物理的限制。依賴于接觸多晶硅間距（CPP）的單元寬度也是如此，并且在圖的底部可以看到再次受到物理約束的器件結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。

圖 3 顯示了確定單元寬度和單元高度縮放實(shí)際限制的分析結(jié)果。筆者有一個(gè)演示文稿詳細(xì)介紹了縮放限制，在該演示文稿中，圖 2 和圖 3 之間有數(shù)十張幻燈片，但由于時(shí)間有限，筆者只能展示結(jié)論。

圖 3. 邏輯單元縮放

單元寬度縮放取決于 CPP，圖的左側(cè)說明了 CPP 如何由柵極長(zhǎng)度 (Lg)、接觸寬度 (Wc) 和兩個(gè)接觸到柵極間隔物厚度 (Tsp) 組成。Lg 受泄漏限制，可接受泄漏的最小 Lg 取決于器件類型。具有控制無約束厚度溝道表面的單柵的平面器件被限制在大約 30 nm。Fin FET 和水平納米片（HNS）約束溝道厚度（～5nm），分別有 3 個(gè)和 4 個(gè)柵極。最后，二維材料引入小于 1nm 溝道厚度的非硅材料，并且可以生產(chǎn)低至約 5 nm 的 Lg。由于寄生效應(yīng)，Wc 和 Tsp 的擴(kuò)展能力都有限。最重要的是，2D 器件可能會(huì)產(chǎn)生約 30 納米的 CPP，而當(dāng)今的 CPP 約為 50 納米。

圖的右側(cè)示出了單元高度縮放。HNS 提供單納米片疊層代替多個(gè)鰭片。然后演變到具有 CFET 的堆疊器件消除了水平 n-p 間距，并堆疊 nFet 和 pFET。目前 150nm 至 200nm 的電池高度可降低至約 50nm。

CPP 和單元高度縮放的結(jié)合可以產(chǎn)生每平方毫米約 15 億個(gè)晶體管 (MTx/mm2) 的晶體管密度，而當(dāng)今的晶體管密度<300MTx/mm2。應(yīng)該指出的是，2D 材料可能是 2030 年中后期的技術(shù)，因此 1,500 MTx/mm2 不在此處討論的時(shí)間范圍內(nèi)。

圖 4. 三大巨頭公布的流程

圖 4 總結(jié)了英特爾、三星和臺(tái)積電宣布的工藝進(jìn)程。對(duì)于每個(gè)公司和年份，都會(huì)顯示設(shè)備類型、是否使用背面電源、密度、功率和性能（如果有）。

在圖 4 中，領(lǐng)先的性能和技術(shù)創(chuàng)新以粗體突出顯示。三星是第一個(gè)在 2023 年投產(chǎn) HNS 的公司，而英特爾直到 2024 年才會(huì)推出 HNS，臺(tái)積電直到 2025 年才會(huì)推出。英特爾是第一個(gè)在 2024 年將背面電源引入生產(chǎn)的公司，三星和臺(tái)積電要到 2026 年才會(huì)引入背面電源。

筆者的分析得出結(jié)論，英特爾是 i3 的性能領(lǐng)先者，并維持這一狀態(tài)所示期間，臺(tái)積電有功率領(lǐng)先（英特爾數(shù)據(jù)不可用）和密度領(lǐng)先。

圖 5. 邏輯路線圖

圖 5 展示了邏輯路線圖，并包括預(yù)計(jì)的 SRAM 單元尺寸。從圖 5 中，筆者預(yù)計(jì) CFET 將在 2029 年左右推出，從而提高邏輯密度，并將 SRAM 單元尺寸縮小近一半（SRAM 單元尺寸的縮放幾乎停止在前沿）。筆者預(yù)計(jì)到 2034 年邏輯密度將達(dá)到 757MTx/mm2。

邏輯晶體管密度預(yù)測(cè)和 SRAM 晶體管密度預(yù)測(cè)如圖 6 所示。

圖 6. 晶體管密度預(yù)測(cè)

邏輯和 SRAM 的晶體管密度縮放都在變慢，但更大程度上 SRAM 和邏輯現(xiàn)在具有相似的晶體管密度。

圖 7 總結(jié)了臺(tái)積電邏輯和 SRAM 相比的模擬縮放數(shù)據(jù)。模擬和 I/O 縮放也都比邏輯縮放慢。

圖 7. 模擬和 I/O 縮放

對(duì)于較慢的 SRAM 以及模擬和 I/O 擴(kuò)展，一個(gè)可能的解決方案是小芯片。小芯片可以實(shí)現(xiàn)更便宜、更優(yōu)化的工藝來制造 SRAM 和 I/O。

