半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)開(kāi)啟“狂飆”模式？

經(jīng)歷較長(zhǎng)時(shí)間的行業(yè)下行周期后，2023年第四季度以來(lái)，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)了較為明顯的回暖跡象。與此同時(shí)，隨著AI人工智能浪潮的推動(dòng)，加上數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用對(duì)高端存儲(chǔ)需求的持續(xù)增加，全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)蘇態(tài)勢(shì)愈發(fā)強(qiáng)烈。

而近日，從SK海力士、鎧俠、三星、美光等廠商釋放的信號(hào)來(lái)看，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)邁入上行周期的確定性進(jìn)一步提升。

SK海力士12層HBM3E即將量產(chǎn)，HBM工廠迎利好

近期，SK海力士無(wú)論是在技術(shù)研發(fā)還是建廠投資方面，都釋出了利好消息。

技術(shù)研發(fā)方面，眾所周知，受益于人工智能熱潮推動(dòng)，SK海力士在AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)掌握著主導(dǎo)地位。SK海力士首席執(zhí)行官郭魯正表示，由于HBM等高性能存儲(chǔ)器芯片的強(qiáng)勁需求，存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)還將維持一段時(shí)間的樂(lè)觀態(tài)勢(shì)，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)將持續(xù)活躍到明年年初。

SK海力士認(rèn)為，隨著人工智能市場(chǎng)的擴(kuò)大，明年存儲(chǔ)器的需求將持續(xù)增長(zhǎng)，并制定了積極應(yīng)對(duì)的戰(zhàn)略。SK海力計(jì)劃在本季度向主要客戶(hù)供應(yīng)12層HBM3E樣品并開(kāi)始量產(chǎn)，并將在明年下半年推出與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)的12層HBM4。

除了全力發(fā)展HBM高帶寬內(nèi)存市場(chǎng)外，SK海力士在顯存方面的發(fā)展也迎來(lái)新的進(jìn)展。

7月30日，SK海力士宣布推出全球最高性能的新一代顯存產(chǎn)品GDDR7。與前一代產(chǎn)品相比，SK海力士GDDR7運(yùn)行速度提高了60%以上，能效與前一代相比提升了50%以上。此外，SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)通過(guò)采用封裝新技術(shù)，成功地將該產(chǎn)品的熱阻減少了74%。

圖片來(lái)源：SK海力士

SK海力士表示，GDDR7將于今年第三季度量產(chǎn)，將適用于圖形處理、人工智能、高性能計(jì)算、及自動(dòng)駕駛等多種領(lǐng)域。

投資建廠發(fā)面，SK海力士將投資約9.4萬(wàn)億韓元，龍仁半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群首個(gè)晶圓廠及事業(yè)設(shè)施。根據(jù)規(guī)劃，SK海力士將建設(shè)四座生產(chǎn)下一代半導(dǎo)體的先進(jìn)晶圓廠，其中第一座晶圓廠計(jì)劃明年3月開(kāi)工，2027年5月完工，將生產(chǎn)包括代表性AI存儲(chǔ)器HBM在內(nèi)的下一代DRAM，并在工廠竣工后根據(jù)市場(chǎng)需求生產(chǎn)其他產(chǎn)品。

SK海力士龍仁半導(dǎo)體集群鳥(niǎo)瞰圖
圖片來(lái)源：SK海力士

此外，SK海力士還與美國(guó)商務(wù)部簽署了一份不具約束力的初步備忘錄（PMT）?；诿绹?guó)《芯片和科學(xué)法案》，SK海力士就美國(guó)印第安納州半導(dǎo)體先進(jìn)封裝工廠的投資，將獲得最高4.5億美元的直接補(bǔ)助和最高5億美元的貸款。與此同時(shí)，美國(guó)財(cái)政部決定為SK海力士提供在美國(guó)投資額最高可達(dá)25%的稅收抵免。

