中國(guó)芯片行業(yè)領(lǐng)袖呼吁企業(yè)聚焦成熟節(jié)點(diǎn)創(chuàng)新

中國(guó)科技公司應(yīng)專注于傳統(tǒng)芯片和3D封裝技術(shù)，而非前沿工藝節(jié)點(diǎn)。

由于美國(guó)積極阻止中國(guó)獲取最新技術(shù)，華盛頓已停止向中國(guó)出口先進(jìn)芯片及芯片制造工具。受到這一技術(shù)封鎖的影響，據(jù)DigiTimes Asia報(bào)道，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路分會(huì)會(huì)長(zhǎng)兼中國(guó)集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長(zhǎng)葉甜春鼓勵(lì)企業(yè)在成熟節(jié)點(diǎn)和后端技術(shù)上進(jìn)行創(chuàng)新。這一焦點(diǎn)應(yīng)優(yōu)先于追趕英特爾、英偉達(dá)和臺(tái)積電等西方和西方盟國(guó)的半導(dǎo)體公司。

雖然中國(guó)正在努力開發(fā)國(guó)產(chǎn)芯片，例如中國(guó)CPU制造商龍芯在4月發(fā)布了性能與第十代英特爾芯片相當(dāng)?shù)奶幚砥?，但其性能仍至少落后于AMD、英特爾和高通的最新芯片五年。美國(guó)還阻止ASML為中國(guó)的光刻系統(tǒng)提供服務(wù)，這對(duì)中國(guó)頂級(jí)晶圓代工廠中芯國(guó)際（SMIC）產(chǎn)生了負(fù)面影響。

中國(guó)的上海微電子裝備集團(tuán)（SMEE）已經(jīng)在制造光刻設(shè)備，另一家公司北方華創(chuàng)也在努力進(jìn)入該行業(yè)。然而，它們?cè)谏a(chǎn)最新節(jié)點(diǎn)芯片的能力上仍遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于ASML。如果中國(guó)在三到五年內(nèi)無法克服這些挑戰(zhàn)，它將面臨在尖端芯片領(lǐng)域落后于西方競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的風(fēng)險(xiǎn)。

葉甜春認(rèn)為，中國(guó)可以開辟一條通向技術(shù)領(lǐng)先的新道路。他建議中國(guó)公司應(yīng)專注于更加成熟的節(jié)點(diǎn)和架構(gòu)創(chuàng)新，而不是追隨全球頂級(jí)芯片制造商如臺(tái)積電在納米工藝上的競(jìng)爭(zhēng)。

畢竟，臺(tái)積電每年生產(chǎn)的1200萬片12英寸晶圓中，近80%使用的是較老的節(jié)點(diǎn)，而不是最新的系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）的尖端設(shè)計(jì)。美國(guó)的制裁使中國(guó)成為成熟節(jié)點(diǎn)芯片的領(lǐng)導(dǎo)者之一，因此中國(guó)應(yīng)充分發(fā)揮其核心優(yōu)勢(shì)，轉(zhuǎn)向生產(chǎn)高質(zhì)量的傳統(tǒng)芯片，這些芯片是大多數(shù)電氣和電子設(shè)備所需的。

葉甜春還建議聚焦于架構(gòu)創(chuàng)新和后端工藝。隨著摩爾定律表明3nm和2nm芯片在當(dāng)前架構(gòu)上遇到限制，像Arm和三星這樣的公司正在尋求新的進(jìn)步，以最大化晶體管密度。由于中國(guó)半導(dǎo)體公司仍需幾年時(shí)間才能達(dá)到這一技術(shù)水平，他表示應(yīng)考慮從7nm開始進(jìn)行架構(gòu)創(chuàng)新。芯片設(shè)計(jì)師應(yīng)與系統(tǒng)封裝公司合作，交付這些創(chuàng)新，從而在這一領(lǐng)域獲得比較優(yōu)勢(shì)。

許多中國(guó)科技公司希望追隨納米技術(shù)競(jìng)賽，而這些領(lǐng)域早已被英特爾、AMD、英偉達(dá)和高通等公司主導(dǎo)。然而，在美國(guó)的層層阻撓下，中國(guó)將很難追趕這些科技公司。因此，中國(guó)科技公司應(yīng)開辟自己的道路，為美國(guó)及其盟友忽視的技術(shù)創(chuàng)造創(chuàng)新。