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串行FLASH SSF1101在單片機(jī)

作者: 時(shí)間:2004-12-08 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
摘要:1101是存儲(chǔ)容量為4Mbit的SPI接口存儲(chǔ)器,其IC卡封裝形式可作為單片機(jī)系統(tǒng)的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)卡。文中介紹了該器件的主要特性和工作原理,并以IC卡封裝形式為例,給出了其與單片機(jī)的接口電路及相應(yīng)的讀寫程序。

關(guān)鍵詞: 單片機(jī) IC卡

1 概述

對(duì)于野外移動(dòng)工作或不便與上位機(jī)通信的單片機(jī)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),使用一個(gè)大容量、可插拔、便于更換和攜帶的智能卡來(lái)存儲(chǔ)采集到的數(shù)據(jù),是一個(gè)較好的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案。SSF1101是上海新茂半導(dǎo)體有限公司生產(chǎn)的4Mbit接口可編程閃速存儲(chǔ)器,該器件采用SPI串口模式與單片機(jī)或微機(jī)通信,無(wú)需任何外圍元件。利用該器件提供的IC卡封裝形式,可非常方便地和單片機(jī)系統(tǒng)進(jìn)行接口以構(gòu)成大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。同時(shí),該芯片具有封裝尺寸小、集成度高、電壓低、存儲(chǔ)容量大、接口方式簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),在商業(yè)和工業(yè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

2 性能特點(diǎn)

SSF1101是一個(gè)4Mbit的串行FLASH存儲(chǔ)器,具有4根器件識(shí)別腳,可在一個(gè)系統(tǒng)中最多能擴(kuò)展16片,其總存儲(chǔ)容量可達(dá)8M字節(jié),該器件的性能特點(diǎn)如下:

●SPI串行數(shù)據(jù)接口符合SPI標(biāo)準(zhǔn);

●器件內(nèi)具有4M Bit 閃速存儲(chǔ)器,512頁(yè),每頁(yè)1024字節(jié);

●內(nèi)置4位器件地址譯碼電路,可直接并聯(lián)擴(kuò)展存儲(chǔ)容量,最多可連接16片;

●帶有雙1k字節(jié)的數(shù)據(jù)緩沖器,可在編程期間寫入或讀取數(shù)據(jù),且讀取/寫入地址自動(dòng)遞增;

●高速頁(yè)面編程,典型時(shí)間為20ms;

●高速頁(yè)面到數(shù)據(jù)緩沖器的傳輸?shù)湫蜁r(shí)間為100μs;

●頁(yè)面擦除典型時(shí)間為10ms;

●器件擦除典型時(shí)間為2s;

●內(nèi)置擦除/編程時(shí)序邏輯;

●可硬件寫保護(hù);

●時(shí)鐘頻率最高達(dá)10MHz;

●采用單5V電源工作,并有低電壓2.7~3.5V可供選擇;

●低功耗,休眠電流典型值為18μA;

●與CMOS電平和TTL輸入/輸出電平兼容;

●工作溫度很寬(商用);

●內(nèi)置上電復(fù)位電路;

●在數(shù)據(jù)緩沖器和主Flash之間進(jìn)行傳送或比較時(shí),可對(duì)未用的數(shù)據(jù)緩沖器和狀態(tài)寄存器進(jìn)行操作。

SSF1101采用32腳TSOP封裝和IC卡封裝兩種形式,其TSOP封裝外形及引腳排列如圖1(a)所示,IC卡的觸點(diǎn)配置如圖1(b)所示。器件的引腳功能說(shuō)明見表1所列。

