新建/擴產！全球多座芯片工廠有大動作

近期半導體行業(yè)喜事連連，8月16日德州儀器獲得美國《芯片和科學法案》撥款加稅款等總計超180億美元補貼，用來推進三座12英寸晶圓廠建設；另外，臺積電旗下首座歐洲12英寸廠也將在明天開始動工，三座先進封裝工廠獲最新進展；此外，LTSCT計劃投資100億美元在印度新建三座晶圓廠，分別專注于硅、碳化硅和氮化鎵技術。

大額補貼到賬！德州儀器新建三座12英寸晶圓廠

8月16日，美國政府宣布與德州儀器（Texas Instruments）簽署初步協(xié)議，將通過《芯片和科學法案》向后者提供高達16億美元的資助，以協(xié)助推進其建造三座新的晶圓廠，其中有兩座位于德克薩斯州謝爾曼（SM1和SM2），一座位于猶他州萊希（LFAB2）。德州儀器總裁兼首席執(zhí)行官Haviv Ilan表示，計劃到2030年將內部制造率提高到95%以上，目前正在大規(guī)模建設300毫米產能，以提供未來幾年客戶所需的模擬和嵌入式處理芯片。

圖片來源：德州儀器

據悉，這筆資金將用于德州儀器建設SM1潔凈室并完成初始生產的中試線，為LFAB2建造潔凈室，以開始初始生產。并為SM2構建外殼。

美國官員表示，除了撥款外，該國還將向德州儀器提供高達30億美元的貸款。此外，TI預計將從美國財政部的合格美國制造業(yè)投資投資稅收抵免中獲得約60億至80億美元的資金。上述這些資金將支持該公司投資超過180億美元建造新設施。

謝爾曼工廠圖（圖片來源：德州儀器）

據德州儀器官方此前消息，該公司預計花費300億美元投資，計劃建造多達四座相連的晶圓廠（SM1、SM2、SM3、SM4），以滿足客戶未來幾十年的需求。根據其2022年發(fā)布的規(guī)劃，德州儀器2030年前將新建6座300mm晶圓廠，其中美國德州理查森的RFAB2和從美光收購LFAB工廠分別于2022年第三季度、2023年第一季度投產；德州謝爾曼4座工廠中2座工廠在2023年完成建設；另外2座將于2026-2030年開始建設。

在上述規(guī)劃之外，2023年2月，TI又宣布將在美國猶他州的萊希建造第二座300mm晶圓制造廠，已與2023年下半年開始建造，最早將于2026年投產，將主要生產模擬和嵌入式處理芯片。據悉，該工廠緊鄰其現有12英寸晶圓制造廠LFAB，建成后兩個工廠將合并為一個晶圓制造廠進行運營。

對于未來，德州儀器希望到2030年公司營收達到450億美元，比2022年提升了一倍多。該公司的目標是在未來10年左右收入實現7%的復合年增長，與之相較，2010年-2020年的平均增長率為4%。為了實現該，TI重新調整了本已提高的資本支出計劃，上調了2023-2026年每年資本開支至50億美元，2027后資本開支占收入比重為10%-15%。

公開資料顯示，德州儀器是全球最大的模擬芯片供應商，長期以來在全球模擬芯片行業(yè)市占率第一。模擬芯片廣泛應用于各種電子產品和系統(tǒng)中，包括汽車、工業(yè)、通信和消費電子等。

近兩年，德州儀器受困于市場工業(yè)和汽車電子元件需求下滑，業(yè)績也有所下滑。但是據其今年上半年財報顯示，德州儀器釋放消費型電子落底訊號，

其財報數據顯示，2024年一季度，德州儀器營業(yè)收入為36.61億美元，同比增長-16.40%；凈利潤為11.05億美元；同比增長-35.30%，毛利率為57.22%，同比下降8.16個百分點。第二財季該公司營收38.2億美元，營業(yè)利潤12.5億美元，預計第三財季營收39.4億-42.6億美元。改季德州儀器消費性電子終端環(huán)比增長15％左右，盡管工業(yè)、車用仍呈現下降趨勢，不過其終端市場已完成庫存調整，著將有利于德州儀器迎來復蘇。德州儀器管理階層透露，產能利用率將于第三季度略為改善，庫存天數季減6天至229天，供需關系正在轉佳。

臺積電多座工廠最新動態(tài)！

除了德州儀器三座12英寸晶圓廠獲得推進外，臺積電旗下首座歐洲12英寸廠也將在明天開始動工。先進封裝廠房方面，嘉義2座CoWoS先進封裝加速建設，并新購得群創(chuàng)南科4廠5.5代廠房。

01、歐洲廠明日動土

不久前臺積電方表示，將于8月20日舉行德國新廠動土典禮，并接續(xù)展開整地作業(yè)，預計今年年底前動工興建，目標2027年底開始生產。據了解，臺積電董事長魏哲家將率團前往，包括上百名主管與員工與會；臺積電協(xié)力廠與伙伴博世、英飛凌和恩智浦也將由高階主管出席。

