在 Chiplet 時(shí)代如何規(guī)劃芯片布局

3D-IC 和異構(gòu)芯片將使物理布局工具發(fā)生重大改變，其中 Chiplet 的放置和信號(hào)的布線(xiàn)會(huì)對(duì)整體系統(tǒng)的性能和可靠性產(chǎn)生重大影響。

EDA 供應(yīng)商非常清楚這些問(wèn)題，并正在努力尋找解決方案。3D-IC 面臨的最大挑戰(zhàn)是散熱。邏輯通常會(huì)產(chǎn)生最多的熱量，而將邏輯芯片堆疊在其他邏輯芯片之上需要一種方法來(lái)散熱。在平面 SoC 中，這通常依賴(lài)散熱器或基板來(lái)處理。但在 3D-IC 中，需要減薄基板以盡量縮短信號(hào)必須傳輸?shù)木嚯x，這會(huì)降低基板的傳熱能力。此外，熱量可能會(huì)滯留在芯片之間，因此散熱器不再備選。解決這個(gè)問(wèn)題的方法是仔細(xì)配置不同的層，以便熱量分散到整個(gè)芯片上，或限制其在可以有效去除熱量的區(qū)域，這需要內(nèi)置到自動(dòng)化工具中。

Alphawave Semi 首席技術(shù)官 Tony Chan Carusone 表示：「向 Chiplet 設(shè)計(jì)范式的過(guò)渡將影響現(xiàn)代布局布線(xiàn)設(shè)計(jì)流程，需要優(yōu)化芯片之間的邏輯分區(qū)。這意味著基于芯片的系統(tǒng)的布局布線(xiàn)設(shè)計(jì)流程必須考慮多芯片集成、異構(gòu)技術(shù)的潛力，并管理高密度芯片間互連的復(fù)雜性。這將需要了解不同制造和封裝技術(shù)提供的可能性和限制?！?/span>

經(jīng)過(guò)數(shù)十年關(guān)于堆疊芯片的討論和 PowerPoint 演示，芯片行業(yè)已經(jīng)沒(méi)有其他選擇了。芯片制造商已經(jīng)在設(shè)計(jì)邏輯芯片堆疊和存儲(chǔ)芯片堆疊，并且隨著平面縮放的成本不斷增加，依賴(lài)某種類(lèi)型的高級(jí)封裝和 Chiplet 的系統(tǒng)設(shè)計(jì)是提高性能的最佳選擇，尤其是對(duì)于人工智能和其他高性能計(jì)算應(yīng)用。

事實(shí)上，Yole 預(yù)測(cè)，從 2025 年開(kāi)始，大多數(shù)服務(wù)器芯片將使用 Chiplet 構(gòu)建，超過(guò) 50% 的批量客戶(hù)端 PC 將使用 Chiplet。這些數(shù)字增加了對(duì)適應(yīng)工具和工作流程需求的緊迫性。

布局規(guī)劃、布局、時(shí)鐘和布線(xiàn)是布局布線(xiàn)流程的四個(gè)主要階段。布局規(guī)劃探索發(fā)生在流程的早期，設(shè)計(jì)師將大型功能模塊放置在芯片的不同區(qū)域，確定連接性，以及應(yīng)該將哪個(gè)模塊放在什么旁邊。在此階段，模塊具有將整個(gè)芯片區(qū)域劃分為粗分區(qū)的邊界。然后將標(biāo)準(zhǔn)單元作為定義的模塊放置在每個(gè)邊界內(nèi)。這些是遵守代工廠(chǎng)設(shè)計(jì)審查手冊(cè)中規(guī)定的小型庫(kù)單元。然后，它們根據(jù)本地連接通過(guò)互連相互布線(xiàn)。從總體上看，布局規(guī)劃步驟包含頂層連接的抽象視圖。

「在實(shí)際布局中，你是在對(duì)所有標(biāo)準(zhǔn)單元和宏進(jìn)行詳細(xì)布局，」Cadence 產(chǎn)品管理組總監(jiān) Vinay Patwardhan 說(shuō)道。「布線(xiàn)是連接它們的下一步。每到下一個(gè)階段，設(shè)計(jì)中的信息都會(huì)越來(lái)越多?！?/span>