表1 110引腳說(shuō)明

序 號(hào)引腳名I/O

描 述

1RDY/BUSYO閑/忙指示,此腳為低時(shí)表示器件忙,不能閃存進(jìn)行操作
2RSTI復(fù)位,低有效
3WPI寫保護(hù),高有效。此信號(hào)有效時(shí)不能對(duì)閃存進(jìn)行寫擦除操作
6VccI電源
7,8GNDI
4,5,9,10ID0~I(xiàn)D3I芯片地址A0~A3,只有命令中的Device ID和ID0~I(xiàn)D3引腳電平一致時(shí),命令才會(huì)被器件接受
11TMI測(cè)試引腳,正常使用時(shí)接地
12CSI片選,低有效,命令輸入后應(yīng)重新置為高電平
13SCKI串行輸入數(shù)據(jù)時(shí)鐘
14SII數(shù)據(jù)輸入,命令和數(shù)據(jù)都由此腳串行輸入
15SOO/Z串行數(shù)據(jù)輸出,三態(tài)
16~32NCZ空腳

3 工作原理

SSF1101具有4194304位主存儲(chǔ)單元,分成512頁(yè)面、每頁(yè)面1024個(gè)字節(jié)。此外SSF1101還包含有2個(gè)SRAM緩沖器,每個(gè)緩沖器有1024個(gè)字節(jié),當(dāng)主存儲(chǔ)器內(nèi)的1頁(yè)正被編程時(shí),緩沖器照樣能接收輸入數(shù)據(jù)。SSF1101使用SPI串口訪問(wèn)它的數(shù)據(jù),因而硬件設(shè)計(jì)十分方便,系統(tǒng)可靠性很強(qiáng),并可把開關(guān)噪聲降到最低。該芯片在編程期間,不需要高電壓,而編程電壓仍為電源電壓。 圖2所示是SSF1101存儲(chǔ)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖。

SSF1101通過(guò)簡(jiǎn)單的SPI串行口進(jìn)行數(shù)據(jù)存取,器件的操作由主機(jī)發(fā)出的指令控制,一個(gè)有效指令包括一字節(jié)4位操作碼、4位器件地址以及目的緩沖器或主儲(chǔ)器地址位置。當(dāng)CS為0時(shí),主機(jī)向器件SCK端發(fā)送時(shí)鐘信號(hào),以引導(dǎo)操作碼和地址從SI端寫入到器件中。所有指令地址和數(shù)據(jù)都是先送高位。SSF1101的操作命令如表2所列。表中的X可取任意值,它對(duì)器件操作沒有影響。

表2 1101操作命令表

操 作命 令器件地址頁(yè)面地址緩沖區(qū)地址
讀緩沖區(qū)11110ddddXXXXXXXXXXXXBA11-BA0
讀緩沖區(qū)21111ddddXXXXXXXXXXXXBA11-BA0
寫緩沖區(qū)10110ddddXXXXXXXXXXXXBA11-BA0
寫緩沖區(qū)20111ddddXXXXXXXXXXXXBA11-BA0
使用內(nèi)建擦除周期的從緩沖區(qū)1到閃存?zhèn)魉?/TD>1010ddddPA11-PA0XXXXXXXXXXXX
使用內(nèi)建擦除周期的從緩沖區(qū)2到閃存?zhèn)魉?/TD>1011ddddPA11-PA0XXXXXXXXXXXX
不使用內(nèi)建擦除周期的從緩沖區(qū)1到閃存?zhèn)?/TD>0010ddddPA11-PA0XXXXXXXXXXXX
不使用內(nèi)建擦除周期的從緩沖2到內(nèi)存?zhèn)魉?/TD>0011ddddPA11-PA10XXXXXXXXXXXX
閃存到緩沖區(qū)1的傳送1100ddddPA11-PA0XXXXXXXXXXXX
閃存到緩沖區(qū)2的傳送1101ddddPA11-PA0XXXXXXXXXXXX
比較閃存頁(yè)面和緩沖區(qū)10100ddddPA11-PA0BA11-BA0
比較閃存頁(yè)面和緩沖區(qū)20101ddddPA11-PA0BA11-BA0
閃存直接讀0001ddddPA11-PA0BA11-BA0
狀態(tài)寄存器讀0000ddddXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX
片擦除1001ddddXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX

3.1 狀態(tài)寄存器(SR)

