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Vishay推出采用eSMP系列SMF(DO-219AB)封裝的全新1A和2A Gen 7 1200V FRED Pt超快恢復(fù)整流器

—— 器件Qrr低至105 nC,VF為1.10 V,在降低開(kāi)關(guān)損耗的同時(shí),可降低寄生電容并縮短恢復(fù)時(shí)間
作者: 時(shí)間:2024-11-26 來(lái)源:EEPW 收藏

日前,威世科技 Intertechnology, Inc.宣布,推出四款采用eSMP? 系列SMF(DO-219AB)封裝的汽車(chē)級(jí)器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3,進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代1200 V FRED Pt?平臺(tái)陣容。1 A 和 2 A 整流器針對(duì)工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,在同類(lèi)器件中,不僅在反向恢復(fù)電荷(Qrr)和正向壓降之間實(shí)現(xiàn)了權(quán)衡,還提供了更低的結(jié)電容和更短恢復(fù)時(shí)間。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202411/464933.htm

日前發(fā)布的整流器包括VS-E7FX0112-M3和VS-E7FX0212-M3,以及符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3。為了降低開(kāi)關(guān)損耗并提高效率,這些器件融合了低至45 ns的快速恢復(fù)時(shí)間,低至105 nC的Qrr(典型值),低至1.45 V的正向壓降和低至3.0 pF的結(jié)電容等特點(diǎn)。性能可靠的整流器在尺寸為4.2 mm x 1.4 mm的緊湊封裝中提供了高達(dá)21 A的非重復(fù)峰值浪涌電流,厚度低至1.08 mm,最小爬電距離僅2.2 mm。

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器件可用作反激輔助電源的鉗位、緩沖和續(xù)流二極管,也可用作自舉驅(qū)動(dòng)器功能的高頻整流器,同時(shí)可為最新快速開(kāi)關(guān)IGBT和高壓Si/SiC MOSFET提供去飽和保護(hù)。VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0112HM3、VS-E7FX0212-M3和VS-E7FX0212HM3的典型應(yīng)用包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和工具、電動(dòng)汽車(chē)(EV)車(chē)載充電器和電機(jī)、發(fā)電和儲(chǔ)能系統(tǒng),以及?uk轉(zhuǎn)換器和工業(yè)LED SEPIC電路。

整流器采用平面結(jié)構(gòu),通過(guò)鉑摻雜壽命控制,在不影響性能的情況下確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性,同時(shí)經(jīng)過(guò)優(yōu)化的存儲(chǔ)電荷和低恢復(fù)電流可最大限度減少開(kāi)關(guān)損耗并降低功耗。器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵素,潮濕敏感度達(dá)到J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)1級(jí),可在+175 °C高溫下工作。

器件規(guī)格表:

產(chǎn)品編號(hào)

VS-E7FX0112-M3

VS-E7FX0112HM3

VS-E7FX0212-M3

VS-E7FX0212HM3

IF(AV)

1   A

1   A

2   A

2   A

VR

1200   V

IF下的VF

1.45   V

1.45   V

1.60   V

1.60   V

trr

50   ns

50   ns

45   ns

45   ns

Qrr

105   nC

105   nC

165   nC

165   nC

CT

3.0   pF

3.0   pF

3.5   pF

3.5   pF

IFSM

14   A

14   A

21   A

21   A

封裝

SMF   (DO-219AB)

AEC-Q101

最新第7代整流器現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),訂貨周期為8周。



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