英飛凌OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET ，助力汽車控制器應用

OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET概況

采用OptiMOS? 7 技術的40V車規(guī)MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小R_DSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的R_DSON，或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的R_DSON。如下圖所示，英飛凌40V MOSFET不同代際產品在比導通電阻的演進。

英飛凌40V MOSFET比導通電阻代際演進

英飛凌OptiMOS? 7 技術是英飛凌開發(fā)的第五代溝槽技術，是當今領先的雙多晶硅溝槽技術。無引腳封裝結合銅夾技術的使用，大幅提高了產品的電流能力。該系列產品將采用業(yè)界先進的300mm薄晶圓技術進行批產。英飛凌獨特的晶圓表面金屬化鍍層處理，使得該系列產品不僅具有出色的電氣性能，還具備良好的導熱性能，幫助用戶實現(xiàn)緊湊、高效能的設計方案。英飛凌通過不斷的技術革新，配合堅固強壯的封裝，助力電子設計工程師們輕松使用我們性能先進，高性價比，強壯耐用的MOSFET產品來實現(xiàn)、滿足各類汽車電子控制器應用設計需求，比如電動助力轉向系統(tǒng)、制動系統(tǒng)、電池斷開開關、新區(qū)域架構、 DC-DC 以及BLDC 驅動器等。下表可以輔助用戶結合實際應用，作為合適封裝產品的選型參考。

汽車應用封裝選型導圖

OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET參數(shù)性能提升

相比前幾代采用溝槽技術的產品，OptiMOS? 7 產品雪崩承受能力，電流能力，開關速度，安全工作區(qū)（SOA）等都有進一步的提升。下表列出了OptiMOS? 7 產品與前幾代溝槽技術產品(基于相同/接近的晶圓面積)幾項重要性能參數(shù)的對比。可以看出，該系列產品不僅做到最小R_DSON產品，還具有最高的雪崩耐受能力。得益于生產過程管控和工藝的提升，V_GS(th) 分布也大幅縮窄。

不同代際MOSFET重要參數(shù)比對

雪崩電流能力

即使是相同的R_DSON，OptiMOS? 7 產品也做到了最高的雪崩電流能力，如下圖所示。如上表所示，縮窄的V_GS(th) 分布范圍也有利于器件的并聯(lián)使用。因此該系列產品非常適合應用于安全開關、配電等應用。

雪崩電流

安全工作區(qū)（SOA）

相比于OptiMOS? 6 產品系列，OptiMOS? 7 產品的SOA平均擴大了25%。

SOA curve

門極電荷Qg

下表給出了不同代際產品的Qg，Qgd等參數(shù)；下圖展示了器件開、關瞬態(tài)的仿真波形?？梢钥闯?，相較于前幾代溝槽技術具有相同/接近的RDSON產品，OptiMOS? 7 產品具有最小的門極充電電荷，減少門極充電消耗；同時提高了開關速度，減少開關損耗，縮短死區(qū)時間，可以以更高的開關頻率工作，從而進一步提高了系統(tǒng)功率變換效率及功率密度。因此該系列產品非常適合于高頻開關應用場合的功率變換器和電機驅動。

 開關瞬態(tài)過程仿真波形

OptiMOS? 7 車規(guī)MOSFET命名規(guī)則

基于市場的反饋和對競爭對手的分析，我們重新調整了新一代的OptiMOS? 7 車規(guī)MOS的命名規(guī)則。比如英飛凌料號IAUCN08S7N055X每個字符所代表的信息如下圖所示。和之前的命名規(guī)則相比，最大的變化是移除了最大連續(xù)電流IDSmax，避免用戶在器件選型時產生不必要的誤解。以此同時，為了讓用戶全方位了解器件的電流能力的定義，我們在數(shù)據(jù)手冊里給出了詳細的信息。

 OptiMOS? 7 車規(guī)MOS命名規(guī)則

作者序語——英飛凌技術專家  陳秋崗

英飛凌OptiMOS? 7 是英飛凌開發(fā)的第五代溝槽技術，是當今領先的雙多晶硅溝槽技術。無引腳封裝結合銅夾技術的使用，大幅提高了產品的電流能力。該系列產品將采用業(yè)界先進的300mm薄晶圓技術進行批產。