香港在全球半導體行業(yè)取得突破，設立下一代氮化鎵晶圓生產(chǎn)線

香港正在設立其首條氮化鎵（GaN）晶圓生產(chǎn)線，這是一種新一代半導體材料，旨在在美中技術競爭加劇的背景下，幫助香港在全球芯片行業(yè)占據(jù)一席之地。

今年1月在香港成立的MassPhoton正在與政府資助的香港科學園（HKSTP）合作，建立一條8英寸GaN外延晶圓試驗生產(chǎn)線，目標是到2027年實現(xiàn)年產(chǎn)1萬片的生產(chǎn)能力，MassPhoton創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官廖義森在周二的媒體簡報會上表示。

該公司專注于制造紫外線-C消毒產(chǎn)品，將在香港新晶圓生產(chǎn)線投資2億港元（2560萬美元），并在科學園內(nèi)建立GaN技術的研發(fā)中心，HKSTP周二在聲明中表示。

2024年7月30日，創(chuàng)新科技及工業(yè)局局長孫東在第三代半導體GaN外延晶圓試驗生產(chǎn)線啟動儀式上講話。照片：手稿 2024年7月30日，創(chuàng)新科技及工業(yè)局局長孫東在第三代半導體GaN外延晶圓試驗生產(chǎn)線啟動儀式上講話。照片：手稿 與傳統(tǒng)的硅基半導體相比，GaN和碳化硅（SiC）是第三代半導體材料，具有更高的能源效率和更小的尺寸優(yōu)勢。

計劃中的GaN生產(chǎn)線正值香港尋求在全球半導體供應鏈中占據(jù)一席之地之際，這是該市在地緣政治緊張局勢加劇背景下，努力成為創(chuàng)新和技術中心的一部分。

去年10月，HKSTP還與中國大陸芯片公司J2 Semiconductor簽署了一份諒解備忘錄，目標是在香港設立首條8英寸SiC晶圓廠和一個新的第三代半導體研發(fā)中心。

這家總部位于上海的芯片制造商承諾在該項目中投資69億港元，并計劃到2028年實現(xiàn)每年24萬片晶圓的生產(chǎn)能力，該公司去年10月表示。

美國的出口限制已經(jīng)切斷了中國獲取一些最先進芯片制造設備的途徑。

“我們對第三代半導體供應鏈的一致性充滿信心，”MassPhoton的廖義森在周五表示。許多大陸的SiC公司已經(jīng)在全球行業(yè)中處于領先地位，他補充道。

香港立法者在5月份批準了28.4億港元的資金，用于政府建立一個半導體研究中心。計劃中的元朗InnoPark微電子中心預計今年開始運營，HKSTP周五表示。

MassPhoton的目標是將其GaN晶圓用于顯示技術、汽車和數(shù)據(jù)中心等領域，廖義森表示。該公司還計劃在年底前再籌集1億港元的資金，他說。