關(guān)于材料的基本決定，例如是否使用銅或光互連，是在早期探索階段或系統(tǒng)設(shè)計(jì)階段，甚至在平面規(guī)劃之前就已簽署的。

雖然這些步驟仍然按照傳統(tǒng)順序執(zhí)行，但游戲已經(jīng)從經(jīng)典棋局轉(zhuǎn)變?yōu)槿S國(guó)際象棋。Synopsys 3D-IC 產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān) Kenneth Larsen 表示：「現(xiàn)在有點(diǎn)復(fù)雜了。當(dāng)我們談?wù)?2.5/3D 以及向多芯片設(shè)計(jì)的過(guò)渡時(shí)，芯片之間的距離非常近，這帶來(lái)了許多新挑戰(zhàn)。當(dāng)我們構(gòu)建具有多個(gè)硅芯片的系統(tǒng)時(shí)，它們會(huì)非常緊密地連接在一起。它們可能堆疊在一起，并且會(huì)相互影響。其中一個(gè)問(wèn)題是向系統(tǒng)供電。另一個(gè)問(wèn)題是熱問(wèn)題，因?yàn)榫嚯x很近。熱問(wèn)題正在成為一階效應(yīng)，而將零件放入布局規(guī)劃中的位置可能會(huì)影響設(shè)計(jì)中的熱量或溫度逸出?！?/span>

現(xiàn)在，所有這些都發(fā)生在三維空間中，設(shè)計(jì)中必須考慮到每個(gè)維度。Patwardhan 說(shuō)：「現(xiàn)在，你不僅要考慮平面檢查，還要考慮放置物體與頂層和底層之間的相互作用，而不是只考慮平面檢查。在 3D-IC 堆疊芯片設(shè)計(jì)中，下層很多時(shí)候位于高級(jí)封裝的頂部，它與旁邊的 HBM 或其他存儲(chǔ)元件通信，也與位于其頂部的物體通信。你需要在 z 維度上觀察來(lái)自頂部芯片的耦合效應(yīng)，觀察增加的電阻率，還要觀察存在同步時(shí)鐘的跨芯片的時(shí)序路徑。必須在放置流程的早期對(duì)兩個(gè)芯片之間的緊密通信進(jìn)行建模，在規(guī)劃芯片間連接流程時(shí)也是如此。」

這里還有另一個(gè)重要方面需要考慮。「由于這些都是堆疊的金屬連接，因此金屬層之間的高導(dǎo)電性，會(huì)產(chǎn)生煙囪效應(yīng)，在高功率密度區(qū)域可能會(huì)出現(xiàn)非常高的散熱量，」Patwardhan 說(shuō)。「你可能滿(mǎn)足了時(shí)序或功率要求，但你可能沒(méi)有將熱作為一級(jí)效應(yīng)考慮在內(nèi)，現(xiàn)在你必須這樣做了?！?/span>

熱效應(yīng)

人們?cè)絹?lái)越意識(shí)到熱效應(yīng)（尤其是 3D 結(jié)構(gòu)中的熱串?dāng)_）的重要性，這影響了設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在此過(guò)程中的工作方式，打破了專(zhuān)業(yè)之間的壁壘?！笩釂?wèn)題一直是一個(gè)難題，」Larsen 說(shuō)。「以前，你把它丟給專(zhuān)家，他會(huì)回應(yīng)說(shuō)，『我們有一個(gè)熱問(wèn)題，你需要限制芯片?！坏F(xiàn)在，我們?cè)谠O(shè)計(jì)過(guò)程中更早地引入了這些多物理效應(yīng)的模擬，比 10 年前更早?！?/span>

西門(mén)子 EDA 研發(fā)總監(jiān) Kai-Yuan (Kevin) Chao 對(duì)此表示贊同?！肝锢碓O(shè)計(jì)中的熱規(guī)劃至關(guān)重要，因?yàn)榇蠖鄶?shù)高性能 CPU 都具有加速和功率節(jié)流功能，以管理硬限晶體管結(jié)溫，從而確保芯片可靠性。簡(jiǎn)而言之，使用平面圖進(jìn)行最壞情況下的功率瓦特?zé)崮M的固定狀態(tài)，其意義不如在多個(gè)細(xì)分市場(chǎng)中模擬目標(biāo)應(yīng)用工作負(fù)載的意義，這些工作負(fù)載在不同內(nèi)核和內(nèi)存上運(yùn)行，在該產(chǎn)品的冷卻使用下以各種組合運(yùn)行。」