據悉，德國該新工廠稱為歐洲半導體制造公司（ESMC），臺積電將持有新工廠70%股份，合作方德國博世、英飛凌和荷蘭芯片制造商恩智浦各持股10%。ESMC的首任總裁將是前博世德累斯頓晶圓廠廠長斯蒂安科伊茨施（Christian Koitzsch）。該晶圓廠將聚焦車用和工業(yè)用芯片，旨在滿足歐盟對汽車和工業(yè)芯片本地化的需求。具體工藝為28/22nm平面CMOS、16/12nm FinFET等成熟制程，預計于2027年實現量產，月產能可達4萬片12英寸晶圓。

02、臺積電多座先進封裝廠新進展

近日，臺積電的三座先進封裝廠獲得最新進展，其中嘉義2座CoWoS先進封裝廠獲批加快建設。另外，8月15日臺積電發(fā)布公告，花費171.4億元新臺幣購買群創(chuàng)南科4廠5.5代廠房。

臺積電計劃在嘉義科學園區(qū)興建2座CoWoS先進封裝廠，據其此前規(guī)劃，第一座工廠將于2026年完成建設，并于2028年投產。不過在今年5月施工過程中發(fā)現了文物遺跡，因此整個建設項目暫停施工。

據報道，在解決與現場挖掘和環(huán)境影響評估（EIA）考古挖掘相關的問題后，近日，中國臺灣發(fā)布公告顯示，臺積電已繼續(xù)推進AP7一期和AP7二期建設。

目前臺積電先進封裝持續(xù)供不應求，InFO、CoWoS等先進封裝產能不斷加碼擴產仍難滿足行業(yè)高漲的需求。據悉，臺積電的先進封裝廠AP7將耗資數十億美元，并將配備支持先進后端封裝技術的設備。臺積電的CoWoS-S用于AMD的Instinct MI250以及英偉達A100、H100/H200芯片，而CoWoS-L將用于英偉達B100/B200和其他下一代AI和HPC應用處理器。未來，AP7還將支持臺積電的SoIC（集成級集成單芯片）封裝方法，包括CoW、WoW等前端3D堆疊技術，這將使代工廠能夠組裝類似于AMD的Instinct MI300的垂直堆疊產品。

另外，8月15日臺積電公告，斥資171.4億元新臺幣向群創(chuàng)購買南科廠房及附屬設施。TrendForce集邦咨詢表示，快速獲得現有廠房，將幫助臺積電加速擴充先進封裝產能，減緩產能吃緊的問題。臺積電CEO魏哲家近期公開表示，臺積電正加速推進FOPLP工藝，目前已經成立了專門的研發(fā)團隊，并規(guī)劃建立小規(guī)模試產線，力爭在2027年量產。行業(yè)預估潛力巨大的FOPLP有望接棒臺積電CoWoS和InFO，成為下一個延續(xù)摩爾定律的先進封裝新星。詳情可了解《臺積電、日月光再買地擴產先進封裝！FOPLP賽道即將爆火！》。

LTSCT擬投資100億美元在印度建三座晶圓廠

在印度政府推動下，印度科技企業(yè)正在加大半導體布局。據外媒報道，L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）計劃投資100億-120億美元，在未來5到10年內在印度建立三個半導體制造工廠，分別專注于硅、碳化硅和氮化鎵技術。

公開資料顯示，LTSCT為L&T的全資子公司，是一家無晶圓廠公司，業(yè)務涵蓋MEMS傳感器、功率、模擬混合信號和射頻產品，以支持汽車、工業(yè)、能源和電信領域。母公司L&T是一家價值270億美元的跨國企業(yè)集團，其于去年投資85億盧比成立了LTSCT。

LTSCT公司首席執(zhí)行官Sandeep Kumar表示，LTSCT從類似高通或聯(lián)發(fā)科的系統(tǒng)級芯片（SoC）設計公司向芯片制造實體的轉型，將建立在公司實現10億美元營收目標的基礎之上。LTSCT預估這一營收目標將在未來2~3年內實現，屆時將著手建設晶圓廠。

Kumar進一步解釋道，該公司涉足各種技術，包括高端硅芯片以及中低端碳化硅和氮化鎵芯片。因此，隨著時間的推移，公司計劃建立三個不同的晶圓廠，每個晶圓廠都需要不同程度的投資。資金分配方面，LTSCT對硅的投資或將超過100億美元，對碳化硅的投資額在10億美元以上，對氮化鎵的投資額則在5億美元左右。

“在硅材料方面，所有合作伙伴的細節(jié)都已就緒。在氮化鎵方面，已經完成了一半工作，而碳化硅方面，在未來三個月內，公司將確定與誰合作。”Kumar補充道。據悉，LTSCT的碳化硅芯片將由兩家日本合作伙伴生產，而基于氮化鎵的射頻和功率器件芯片將由格芯和中國臺灣的世界先進生產。

值得一提的是，在擬加碼半導體制造同時，LTSCT也在持續(xù)加強對芯片設計領域的布局。7月9日，LTSCT以18.3億盧比現金收購班加羅爾SiliConchSystems的100%股份。L&T在周二的監(jiān)管文件中表示：“此次收購預計將增加知識產權 (IP)、工程技能和設計專業(yè)知識，以加強集團在無晶圓廠半導體業(yè)務中的地位，從而符合LTSCT的整體增長戰(zhàn)略?！?/p>