消息稱三星電子確認(rèn)平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資，目標(biāo)明年 6 月投運(yùn)

IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計(jì)劃，該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營(yíng)。

平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。

而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級(jí)內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式發(fā)布。韓媒在報(bào)道中稱，三星電子計(jì)劃在今年底啟動(dòng) 1c nm 內(nèi)存生產(chǎn)。

▲ 三星平澤廠區(qū)

根據(jù)IT之家此前報(bào)道，三星電子考慮在明年下半年推出的 HBM4 內(nèi)存上使用 1c nm DRAM 裸片，以更先進(jìn)的 DRAM 制程提升 HBM4 產(chǎn)品的能效競(jìng)爭(zhēng)力，追趕 HBM 領(lǐng)域領(lǐng)先者 SK 海力士。

考慮到 HBM 內(nèi)存對(duì) DRAM 晶圓的消耗量遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)內(nèi)存，平澤 P4 建設(shè) 1c nm DRAM 產(chǎn)線也是在為可能的 HBM4 生產(chǎn)需求做好準(zhǔn)備。