減少熱傳感器之間的節(jié)流裕度對(duì)于測(cè)量最關(guān)鍵工作負(fù)載引起的熱點(diǎn)非常重要。這決定了不同處理元件之間的距離，以及/或者如何劃分和優(yōu)先處理各種操作。

Chao 指出：「由于電壓/頻率上下限的持續(xù)時(shí)間會(huì)影響性能和計(jì)算吞吐量，因此還需要瞬態(tài)熱功率斜坡建模和內(nèi)部模擬調(diào)整溫度敏感參數(shù)（如泄漏）?！辜煞€(wěn)壓器電感器和用于封裝設(shè)計(jì)和冷卻設(shè)計(jì)系統(tǒng)的走線(xiàn)也需要來(lái)自芯片設(shè)計(jì)的早期功率和熱圖，以協(xié)調(diào)組裝和產(chǎn)品發(fā)布。因此，從 RTL 前架構(gòu)階段到最終的流片前布局階段，物理平面圖（包括 I/O）和一致的功率瓦特收斂也很重要?！?/span>

圖 1：布局規(guī)劃與熱管理的相互作用。來(lái)源：Synopsys

甚至在設(shè)計(jì)師深入研究復(fù)雜的多物理場(chǎng)之前，布局規(guī)劃就可以提示哪里可能存在熱問(wèn)題。Arteris 產(chǎn)品管理和營(yíng)銷(xiāo)副總裁 Andy Nightingale 表示：「一旦我們?cè)谄聊簧峡吹讲季忠晥D并開(kāi)始進(jìn)行 NoC 設(shè)計(jì)，我們就可以看到哪里存在擁塞點(diǎn)。這些高密度連接可以被視為設(shè)計(jì)中的熱點(diǎn)。」

所有這些都凸顯了為什么 EDA 公司鼓勵(lì)用戶(hù) shift left。Patwardhan 說(shuō)：「如果你在進(jìn)行信號(hào)完整性感知布線(xiàn)，你必須在流程早期進(jìn)行建模。你的模型有多好將決定你在設(shè)計(jì)階段結(jié)束時(shí)的準(zhǔn)確性有多強(qiáng)。我們必須在流程的早期階段進(jìn)行一些額外的簽核檢查或熱分析檢查，以及信號(hào)和電源完整性分析。因此，如果我們談?wù)摰氖菃卧?jí)別的多芯片布局，無(wú)論它們是 2.5D 配置，還是堆疊芯片配置，許多系統(tǒng)級(jí)簽核檢查都必須在實(shí)施流程的早期進(jìn)行建模。我們必須想出新的抽象方法，一些新的方法讓布局環(huán)境處理多個(gè)對(duì)象，一次優(yōu)化更多參數(shù)，并做得足夠好，以便在有工程變更單 (ECO) 時(shí)不必重新打開(kāi)每個(gè)設(shè)計(jì)。從運(yùn)行時(shí)間的角度或設(shè)計(jì)方法的角度來(lái)看，過(guò)早地將所有東西都納入進(jìn)來(lái)并不實(shí)際，但我們可以在早期做足夠多的工作，以確保減少第一次通過(guò)后的迭代?！?/span>

展望 AI 未來(lái)

大家一致認(rèn)為 EDA 已經(jīng)是 AI 的一種，因?yàn)樗恢笔侨祟?lèi)設(shè)計(jì)師基于算法的輔助工具。不過(guò)，工具仍在不斷發(fā)展。EDA 供應(yīng)商現(xiàn)在正在考慮擴(kuò)展，例如為工具提供生成式 AI 副駕，以及更多地整合多物理模擬，同時(shí)開(kāi)發(fā)專(zhuān)門(mén)用于處理多芯片和多維結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)引擎。

希望人工智能能將預(yù)測(cè)智能帶入傳統(tǒng)的布局布線(xiàn)?！肝覀円呀?jīng)擅長(zhǎng)將先進(jìn)算法集成到 NoC 設(shè)計(jì)中，以實(shí)現(xiàn)各種優(yōu)化，」Nightingale 說(shuō)道?！赶乱徊桨l(fā)展是基于歷史數(shù)據(jù)（甚至可能是實(shí)時(shí)分析）預(yù)測(cè)和優(yōu)化平面規(guī)劃和布局布線(xiàn)結(jié)果。我們與生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴之間也需要進(jìn)行跨領(lǐng)域的密切合作，以盡更多努力使設(shè)計(jì)保持在給定的約束范圍內(nèi)?！?/span>

