2025年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)進(jìn)入上升循環(huán)？

存儲(chǔ)器市場(chǎng)價(jià)格上漲、供需平衡不斷改善之下，原廠業(yè)績(jī)持續(xù)攀升，普遍實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。同時(shí)，存儲(chǔ)模組廠商業(yè)績(jī)也實(shí)現(xiàn)快速增長(zhǎng)。AI強(qiáng)勁助力之下，存儲(chǔ)廠商樂(lè)觀看待未來(lái)市況，有廠商甚至直言：2025年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將是顯著上升循環(huán)年。

01
原廠、模組廠業(yè)績(jī)亮眼

近期，美光與華邦電兩家原廠相繼公布最新財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)。

美光財(cái)報(bào)（2024年3-5月）顯示，該季公司營(yíng)收68.11億美元，同比增長(zhǎng)81.5%；Non-GAAP下，美光經(jīng)營(yíng)利潤(rùn)9.41億美元；凈利潤(rùn)7.02億美元，環(huán)比增長(zhǎng)47%。其中，美光DRAM收入約47億美元，環(huán)比增長(zhǎng)13%；NAND業(yè)務(wù)收入約21億美元，環(huán)比增長(zhǎng)32%。DRAM與NAND ASP環(huán)比增長(zhǎng)均超過(guò)20%。美光表示，該季公司營(yíng)收、毛利率和每股收益均高于指導(dǎo)范圍上限。展望下一季度，美光預(yù)計(jì)公司營(yíng)收將可達(dá)到74億—78億美元之間。

圖片來(lái)源：美光

華邦電公布自行結(jié)算的2024年6月?tīng)I(yíng)收?qǐng)?bào)告顯示，6月合并營(yíng)收為新臺(tái)幣73.78億元，同比增長(zhǎng)5.56%；累計(jì)1~6月合并營(yíng)收為416.05億元新臺(tái)幣，同比增加14.53%。

存儲(chǔ)模組廠商方面，威剛、群聯(lián)、十銓等廠商6月及上半年?duì)I收全面實(shí)現(xiàn)年增。其中，威剛6月?tīng)I(yíng)收達(dá)29.54億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)超29.38%，今年上半年合并營(yíng)收209.1億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)48.56%。十銓6月?tīng)I(yíng)收27.96億元新臺(tái)幣，年增44.93%；群聯(lián)6月?tīng)I(yíng)收53.61億元新臺(tái)幣，年增55.93%，雙雙創(chuàng)下單月?tīng)I(yíng)收歷史新高數(shù)字。

此外，佰維存儲(chǔ)與德明利兩家公司近期披露公告，預(yù)計(jì)今年上半年凈利潤(rùn)將同比大幅增長(zhǎng)。其中，佰維存儲(chǔ)預(yù)計(jì)2024年1-6月扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤(rùn)盈利為27,500萬(wàn)元至32,500萬(wàn)元人民幣，同比上年增長(zhǎng)191.12%至207.69%。德明利預(yù)計(jì)2024年1-6月?tīng)I(yíng)業(yè)收入為200,000萬(wàn)元至230,000萬(wàn)元人民幣，同比上年增長(zhǎng)238.68%至289.48%。

02
存儲(chǔ)廠商：2025年是顯著上升循環(huán)年

展望后續(xù)存儲(chǔ)市況發(fā)展，無(wú)論是原廠還是模組廠，皆樂(lè)觀看待。

美光作為三大DRAM原廠之一，近年受益于AI浪潮，HBM業(yè)務(wù)發(fā)展迅速。因此，美光堅(jiān)定看好AI與HBM發(fā)展。美光預(yù)計(jì)2024財(cái)年公司將從HBM中獲得數(shù)億美元收入，而到2025財(cái)年這一數(shù)字將達(dá)到數(shù)十億美元。同時(shí)，美光再次強(qiáng)調(diào)，HBM供不應(yīng)求，2024至25年HBM內(nèi)存芯片已經(jīng)售罄。

華邦電董事長(zhǎng)焦佑鈞表示，華邦電從2022年第2季開(kāi)始感受到存儲(chǔ)器銷量下滑，經(jīng)過(guò)八個(gè)季度后，今年第2季陸續(xù)感受到銷量上升，預(yù)期是數(shù)量先行，價(jià)格后面就會(huì)跟上，正向看待未來(lái)兩年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入上升循環(huán)，2025年更是顯著上升循環(huán)年，明年市況可用“顯著樂(lè)觀”來(lái)形容。

威剛董事長(zhǎng)陳立白強(qiáng)調(diào)，目前上游原廠對(duì)價(jià)格態(tài)度仍相當(dāng)正向積極，產(chǎn)能配置以毛利率最高的HBM優(yōu)先配置，其次是一般用途的DDR5與DDR4，資本支出也以獲利為導(dǎo)向，因此短期現(xiàn)貨價(jià)干擾并不影響第三季的DRAM與NAND Flash合約價(jià)持續(xù)穩(wěn)定向上。同時(shí)，近期部分DRAM現(xiàn)貨價(jià)已開(kāi)始止跌回升，看好在短期現(xiàn)貨市場(chǎng)整理后，公司出貨動(dòng)能也將隨著下半年傳統(tǒng)旺季，回歸繼續(xù)成長(zhǎng)的軌道。

03
Q3存儲(chǔ)器合約價(jià)預(yù)測(cè)：NAND Flash價(jià)格收斂

值得注意的是，盡管存儲(chǔ)廠商普遍看好未來(lái)市況，AI浪潮也確實(shí)助力了服務(wù)器、HBM、Enterprise SSD等產(chǎn)品需求提升，但下游終端應(yīng)用市場(chǎng)尚未全面復(fù)蘇，同時(shí)原廠積極投產(chǎn)可能引起未來(lái)供需平衡變化，上述因素推動(dòng)下，未來(lái)存儲(chǔ)市場(chǎng)部分產(chǎn)品合約價(jià)存在收斂的可能性。

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，由于通用型服務(wù)器(general server)需求復(fù)蘇，加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高，使供應(yīng)商將延續(xù)漲價(jià)態(tài)度，第三季DRAM均價(jià)將持續(xù)上揚(yáng)。DRAM價(jià)格漲幅達(dá)8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。

NAND Flash方面，集邦咨詢表示，第三季除了企業(yè)端持續(xù)投資服務(wù)器建設(shè)，尤其Enterprise SSD受惠AI擴(kuò)大采用，繼續(xù)受到訂單推動(dòng)，消費(fèi)性電子需求持續(xù)不振，加上原廠下半年增產(chǎn)幅度趨于積極，第三季NAND Flash 供過(guò)于求比例(Sufficiency Ratio)上升至2.3%，NAND Flash均價(jià)(Blended Price)漲幅收斂至季增5-10%。

綜觀NAND Flash今年價(jià)格走勢(shì)，由于原廠上半年控制增產(chǎn)，NAND Flash價(jià)格加速反彈幫助原廠重回獲利。但隨著各家廠商下半年開(kāi)始明顯擴(kuò)大投產(chǎn)，零售市場(chǎng)買氣仍未復(fù)蘇，wafer現(xiàn)貨價(jià)走跌，跌幅擴(kuò)大導(dǎo)致部分wafer價(jià)格已低于合約價(jià)超過(guò)二成，wafer合約價(jià)格未來(lái)上漲空間面臨挑戰(zhàn)。