全球晶圓廠，進度如何？

晶圓廠，作為半導體芯片制造的核心環(huán)節(jié)，一舉一動都牽動著整個科技產(chǎn)業(yè)的神經(jīng)。2024 年，全球晶圓廠領域迎來了諸多新變化，新增數(shù)量成為各界關注的焦點。究竟去年有多少新晶圓廠拔地而起？它們分布在哪些區(qū)域？又將給半導體產(chǎn)業(yè)乃至全球經(jīng)濟帶來怎樣的影響？

全球晶圓廠進度概況

去年 1 月，SEMI 國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會公布報告，全球半導體產(chǎn)能繼 2023 年以 5.5% 成長至每月 2,960 萬片晶圓之后，預計 2024 年將增速成長 6.4%，突破 3,000 萬片大關。

中國大陸

2024 年中國大陸計劃新增的晶圓廠數(shù)量相當可觀。受惠于政府資金挹注和其他獎勵措施，預期中國將擴大其在全球半導體產(chǎn)能的占比。中國芯片制造商預計 2024 年展開了 18 座新晶圓廠，產(chǎn)能年增率從 2023 年的 12% 提升至 2024 年的 13%，產(chǎn)能從 760 萬片推升成長至 860 萬片。

從具體項目來看，中芯國際深圳 12 英寸晶圓廠、華潤微（潤鵬）12 英寸晶圓廠、增芯 12 英寸晶圓廠等都是 2024 年新增的晶圓廠項目。此外，還有鼎泰匠芯、昇維旭、鵬芯微、鵬新旭等晶圓廠也在 2024 年進行了建設或投產(chǎn)。

臺積電

亞利桑那州：2024 年 4 月，臺積電同意將在美國亞利桑那州的投資額增加 250 億美元至 650 億美元，并計劃于 2030 年在該州建立第三座晶圓廠。美國商務部長雷蒙多于 2025 年 1 月確認，臺積電位于亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠一期已經(jīng)開始為美國客戶生產(chǎn) 4 nm 芯片。該工廠預計 2025 年上半年開始大批量生產(chǎn)，第二座晶圓廠則預定在 2028 年生產(chǎn)最前沿的 2 nm 芯片。

日本熊本縣：2024 年 12 月，臺積電位于日本熊本縣的晶圓廠（熊本一廠）正式按照計劃開始量產(chǎn)，主要生產(chǎn) 12 至 28 nm 的成熟制程邏輯芯片，月產(chǎn)能從最初的 4.5 萬片提升至 5.5 萬片，首批客戶包括索尼集團等行業(yè)企業(yè)。熊本二廠計劃在 2027 年年底投產(chǎn)，更先進的 6 nm 芯片生產(chǎn)線也將隨之落地。

德國德累斯頓：2024 年 8 月，臺積電正式為其德國德累斯頓晶圓廠舉行奠基儀式。該晶圓廠在 2024 年底開始建設，最早于 2027 年第四季度開始量產(chǎn)。臺積電德國廠將專注于汽車芯片，采用 28nm/22nm CMOS 和 16nm/12nm FinFET 技術，月產(chǎn)能約 4 萬片晶圓，預計將創(chuàng)造 2000 個直接高科技就業(yè)機會。

韓國

「全球最大的半導體園區(qū)」：韓國國土交通部于 2024 年 12 月 26 日正式宣布將龍仁半導體集群指定為國家產(chǎn)業(yè)園區(qū)。三星電子和 SK 海力士將作為主導廠商參與該產(chǎn)業(yè)園區(qū)的建設。該產(chǎn)業(yè)園區(qū)占地 728 萬平方米，將擁有多個大型晶圓廠和 3 個發(fā)電廠。三星電子計劃在龍仁市投資新建 6 個晶圓廠，而 SK 海力士則計劃新建 4 座晶圓廠。新的晶圓廠將于 2025 年 3 月正式破土動工，預計將在 2027 年完工。整個園區(qū)的建設工程則預計將在 2046 年全面竣工。然而，根據(jù)計劃，目標是在 2030 年前實現(xiàn)第一座晶圓廠順利進行首次運營。

三星

泰勒晶圓廠：三星電子于 2021 年 11 月宣布在泰勒市建設這座新的半導體工廠，預計投資高達 170 億美元。該工廠是三星電子在美國的第二座芯片代工廠，也是其在得克薩斯州的第二座芯片代工廠（第一座位于奧斯?。?。三星泰勒晶圓廠計劃采用先進的生產(chǎn)工藝，包括 3nm 和 2nm 芯片的生產(chǎn)。其中，2nm 芯片的生產(chǎn)線預計將在 2026 年開始運營。三星泰勒晶圓廠已經(jīng)確定了首家客戶，即專注于人工智能芯片和加速器的無晶圓半導體設計廠商 Groq。Groq 計劃采用三星泰勒工廠的 4nm 制程工藝制造下一代的半導體。此外，三星還在積極尋求與其他潛在客戶的合作，以進一步拓展其晶圓代工業(yè)務。

