STM32-FSMC機(jī)制的NOR Flash存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)
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為了達(dá)到更好的控制效果，還應(yīng)考慮FSMC自身延遲問題，使用校正公式：
式中：TAVQV為所選存儲(chǔ)芯片訪問過程中，從地址有效至數(shù)據(jù)有效的時(shí)間域；Tsu(Data_NE)為STM32特征參數(shù)，從數(shù)據(jù)有效到FSMC_NE(片選)失效時(shí)間域；Ttv(A_NE)為STM32特征參數(shù)，從FSMC_NE有效至地址有效的時(shí)間域。
TAVQV=130 ns，Tsu(Data_NE)+Ttv(A_NE]=36 ns，對(duì)DATAST參數(shù)進(jìn)行校正，可得DATAST=3。
3．4 應(yīng)用STM32固件對(duì)FSMC進(jìn)行初始化配置
ST公司為用戶開發(fā)提供了完整、高效的工具和固件庫(kù)，其中使用C語(yǔ)言編寫的固件庫(kù)提供了覆蓋所有標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)的函數(shù)，使用戶無(wú)需使用匯編操作外設(shè)特性，從而提高了程序的可讀性和易維護(hù)性。
STM32固件庫(kù)中提供的FSMC的NOR Flash控制器操作固件，主要包括2個(gè)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和3個(gè)函數(shù)。數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef對(duì)應(yīng)時(shí)間參數(shù)寄存器FSMC_BTR和FSMC_BWTR的結(jié)構(gòu)定義；
FSMC_NORSRAMinitTypeDef對(duì)應(yīng)特征配置寄存器FSMC_BCR的結(jié)構(gòu)定義，并包含2個(gè)指向?qū)?yīng)BANK的FSMC_BTR和FSMC_BWTR寄存器的FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef結(jié)構(gòu)指針。針對(duì)上述S29GL512P芯片擴(kuò)展要求，利用固件庫(kù)進(jìn)行的主要初始化操作如下：本文引用地址：http://www.butianyuan.cn/article/202625.htm
結(jié) 語(yǔ)
STM32作為新一代ARM Cortex-M3核處理器，其卓越的性能和功耗控制能夠適用于廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域；而其特殊的可變靜態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)FSMC具有高度的靈活性，對(duì)于存儲(chǔ)容量要求較高的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)，能夠在不增加外部分立器件的情況下，擴(kuò)展多種不同類型和容量的存儲(chǔ)芯片，降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，提高了系統(tǒng)的可靠性。
評(píng)論