SK海力士此前宣布，將在美國(guó)印第安納州投資建設(shè)HBM先進(jìn)封裝生產(chǎn)基地，總投資達(dá)38.7億美元，并創(chuàng)造約1,000個(gè)工作崗位。該工廠預(yù)計(jì)在2028年下半年開(kāi)始量產(chǎn)新一代HBM等適于AI的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。同時(shí)，SK海力士還將與普渡（Purdue）大學(xué)等當(dāng)?shù)匮芯繖C(jī)構(gòu)攜手進(jìn)行半導(dǎo)體研發(fā)。SK海力士表示，為了在印第安納州順利進(jìn)行面向AI的存儲(chǔ)器量產(chǎn)，將如期進(jìn)行工廠建設(shè)。

鎧俠Q1營(yíng)收環(huán)比大漲106.4%，規(guī)劃10月底IPO？

近日，NAND閃存大廠鎧俠公布了2024財(cái)年（4-6月，2024自然年二季度）第一財(cái)季營(yíng)收?qǐng)?bào)告。

數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)季鎧俠營(yíng)收創(chuàng)歷史新高，達(dá)4,285億日元，同比大漲71%，環(huán)比增長(zhǎng)106.4%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)1259億日元，環(huán)比增加187%；凈利潤(rùn)也自去年同期的虧損1,031億日元轉(zhuǎn)為盈利698億日元，環(huán)比增長(zhǎng)578%。

圖片來(lái)源：鎧俠

鎧俠表示，供需平衡改善，帶動(dòng)NAND Flash平均售價(jià)持續(xù)上升，同時(shí)閃存市場(chǎng)需求復(fù)蘇也隨之推動(dòng)NAND Flash產(chǎn)品出貨量增加，外加日元貶值等，是推動(dòng)公司營(yíng)收實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)的主要因素。

鎧俠指出，以日元計(jì)算，當(dāng)季NAND Flash售價(jià)較上一財(cái)季（2024年1-3月）上漲20%左右，為連續(xù)第四個(gè)季度呈現(xiàn)上漲；NAND Flash出貨量也環(huán)比增長(zhǎng)了10-14%。鎧俠表示，上季以美元計(jì)算的售價(jià)環(huán)比增長(zhǎng)15%左右。

另外，鎧俠位于日本巖手縣北上市工廠Fab 2（K2）已于7月完工。而隨著市場(chǎng)需求的復(fù)蘇，鎧俠將在密切關(guān)注NAND閃存市場(chǎng)趨勢(shì)的同時(shí)逐步進(jìn)行資本投資。并計(jì)劃于2025年秋季在K2開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。

鎧俠在新聞稿中強(qiáng)調(diào)，將致力于抓住NAND Flash閃存市場(chǎng)機(jī)遇，滿(mǎn)足對(duì)AI人工智能應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心日益增長(zhǎng)的需求，并在合適的時(shí)機(jī)實(shí)施符合市場(chǎng)趨勢(shì)的資本投資。

據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，鎧俠K2工廠將用來(lái)增產(chǎn)人工智能AI用最先進(jìn)存儲(chǔ)器。報(bào)道還稱(chēng)，北上工廠將生產(chǎn)被稱(chēng)為“第8代”的最先進(jìn)存儲(chǔ)器，預(yù)計(jì)月產(chǎn)2.5萬(wàn)片，除AI數(shù)據(jù)中心外，也將用于智能手機(jī)、PC、汽車(chē)等領(lǐng)域。

至于備受關(guān)注的IPO情況，有知情人士表示，鎧俠會(huì)在8月底提交正式申請(qǐng)，目標(biāo)10月底上市，而為了趕上期限，鎧俠正以比一般IPO更快的速度進(jìn)行準(zhǔn)備，不過(guò)最終結(jié)果要視進(jìn)度而定，不排除推延至12月。

三星平澤P4生產(chǎn)第6代DRAM，或明年6月開(kāi)始運(yùn)營(yíng)