平澤晶圓廠 ：三星已于 2024 年第四季度在平澤 P2 廠建立 10nm 級的第七代 DRAM 測試線，預計 2025 年第一季度完全建成；P4 工廠的首期產(chǎn)線即將投產(chǎn)，但后續(xù)的二期和四期項目將被推遲。原計劃在 2024 年下半年動工的第二至第四階段的工程全部延后，相關設備和基礎設施的發(fā)包也一并延后。P4 一期產(chǎn)線預計將于近期開始投產(chǎn)，三期產(chǎn)線目前正在建設中，預計中秋節(jié)后將正式安裝電力等設備；P5 工廠的建設將推遲到 2026 年。

華城晶圓廠：三星正加速在韓國華城的「S3」工廠內(nèi)建設其先進的 2nm 生產(chǎn)線，目標是在 2025 年第一季度達成每月 7000 片晶圓的生產(chǎn)能力。

日本

Rapidus ：Rapidus 于 2023 年 2 月宣布將在北海道千歲市建造工廠，計劃建造兩座或以上制造大樓，每座大樓對應 2nm 之后不同的技術世代。該工廠預計在 2025 年 4 月啟動先進制程原型線，2027 年實現(xiàn)量產(chǎn)。

瑞薩電子：計劃重新開放其位于甲府的工廠，作為能夠制造 IGBT 和功率 MOSFET 的 300 毫米功率半導體晶圓廠。該工廠一旦實現(xiàn)量產(chǎn)，將使瑞薩功率半導體的總產(chǎn)能翻一番，以滿足日益增長的電動汽車和可再生能源市場的需求。

新加坡

世界先進和恩智浦：2024 年 6 月 5 日，晶圓代工廠世界先進和恩智浦半導體宣布，計劃在新加坡共同成立一家制造合資公司 VisionPower Semiconductor Manufacturing Company（VSMC），興建一座 12 英寸晶圓廠。投資金額約為 78 億美元，預計 2027 年開始量產(chǎn)，并于 2029 年達到 5.5 萬片 12 英寸晶圓的月產(chǎn)能。

聯(lián)電：聯(lián)電新加坡新廠于 2024 年中完工，計劃 2025 年初量產(chǎn)，第一期的月產(chǎn)能規(guī)劃為 30,000 片晶圓，將提供 22/28nm 制程，總投資金額為 50 億美元。

美光：美光科技投資 70 億美元的新加坡高帶寬內(nèi)存（HBM）封裝工廠破土動工，計劃于 2026 年開始運營，2027 年先進封裝總產(chǎn)能將大幅擴張。

世創(chuàng)電子：德國晶圓制造商世創(chuàng)電子耗資 20 億歐元在新加坡建造的第三座半導體晶圓工廠正式開幕，主要生產(chǎn) 12 寸半導體晶圓，預計從投產(chǎn)到年底每月可生產(chǎn)約 10 萬片晶圓。

馬來西亞

英飛凌：英飛凌位于馬來西亞居林的 200mm 碳化硅功率晶圓廠第一階段建設已圓滿完成，去年 8 月正式啟用居林 3 號晶圓廠模塊，SiC 生產(chǎn)于 2024 年底啟動。

歐洲

英飛凌：通過在德國德累斯頓建設新工廠，英飛凌旨在擴大產(chǎn)能，提高生產(chǎn)效率，降低成本，從而增強在全球市場的競爭力。目前已獲得最終建設許可，正在按計劃進行建設，包括基坑挖掘和基礎建設等工作。按計劃該工廠將于 2026 年開始生產(chǎn)，主要用于生產(chǎn)模擬 / 混合信號和功率類產(chǎn)品，將創(chuàng)造大約 1000 個高素質(zhì)工作崗位。

ESMC：德國經(jīng)濟部當?shù)貢r間 2024 年 12 月 13 日宣布，由德國政府、臺積電、博世、英飛凌、恩智浦共同出資的 ESMC 德累斯頓晶圓廠項目融資正式獲批啟動。ESMC 德累斯頓晶圓廠整體投資規(guī)模將超 100 億歐元，德國政府方面資助約占半數(shù)的 50 億歐元，臺積電出資約 35%，博世、英飛凌和恩智浦半導體各出資約 5%。該工廠將在 300mm 的硅晶圓上生產(chǎn) 28nm-12nm 成熟制程的車用、工業(yè)半導體產(chǎn)品，滿載時月產(chǎn)能將達約 4.17 萬片晶圓。

Wolfspeed：Wolfspeed 原計劃在德國薩爾州建造一座全球最大的 8 英寸碳化硅晶圓工廠，該工廠將采用創(chuàng)新性制造工藝來生產(chǎn)下一代碳化硅器件。但 Wolfspeed 在去年 6 月宣布推遲了在德國薩爾州建設價值 30 億美元工廠的計劃。

英特爾：英特爾馬格德堡晶圓廠的建設進度多次推遲。最初計劃于 2023 年上半年啟動，但隨后因補貼問題、施工現(xiàn)場遺跡清理、黑土保護等挑戰(zhàn)，推遲至 2024 年夏天。然而，到了 2024 年，該項目又因歐盟補貼緩慢等原因，再次推遲至 2025 年 5 月動工。