學(xué)術(shù)界也在提供幫助。麻省理工學(xué)院剛剛宣布了一種新的基于人工智能的方法，命名為虛擬節(jié)點(diǎn)圖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) (VGNN)，使用虛擬節(jié)點(diǎn)來(lái)表示聲子，以加快對(duì)材料熱性能的預(yù)測(cè)。該論文的作者聲稱(chēng)，僅在個(gè)人計(jì)算機(jī)上運(yùn)行 VGNN 就能在幾秒鐘內(nèi)計(jì)算出幾千種材料的聲子色散關(guān)系。

結(jié)論

當(dāng)今的 Chiplet 、系統(tǒng)和封裝設(shè)計(jì)人員面臨著更多的技術(shù)多樣性和系統(tǒng)協(xié)同優(yōu)化要求?！富甯?、更復(fù)雜，包括中介層和埋入基板的硅橋，它們需要 EDA 路由器處理不同層次材料之間快速增長(zhǎng)的線(xiàn)路連接，并采用特定的設(shè)計(jì)規(guī)則和高速電氣和熱機(jī)械約束來(lái)提高生產(chǎn)率，」西門(mén)子的 Chao 表示?！复送?，特殊的布線(xiàn)要求需要 EDA 創(chuàng)新，例如基板電容器和光學(xué)元件。細(xì)間距混合鍵合使單時(shí)鐘周期互連能夠在垂直跨芯片 3D 規(guī)劃中進(jìn)行單元級(jí)時(shí)序和 I/O 布局。盡管如此，增加封裝中芯片中的晶體管需要更高效的電力傳輸和散熱。例如，臺(tái)積電在其未來(lái)的 HPC/AI 3D-IC 配置中添加了 IVR。包括液體冷卻在內(nèi)的集成散熱器解決方案在 NVIDIA 的新產(chǎn)品中得到了共同優(yōu)化?！?/span>

功率和散熱是日益嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)?！赋藶闈M(mǎn)足 2nm 以下熱設(shè)計(jì)需求而引入的背面供電網(wǎng)絡(luò)外，如果產(chǎn)品設(shè)計(jì)中包含集成封裝/系統(tǒng)液體冷卻，熱感知布局和布局規(guī)劃要求（例如多芯片模塊微通道冷卻協(xié)同設(shè)計(jì)）可能會(huì)重新出現(xiàn)，」Chao 繼續(xù)說(shuō)道。「在由多個(gè)利益相關(guān)者共同擁有的協(xié)同開(kāi)發(fā)過(guò)程中，具備多物理場(chǎng)意識(shí)的早期物理設(shè)計(jì)將非常有益，因?yàn)樵隍?yàn)證后的 Chiplet 組裝階段，不切實(shí)際的假設(shè)可能會(huì)帶來(lái)非常昂貴的修復(fù)成本?！?/span>

在優(yōu)化 3D-IC 設(shè)計(jì)流程之前，還有很長(zhǎng)的路要走?！肝覀儸F(xiàn)在才剛剛開(kāi)始這段旅程，」Cadence 的 Patwardhan 說(shuō)道?！肝覀冮_(kāi)發(fā)了一些相當(dāng)不錯(cuò)的算法，可以同時(shí)進(jìn)行 3D 布局、3D 平面規(guī)劃、熱感知 3D 平面規(guī)劃和布局。但是現(xiàn)在設(shè)計(jì)界和 EDA 界的每個(gè)人都非常保守，為堆疊芯片設(shè)計(jì)留出了額外的余地，因?yàn)槲覀冋幱诹鞒涕_(kāi)發(fā)和早期測(cè)試芯片的階段。在很短的時(shí)間內(nèi)，我們將從我們的學(xué)習(xí)中研發(fā)優(yōu)化的流程，就像我們?cè)?finFET 和 GAA 型晶體管時(shí)代快速發(fā)展一樣。現(xiàn)在，堆疊芯片只是增加了一個(gè)維度的額外挑戰(zhàn)。我們很快就能為復(fù)雜的 3D-IC 設(shè)計(jì)提出優(yōu)化且完全自動(dòng)化的 3D 布局和布線(xiàn)流程，這只是時(shí)間問(wèn)題?！?/span>