SSF1101具有一個(gè)8bit的狀態(tài)寄存器,可用于指示器件的工作狀態(tài)。該寄存器可通過(guò)“狀態(tài)寄存器讀”命令讀出寄存器中的內(nèi)容。寄存器內(nèi)容及定義如下:

BF: 忙標(biāo)志,為1時(shí),表示器件忙,無(wú)法執(zhí)行對(duì)閃存的操作命令;

CF:比較標(biāo)志,為1時(shí),表示緩沖區(qū)中的內(nèi)容和指定的被比較的閃存頁(yè)面不一致;

WPF:寫保護(hù)標(biāo)志,為1表示器件處于硬件寫保護(hù)狀態(tài);

Bit2~Bit0:容量指示位,為全1表示閃存容量為4Mbit;

Res:保留位,暫為01;

當(dāng)器件正確上電復(fù)位后,SR為 00001111B。

3.2 命令操作說(shuō)明

(1)緩沖區(qū)傳送

緩沖區(qū)傳送分為三種,首先通過(guò)閃存到緩沖區(qū)的傳送命令可把指定閃存頁(yè)面中的內(nèi)容拷貝到緩沖區(qū)1或緩沖區(qū)2中,傳送到緩沖區(qū)1的命令碼為:1100dddd PA11-PA0 XXXXXXXXXXXX,共32位, 并繼續(xù)保持SCK到至少第35個(gè)周期。其中的PA11 - PA0為指定被傳送的閃存頁(yè)面, 如果超出器件的范圍,則自動(dòng)取模。當(dāng)CS被置高后,傳送操作開始, 同時(shí)狀態(tài)寄存器中的BF位有效。 完成傳送操作大約需要100μs, 完成后,BF標(biāo)志清零(下述命令中,如沒有特別指出,其命令碼含義及操作時(shí)序均與此相同,此外針對(duì)緩沖區(qū)2的操作僅命令不同,其余部分完全相同,下述命令均相同)。

使用內(nèi)建擦除周期的從緩沖區(qū)到閃存?zhèn)魉兔顣r(shí),一般先使用內(nèi)建的擦除周期擦除指定的閃存頁(yè)面,然后把緩沖區(qū)中的內(nèi)容拷貝到指定的閃存頁(yè)面中。

不使用內(nèi)建擦除周期的從緩沖區(qū)到閃存?zhèn)魉兔顣r(shí),可直接把緩沖區(qū)中的內(nèi)容拷貝到指定的閃存頁(yè)面中。

(2)讀寫緩沖區(qū)

讀緩沖區(qū)命令用于讀取緩沖區(qū)1(或2)中的一個(gè)或多個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù),命令碼為:

1110ddddXXXXXXXXXXXXBA11-BA0。

其中,BA11-BA0 用于指定從緩沖區(qū)中讀取數(shù)據(jù)的開始地址,如果超出緩沖區(qū)大小則自動(dòng)取模。器件在第35個(gè)SCK的下降沿開始從SO引腳輸出數(shù)據(jù),且高位在前。讀取一個(gè)字節(jié)后,緩沖區(qū)地址自動(dòng)加1,然后繼續(xù)輸出下一地址的數(shù)據(jù)。如到達(dá)緩沖區(qū)的尾部, 則自動(dòng)返回到緩沖區(qū)的起始地址。輸出最后一個(gè)字節(jié)后需額外的3~7個(gè)脈沖。

寫緩沖區(qū)命令用于將一個(gè)或多個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)寫入緩沖區(qū)1(或2)中,命令碼為:

0110ddddXXXXXXXXXXXXBA11-BA0

其中,BA11-BA0用來(lái)指定寫入緩沖區(qū)的開始地址,如果地址超出緩沖區(qū)大小則自動(dòng)取模。器件在第33個(gè)SCK的上升沿開始從SI引腳接收數(shù)據(jù)(高位在前),接收一個(gè)字節(jié)后寫入緩沖區(qū), 并自動(dòng)對(duì)緩沖區(qū)地址加1后繼續(xù)接收下一地址的數(shù)據(jù)。如果到達(dá)緩沖區(qū)的頁(yè)尾,則自動(dòng)返回到緩沖區(qū)的起始地址。輸出最后一個(gè)字節(jié)后需額外的3~7個(gè)脈沖。

