北京君正：21nm DRAM新工藝預計年底推出

近日，北京君正在接受機構(gòu)調(diào)研時就DRAM的新工藝情況表示，21nm和20nm都有在研，預計21nm的今年年底會推出，20nm預計將于明年中前后推出，后續(xù)還會繼續(xù)進行更新工藝的產(chǎn)品研發(fā)。

關于存儲中各類市場的收入占比情況，北京君正表示，汽車市場占比大概40%以上，工業(yè)和醫(yī)療今年市場景氣度差一些，去年占比超過30%，今年大概不到30%，剩下大約20%多的是通信和消費等其他領域。

存儲產(chǎn)品價格方面，北京君正的存儲產(chǎn)品主要面向行業(yè)市場，這個市場的價格變動特點和消費類市場不同，這幾年行業(yè)市場存儲價格高點是2022年，2022年末行業(yè)市場進入下行周期后，價格逐漸有所下調(diào)，但幅度相對較小。

北京君正同時披露各產(chǎn)品線的毛利率水平：計算芯片的毛利率波動較大，受市場需求和競爭影響較大，今年三季度的毛利率約為35%多；存儲芯片的毛利率三季度大約接近34%；模擬與互聯(lián)芯片毛利率一直保持在較高水平，三季度仍然保持在50%以上。