RK3588 VCC_DDR電源PCB設(shè)計(jì)

1、VCC_DDR覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)?，路徑不能被過(guò)孔分割太嚴(yán)重，必須計(jì)算有效線寬，確認(rèn)連接到CPU每個(gè)電源PIN腳的路徑都足夠。

2、VCC_DDR的電源在外圍換層時(shí)，要盡可能的多打電源過(guò)孔（9個(gè)以上0.5*0.3mm的過(guò)孔），降低換層過(guò)孔帶來(lái)的壓降；去耦電容的GND過(guò)孔要跟它的電源過(guò)孔數(shù)量保持一致，否則會(huì)大大降低電容作用。

3、如圖1所示，原理圖上靠近RK3588的VCC_DDR電源管腳的去耦電容務(wù)必放在對(duì)應(yīng)的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，其余的去耦電容盡量靠近RK3588，如圖2所示。

4、RK3588 芯片 VCC_DDR 的電源管腳，每個(gè)管腳需要對(duì)應(yīng)一個(gè)過(guò)孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如圖3所示，建議走線線寬 10mil。

圖1 RK3588芯片VCC_DDR的原理圖電源管腳去耦電容

圖2 電源管腳背面去耦電容放置

圖3 VCC_DDR&VDDQ_DDR電源管腳“井”字形鏈

當(dāng)LPDDR4x 時(shí)，鏈接方式如圖4所示：

圖4 RK3588芯片LPDDR4x模式VCC_DDR/VCC0V6_DDR的電源管腳走線和過(guò)孔

5、VCC_DDR電源在CPU區(qū)域線寬不得小于120mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil，盡量采用覆銅方式，降低走線帶來(lái)壓降（其它信號(hào)換層過(guò)孔請(qǐng)不要隨意放置，必須規(guī)則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅，如圖5所示）。

圖5 RK3588 芯片 VCC_DDR&VDDQ_DDR 電源層覆銅情況