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基于VxWorks的NAND FLASH驅(qū)動程序設(shè)計(jì)

作者: 時間:2009-08-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

0 引 言
目前,隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,計(jì)算機(jī)技術(shù)也得到飛速的發(fā)展,產(chǎn)生了很多新技術(shù)。但就計(jì)算機(jī)的基本結(jié)構(gòu)來說,還是基本采用了馮?諾依曼結(jié)構(gòu)。然而馮?諾依曼結(jié)構(gòu)的一個中心點(diǎn)就是存儲一控制,所以存儲器在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的作用是非常重要的。嵌入式計(jì)算機(jī)作為計(jì)算機(jī)中的一個類別,對執(zhí)行速度和系統(tǒng)可靠性都有較強(qiáng)的要求,這也決定了嵌入式系統(tǒng)不僅要有實(shí)時性很強(qiáng)的操作系統(tǒng),同時也需要一種安全、快速的存儲設(shè)備。同時,嵌入式系統(tǒng)經(jīng)常會涉及到海量數(shù)據(jù)的存儲,這就要求存儲設(shè)備必須具有可靠性高,功耗低,容量大,掉電數(shù)據(jù)不丟失等特點(diǎn),而 芯片正好具有這些優(yōu)點(diǎn)。
是嵌入式領(lǐng)域內(nèi)公認(rèn)的最有特色的高性能實(shí)時操作系統(tǒng)之一。它以其良好的可靠性和卓越的實(shí)時性,被廣泛地應(yīng)用在通信、軍事、航空、航天等高精尖技術(shù)及實(shí)時性要求極高的領(lǐng)域中,如衛(wèi)星通信、軍事演習(xí)、彈道制導(dǎo)、飛機(jī)導(dǎo)航等。
目前,在實(shí)現(xiàn)上,涉及文件系統(tǒng)的文章不少,但一般都是針對容量較小,操作相對簡單的NOR實(shí)現(xiàn)的。本文討論了如何在以AMCC公司的Power PC芯片PPC440epx為核心的嵌入式平臺上,利用三星公司的大容量 實(shí)現(xiàn)文件系統(tǒng)的具體辦法。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202665.htm

1 三星 FLASH芯片K9F2G08QOM
K9F2G08QOM芯片的容量為256 M×8 b=2 Gb的數(shù)據(jù)區(qū),再加上64 Mb的備用區(qū)。一塊這種芯片被分為2 048個塊,每個塊又分為64頁,每頁由2 KB的數(shù)據(jù)區(qū)加上64 B的備用區(qū)組成。如圖1所示,列地址為12 b(A11~A0)。當(dāng)A12為0時,A10~A0確定對每頁中2 KP;數(shù)據(jù)的訪問;當(dāng)A12為1時,訪問的是64 B的備用區(qū)。由于NANDFLASH芯片在出廠時就可能出現(xiàn)壞塊(塊中的某個或多個bit不能有效的進(jìn)行讀寫),為了將其標(biāo)注出來,三星公司保證每個壞塊的第一頁和第二頁備用區(qū)第一個byte的數(shù)據(jù)沒有被初始化為0xFF。設(shè)計(jì)人員要確保在對該芯片進(jìn)行擦除之前,先將這個信息保留起來(建一個壞塊表)。行地址為17 b(A28~A12)。它確定了對2 048塊×64頁=128 K個頁中的某一頁進(jìn)行訪問。為了簡化NAND FLASH芯片的管腳,其地址和數(shù)據(jù)信息共享8個I/O管腳,因此,其29 B的地址信息被設(shè)計(jì)為5個周期進(jìn)行傳輸。具體操作如表1所示。

注:起始地址是列地址;L表示必須置為低電平
對NAND FLASH的操作流程比較簡單,即在第一個周期里送操作相關(guān)的命令字,然后送地址,以及相應(yīng)的數(shù)據(jù),最后送確認(rèn)字。需要說明的是,由于地址、命令和數(shù)據(jù)都共用8個I/O管腳來進(jìn)行傳輸,因此在硬件上必須要有專用的管腳來區(qū)分傳輸類型(在傳輸命令的時候,命令鎖存使能信號CLE有效;在傳輸?shù)刂返臅r候,地址鎖存使能信號ALE有效)。具體的命令字、時序和操作流程在K9F2G08Q0M的數(shù)據(jù)手冊上有較詳細(xì)的描述,在此不一一詳述。


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