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PANJIT最新高效能60V/100V/150V車規(guī)級MOSFET系列

作者: 時間:2024-06-06 來源:EEPW 收藏

 推出最新的60V、100V 和 150V 車規(guī)級 ,此系列通過先進的溝槽技術(shù)設(shè)計達到優(yōu)異性能和效率。此系列  專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計,提供優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)(FOM),顯著降低 RDS(ON) 和電容。這確保了最低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗,從而提升了整體性能。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202406/459657.htm

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新系列  提供多種封裝,包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA和TO-220AB-L。多種封裝可適用于各種現(xiàn)代電子系統(tǒng)的高效設(shè)計方案。其可承受的結(jié)溫高達 175°C,表現(xiàn)出極強的耐用性和可靠性,且通過 AEC-Q101 認(rèn)證。

這些 MOSFET 適用于多種汽車應(yīng)用,包括無線充電發(fā)射器、電池管理系統(tǒng)、前后照明系統(tǒng)、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、信息娛樂系統(tǒng)等。其低導(dǎo)通電阻和高效率提高了這些系統(tǒng)的性能和可靠性。此外,這些 MOSFET 還適用于工業(yè)電力系統(tǒng),擴展了其應(yīng)用范圍和實用性。

 新的車規(guī)級 MOSFET 系列提供卓越的性能、可靠性和效率,為汽車和工業(yè)系統(tǒng)設(shè)計的最佳選項。

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主要特性:

●   優(yōu)異品質(zhì)因數(shù)(FOM, gate charge x RDS(ON))

●   可承受結(jié)溫高達 175°C

●   60/100/150V N通道先進溝槽技術(shù)

●   通過AEC-Q101認(rèn)證

●   低RDS(ON),可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗

●   100% UIS 測試通過

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