圖 8. 小芯片

圖 8 右側(cè)的圖形來自 2021 年我與 Synopsys 合作撰寫的一篇論文。我們的結(jié)論是，即使考慮到增加的封裝/組裝成本，將大型 SOC 分解成小芯片也可以將成本降低一半。

圖 9. 成本預(yù)測(cè)

圖 9 顯示了邏輯、SRAM 和 I/O 的標(biāo)準(zhǔn)化晶圓和晶體管成本。右圖顯示了標(biāo)準(zhǔn)化晶圓成本。邏輯晶圓成本針對(duì)金屬層數(shù)量不斷增加的全金屬堆棧。SRAM 晶圓具有相同的節(jié)點(diǎn)，但由于 SRAM 的布局更為規(guī)則，因此僅限于 4 個(gè)金屬層。I/O 晶圓成本基于 16nm-11 金屬工藝。筆者選擇 16nm 來獲得成本最低的 FinFET 節(jié)點(diǎn)，以確保足夠的 I/O 性能。

右圖是晶圓成本換算成晶體管成本。有趣的是，I/O 晶體管非常大，即使在低成本 16nm 晶圓上，它們的成本也是最高的（I/O 晶體管尺寸基于 TechInsights 對(duì)實(shí)際 I/O 晶體管的測(cè)量）。

邏輯晶體管成本在 2nm 處上升，這是第一個(gè)臺(tái)積電 HNS 片節(jié)點(diǎn)，其收縮幅度不大。我們預(yù)計(jì)第二代 HNS 節(jié)點(diǎn)在 14A 時(shí)的收縮會(huì)更大（（這與臺(tái)積電第一個(gè) FinFET 節(jié)點(diǎn)類似）。同樣，第一個(gè) CFET 節(jié)點(diǎn)的成本也增加了一個(gè)節(jié)點(diǎn)的晶體管成本。除了一次性 CFET 縮小之外，由于縮小有限，SRAM 晶體管成本呈上升趨勢(shì)。該分析的底線是，盡管 Chiplet 可以提供一次性的好處，但晶體管成本的降低幅度將會(huì)不大。

圖 10 結(jié)論

總之，筆者預(yù)測(cè)，到 2034 年高密度邏輯晶體管密度將從今天的 283MTx/mm2 增加到 757MTx/mm2。由于 CFET 的變化，SRAM 單元尺寸將從今天的 0.0209um2 縮小到 0.0099um2。邏輯晶體管成本將降至 0.82x，SRAM 將增加到 1.09x，L/0 將增加到目前成本的 0.83 倍。

芯片巨頭們已著手研發(fā)下一代 CFET 技術(shù)

英特爾 (Intel) 和臺(tái)積電將在國(guó)際電子元件會(huì)議 (IEDM) 公布垂直堆疊式 (CFET) 場(chǎng)效晶體管進(jìn)展，使 CFET 成為十年內(nèi)最可能接替閘極全環(huán)電晶 (GAA ) 晶體管的下一代先進(jìn)制程。

英特爾的 GAA 設(shè)計(jì)堆疊式 CFET 晶體管架構(gòu)是在 imec 的幫助下開發(fā)的，設(shè)計(jì)旨在增加晶體管密度，通過將 n 和 p 兩種 MOS 器件相互堆疊在一起，并允許堆疊 8 個(gè)納米片（RibbonFET 使用的 4 個(gè)納米片的兩倍）來實(shí)現(xiàn)更高的密度。目前，英特爾正在研究?jī)煞N類型的 CFET，包括單片式和順序式，但尚未確定最終采用哪一種，或者是否還會(huì)有其他類型的設(shè)計(jì)出現(xiàn)，未來應(yīng)該會(huì)有更多細(xì)節(jié)信息公布。

此前在 2021 年的「英特爾加速創(chuàng)新：制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會(huì)」上，英特爾已經(jīng)確認(rèn)了 RibbonFET 將成歷史，在其 20A 工藝上，將引入采用 Gate All Around（GAA）設(shè)計(jì)的 RibbonFET 晶體管架構(gòu)，以取代自 2011 年推出的 FinFET 晶體管架構(gòu)。新技術(shù)將加快了晶體管開關(guān)速度，同時(shí)實(shí)現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動(dòng)電流，但占用的空間更小。

雖然，大多數(shù)早期研究以學(xué)術(shù)界為主，但英特爾和臺(tái)積電等半導(dǎo)體企業(yè)現(xiàn)在已經(jīng)開始這一領(lǐng)域的研發(fā)，借此積極探索這種下一代先進(jìn)晶體管技術(shù)。