美國

英特爾：由于市場挑戰(zhàn)以及政府撥款緩慢等原因，英特爾在 2024 年 3 月 1 日提交給俄亥俄州政府官員的一份報告中顯示，他們在俄亥俄州的兩座晶圓廠生產(chǎn)將比原計劃至少晚兩年，要到 2027 年或 2028 年才能投入運營。

從產(chǎn)業(yè)發(fā)展角度而言，2024 年全球晶圓廠的這些動態(tài)意味著半導體行業(yè)競爭格局愈發(fā)復雜多元。一方面，傳統(tǒng)芯片制造巨頭如臺積電、三星等加速全球布局，在不同地域憑借技術、資金與品牌優(yōu)勢搶占市場高地；另一方面，新興區(qū)域如中國、新加坡等地的晶圓廠蓬勃興起，借助政策扶持與本土市場潛力，不斷縮小與行業(yè)領導者的差距，給全球半導體供應鏈帶來新的變數(shù)。

另一方面，數(shù)以百億計的投資涌入各地，創(chuàng)造了海量直接與間接就業(yè)崗位。從建筑工人搭建廠房，到設備工程師調(diào)試高精尖機器，再到研發(fā)人員探索前沿技術，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)人才需求大增。同時，帶動了當?shù)嘏涮桩a(chǎn)業(yè)如化工、精密機械、軟件研發(fā)等協(xié)同發(fā)展，為區(qū)域經(jīng)濟注入強勁動力。以德國德累斯頓為例，臺積電與英飛凌等企業(yè)的項目落地，不僅讓這座城市成為歐洲半導體產(chǎn)業(yè)新地標，更輻射周邊地區(qū)，形成產(chǎn)業(yè)集群效應。

2025 年

根據(jù) SEMI 最新的全球晶圓廠預測季度報告，半導體行業(yè)預計將在 2025 年啟動 18 個新晶圓廠建設項目。新項目包括三座 200 mm 和十五座 300 mm 設施，其中大部分預計將于 2026 年至 2027 年開始運營。

根據(jù)預測，中國芯片制造商預計于 2024 年推進 18 座新晶圓廠的建設，產(chǎn)能年增長率將從 2023 年的 12% 躍升至 13%，相應地，產(chǎn)能規(guī)模也會由 760 萬片攀升至 860 萬片。

中國臺灣地區(qū)在全球半導體產(chǎn)能排名中仍穩(wěn)居第二。其產(chǎn)能年增長率在 2023 年為 5.6%，2024 年預計為 4.2%，每月產(chǎn)能處于穩(wěn)步上升態(tài)勢，將從 540 萬片增長至 570 萬片，并且自 2024 年起預計會有 5 座新晶圓廠正式投產(chǎn)運營。

全球半導體產(chǎn)能排名第三的韓國，預計 2024 年僅有 1 座新晶圓廠投入生產(chǎn)，產(chǎn)能將在 2023 年 490 萬片的基礎上增長 5.4%，達到 2024 年的 510 萬片。

日本作為全球半導體產(chǎn)能第四的國家，預計 2024 年將有 4 座新晶圓廠開啟投產(chǎn)進程，產(chǎn)能從 2023 年的 460 萬片增長至 2024 年的 470 萬片，年增長率約 2%。

從區(qū)域維度來看，美洲地區(qū)在 2024 年將見證 6 座新晶圓廠的投產(chǎn)，這將推動該地區(qū)晶圓產(chǎn)能年增長率達到 6%，產(chǎn)能規(guī)模提升至 310 萬片。歐洲和中東地區(qū)同樣不甘示弱，2024 年計劃有 4 座新晶圓廠投產(chǎn)，預計產(chǎn)能將借此提升 3.6%，達到 270 萬片。東南亞地區(qū)在 2024 年也將發(fā)力，有 4 座新晶圓廠上馬，產(chǎn)能有望增加 4%，升至 170 萬片。

結語

隨著新晶圓廠逐步落地運營，更先進的制程工藝將加速迭代，對芯片性能、功耗、可靠性等關鍵指標的提升至關重要。例如，200mm 和 300mm 晶圓廠設施的建設，將適配不同芯片產(chǎn)品需求，促使半導體產(chǎn)品多元化發(fā)展，進一步滲透至人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車等前沿領域。

去年全球晶圓廠呈現(xiàn)出多元發(fā)展態(tài)勢。不同國家和地區(qū)的晶圓廠項目各有進展，產(chǎn)能或逐步提升，或處于規(guī)劃建設階段。從臺積電、三星等行業(yè)巨頭到新興區(qū)域的廠商，都在技術研發(fā)、產(chǎn)能擴充、市場布局上發(fā)力。2025 年半導體行業(yè)新廠建設已有預期，后續(xù)需關注這些項目能否按時推進、技術突破能否落地以及產(chǎn)能釋放對市場供需的影響，進而推動半導體產(chǎn)業(yè)及相關經(jīng)濟領域持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展。