據(jù)韓國(guó)媒體ETNews最新報(bào)道，三星電子內(nèi)部已經(jīng)確認(rèn)在平澤P4工廠內(nèi)建設(shè)1c納米制程DRAM產(chǎn)線的投資計(jì)劃，目標(biāo)是預(yù)計(jì)在2025年的6月投入量產(chǎn)。

三星平澤P4是一座綜合性的半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期計(jì)劃。在三星早前的規(guī)劃中，一期以生產(chǎn)NAND Flash閃存為主，二期為邏輯代工，三期及四期為DRAM內(nèi)存。不過(guò)ETNews最新報(bào)道稱(chēng)，當(dāng)前，三星已在P4一期導(dǎo)入DRAM生產(chǎn)設(shè)備，但暫時(shí)擱置了二期建設(shè)。1c納米制程DRAM是第六代10納米級(jí)DRAM制程技術(shù)，報(bào)導(dǎo)指出，三星計(jì)劃在2024年底啟動(dòng)1c納米制程技術(shù)的存儲(chǔ)器生產(chǎn)計(jì)劃。

另?yè)?jù)韓媒消息，三星高管在2024年第2季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議透露，第五代8層HBM3E產(chǎn)品目前已交付客戶(hù)評(píng)估，計(jì)劃2024年第3季度開(kāi)始量產(chǎn)。

該高管還指出，已經(jīng)完成了12層HBM3E芯片的量產(chǎn)準(zhǔn)備，將在今年下半年根據(jù)多個(gè)客戶(hù)的要求計(jì)劃擴(kuò)大供應(yīng)。

據(jù)悉，三星HBM銷(xiāo)售額在第二季度環(huán)比增長(zhǎng)了50%，預(yù)計(jì)在下半年將增長(zhǎng)3-5倍，三星表示，HBM3E芯片在三星HBM中所占的份額預(yù)計(jì)將在第三季度超過(guò)10%，并有望在第四季度迅速擴(kuò)大到60%。至于第六代HBM4，三星預(yù)計(jì)，有望從2025年下半年開(kāi)始出貨。

事實(shí)上，在DRAM方面，8月6日，韓國(guó)存儲(chǔ)廠商三星電子宣布，已開(kāi)始批量生產(chǎn)業(yè)界最薄的12納米(nm)級(jí)LPDDR5X DRAM內(nèi)存，支持12GB和16GB容量。

圖片來(lái)源：三星

據(jù)官方介紹，三星輕薄型LPDDR5X DRAM的封裝厚度僅0.65mm，散熱控制能力更強(qiáng)，適合端側(cè)AI在移動(dòng)端的應(yīng)用，LPDDR封裝采用12納米級(jí)工藝，四層堆疊架構(gòu)，每層均由兩片LPDDR DRAM芯片組成，在提升Die密度的同時(shí)，減少厚度，提高耐熱性。與上一代產(chǎn)品相比，LPDDR5X DRAM厚度降低約9%，耐熱性能提升約21.2%。

圖片來(lái)源：三星

具體來(lái)看，通過(guò)采用更先進(jìn)的印刷電路板(PCB)和環(huán)氧樹(shù)脂模塑料(EMC)工藝，新一代LPDDR DRAM的封裝厚度僅0.65毫米(mm)，超過(guò)之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。同時(shí)，三星優(yōu)化了背面研磨工藝，進(jìn)一步壓縮了封裝厚度。

此外，通過(guò)提供超薄的LPDDR5X DRAM封裝，使移動(dòng)設(shè)備內(nèi)有多余的空間，促進(jìn)空氣流動(dòng)，散熱控制能力也因此得到提升，三星表示，這一屬性對(duì)于像端側(cè)人工智能類(lèi)具有復(fù)雜功能的高性能應(yīng)用尤為關(guān)鍵。

三星計(jì)劃通過(guò)向移動(dòng)處理器生產(chǎn)商，和移動(dòng)設(shè)備制造商供應(yīng)0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，繼續(xù)擴(kuò)大低功耗DRAM的市場(chǎng)。三星表示，未來(lái)hiatus計(jì)劃開(kāi)發(fā)6層24GB和8層32GB的模組，為未來(lái)設(shè)備打造超薄的LPDDR DRAM封裝。
   
