存儲大廠技術之爭愈演愈烈

AI、大數(shù)據(jù)等應用催生海量存儲數(shù)據(jù)需求，也對存儲技術提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠技術競爭愈演愈烈。

閃存方面，大廠聚焦層數(shù)突破。近期，韓媒報道，三星電子預計將于本月晚些時候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結構，層數(shù)將達到290層。另據(jù)業(yè)界預測，三星未來第十代V-NAND層數(shù)有望達到430層，屆時三星將換用三堆棧結構。

而更遙遠的未來，三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計劃2030年前實現(xiàn)1000層NAND Flash，鎧俠則計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。

內(nèi)存方面，存儲大廠瞄準先進制程節(jié)點以及3D DRAM。

今年3月美光在財報中透露，目前絕大多數(shù)DRAM顆粒處于1α與1β先進節(jié)點，下一代1γ DRAM將引入EUV光刻機，已經(jīng)進行了試生產(chǎn)。

三星DRAM芯片工藝處于1b nm級別，近期媒體報道三星計劃在年內(nèi)啟動1c nm DRAM量產(chǎn)，將采用極紫外光（EUV）技術制造。2025年三星還將進入3D DRAM時代，該公司已經(jīng)對外展示了垂直通道電晶體和堆疊DRAM兩項3D DRAM技術。

SK海力士同樣也在布局3D DRAM，此前《BusinessKorea》去年報道，SK海力士提出了將IGZO作為3D DRAM的新一代通道材料。據(jù)業(yè)界人士表示，IGZO是由銦、鎵、氧化鋅組成的金屬氧化物材料，IGZO 的最大優(yōu)勢是其低待機功耗，這種特點適合要求長續(xù)航時間的DRAM芯晶體管。通過調(diào)節(jié)In、Ga、ZnO等三個成分的組成比，很容易實現(xiàn)。