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中國科學家研究鐵電隧道結存儲器獲新進展

作者: 時間:2024-03-18 來源:全球半導體觀察 收藏

近日,中國科學家鐵電隧道結研發(fā)取得了新的進展。據(jù)中國科學院金屬研究所官網(wǎng)介紹,在最新完成的研究中,其研究團隊提出利用緩沖層定量調(diào)控薄膜應變,延遲鐵電薄膜晶格弛豫從而增強鐵電極化強度的策略,成功揭示極化強度同鐵電隧道結隧穿電阻之間的內(nèi)在關聯(lián),并實現(xiàn)巨大隧穿電致電阻(或器件開關比)。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202403/456448.htm

鐵電隧道結具有簡潔的金屬-超薄鐵電-金屬疊層器件結構。利用鐵電極化翻轉(zhuǎn)調(diào)控量子隧穿效應獲得不同的電阻態(tài),從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲功能,具有高速讀寫、低功耗和高存儲容量等優(yōu)點,屬于下一代信息,近年來在信息存儲領域備受關注。

據(jù)介紹,隧穿電致電阻是衡量隧道結性能的核心指標,它與界面電荷屏蔽效應、鐵電極化強度等密切相關。目前一般通過多樣化的電極工程調(diào)制電荷屏蔽效應,提升隧穿電致電阻,但由于制備工藝和定量研究手段的限制,鐵電層的電極化強度如何定量影響隧穿電致電阻,此前尚無實驗驗證。

而在本項針對性研究過程中,中國科學院金屬研究所研究團隊以鋁酸鹽/鑭鍶錳氧/鈦酸鋇磁電異質(zhì)結構為模型體系,利用激光分子束外延技術實現(xiàn)了多層膜的原子級逐層生長和隧道結器件的制備。研究發(fā)現(xiàn),鋁酸鹽緩沖層厚度可連續(xù)調(diào)控鈦酸鋇單晶薄膜的面內(nèi)應變,從而線性增強鐵電極化強度。

基于此,研究團隊得以在-2.1%的壓應變下,在鈦酸鋇/鑭鍶錳氧界面獲得80微庫每平方厘米的鐵電極化強度,打破該體系的最高值記錄。

論文共同通訊作者胡衛(wèi)進研究員表示,得益于這一巨大鐵電極化強度,在鐵電隧道結中實現(xiàn)了10萬倍的巨大隧穿電致電阻,是無緩沖層鐵電隧道結的100倍,這項新進展也為后續(xù)進一步研究相關鐵電件奠定重要基礎。




關鍵詞: 存儲器 存儲技術

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