美光量產(chǎn)第九代NAND閃存，瞄準(zhǔn)數(shù)據(jù)中心等需求

7月31日，美光宣布量產(chǎn)其采用第九代（G9）TLC NAND技術(shù)的SSD產(chǎn)品已開(kāi)始出貨，成為業(yè)界首家實(shí)現(xiàn)這一里程碑的廠商之一。適用于個(gè)人設(shè)備、邊緣服務(wù)器、企業(yè)和云數(shù)據(jù)中心。

據(jù)介紹，G9 NAND數(shù)據(jù)傳輸速率比當(dāng)前SSD中的NAND技術(shù)要快50%。同時(shí)，與市場(chǎng)上現(xiàn)有的同類(lèi)NAND解決方案相比，美光G9 NAND的每顆芯片寫(xiě)入帶寬和讀取帶寬分別高出99%和88%。

圖片來(lái)源：美光

封裝方面，與前一代NAND產(chǎn)品相同，美光G9 NAND采用11.5mm x 13.5mm的緊湊封裝，比同類(lèi)產(chǎn)品節(jié)省28%的空間。

據(jù)悉，采用了G9 NAND技術(shù)的美光2650 NVMe SSD理論性能水平接近PCIe 4.0，突破了高性?xún)r(jià)比TLC客戶(hù)端SSD的性能極限。連續(xù)讀取速率高達(dá)7000 MB/s。

與同類(lèi)競(jìng)品相比，美光2650 NVMe SSD表現(xiàn)出色，連續(xù)讀取性能提升高達(dá)70%，連續(xù)寫(xiě)入性能提升高達(dá)103%，隨機(jī)讀取性能提升高達(dá)156%，隨機(jī)寫(xiě)入性能提升高達(dá)85%。

而在此之前，7月底，美光還宣布推出全新的數(shù)據(jù)中心SSD產(chǎn)品9550 NVMe SSD。其順序讀取速率和順序?qū)懭胨俾史謩e為14.0 GB/s和10.0 GB/s。

圖片來(lái)源：美光

美光表示，與業(yè)界同類(lèi)SSD相比，其性能提升高達(dá)67%。此外，其隨機(jī)讀取速率達(dá)到3,300 KIOPS，比競(jìng)品提升高達(dá)35%，隨機(jī)寫(xiě)入速率達(dá)到400 KIOPS，比競(jìng)品提升高達(dá)33%。

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇信號(hào)強(qiáng)勁

眾所周知，SK海力士、三星、美光和鎧俠是全球知名的存儲(chǔ)廠商，四家廠商在NAND Flash領(lǐng)域的市場(chǎng)份額合計(jì)達(dá)83%，而前三家廠商在DRAM領(lǐng)域的市占合計(jì)逾90%。

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)此前的研報(bào)顯示，今年第一季度，全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收較前一季度成長(zhǎng)5.1%，達(dá)183.5億美元；NAND Flash產(chǎn)業(yè)也因市場(chǎng)量?jī)r(jià)齊揚(yáng)，營(yíng)收季增28.1%，達(dá)147.1億美元。

在市場(chǎng)需求提升，供需結(jié)構(gòu)拉升價(jià)格，加上HBM等高附加值產(chǎn)品快速崛起的利好形式下，當(dāng)前全球DRAM及NAND Flash存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展可謂是一片利好。

而根據(jù)集邦咨詢(xún)的最新調(diào)研，2024年DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收有望分別達(dá)增加907億美元和674億美元，分別同比增長(zhǎng)75%和77%。

集邦咨詢(xún)同時(shí)預(yù)測(cè)，2025年產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將持續(xù)維持成長(zhǎng)，并創(chuàng)歷史新高。其中，DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將來(lái)到1,365億美元、年增51%，NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收也將來(lái)到870億美元、年增29%。