(3)閃存直接讀

閃存直接讀命令用于直接從閃存頁(yè)面中讀取數(shù)據(jù),而不通過(guò)緩沖區(qū),也不影響緩沖區(qū)中的內(nèi)容。其命令碼為:

0001dddd PA11-PA0 BA11-BA0。

其中,PA11-PA0用于指定被操作的閃存頁(yè)面, 如果超出器件的范圍,則自動(dòng)取模;BA11-BA0則用來(lái)指定從頁(yè)面內(nèi)讀取數(shù)據(jù)的開始地址,同樣, 如果超出頁(yè)面大小則自動(dòng)取模。器件在第35個(gè)SCK的下降沿開始從SO引腳輸出數(shù)據(jù), 高位在前。 輸出一個(gè)字節(jié)后頁(yè)面內(nèi)數(shù)據(jù)地址自動(dòng)加1,然后繼續(xù)輸出下一地址的數(shù)據(jù)。如果到達(dá)頁(yè)尾,則自動(dòng)返回到頁(yè)初地址。

(4)比較閃存頁(yè)面和緩沖區(qū)

此命令用于比較指定的閃存頁(yè)面和緩沖區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)是否相同,在被置高后開始比較, 同時(shí)BF被置1。如果比較結(jié)果為不相同,則狀態(tài)寄存器的CF位被置1, 否則CF清零, 比較結(jié)束后BF清零。

(5)讀狀態(tài)寄存器

狀態(tài)寄存器讀命令用于讀出器件內(nèi)狀態(tài)寄存器的值。

(6)片擦除

片擦除命令用于擦除閃存所有頁(yè)面的數(shù)據(jù),一個(gè)擦除周期大約需要2s。

4 具體應(yīng)用

SSF1101由于具有512kbyte的大存儲(chǔ)容量,因此可廣泛應(yīng)用于數(shù)字語(yǔ)音存儲(chǔ)、圖象存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等應(yīng)用領(lǐng)域,以構(gòu)成大容量的單片機(jī)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。由AT89C52單片機(jī)與SSF1101構(gòu)成的IC卡讀寫電路如圖3所示。

圖3中,AT89C52的P1.0、P1.1、P1.2分別與SSF1101 SPI的接口SI、SCK及SO端相連以實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的三線串行通信,P1.3與CS相連用于控制對(duì)器件的訪問(wèn),圖中的C9與C10是IC卡座的接通開關(guān),當(dāng)IC卡插入時(shí)開關(guān)閉合,C1端接入+5V電源,SSF1101上電復(fù)位后讀寫電路進(jìn)入正常的讀寫狀態(tài),當(dāng)IC卡拔出后C1端經(jīng)電阻R2向AT89C52的INT0端發(fā)出中斷請(qǐng)求,從而轉(zhuǎn)向掉卡中斷處理程序。下面的程序代碼為與上述硬件電路配套的讀寫IC卡程序:

;位定義

SI BIT P1.0;串行數(shù)據(jù)輸入

SCK BIT P1.1;串行時(shí)鐘

SO BIT P1.2;串行數(shù)據(jù)輸出

CS BIT P1.3;片選控制

;內(nèi)存定義

RCMD EQU 30H;讀卡命令單元

PAH EQU 31H;閃存頁(yè)面高位單元

PAL EQU 32H;閃存頁(yè)面低位單元

BAH EQU 33H;閃存地址高位單元

BAL EQU 24H;閃存地址低位單元

ICRDATA EQU 20H;讀寫數(shù)據(jù)緩沖區(qū)首址

NUMBER EQU 80H;數(shù)據(jù)塊長(zhǎng)度

;讀IC卡子程序,采用閃存直接讀方式

RCARD: SETB CS

SETB SI ;初始化SPI

SETB SO

CLR SCK

MOV RCMD,#10H;“閃存直接讀”命令

MOV DAH,#00H ;00頁(yè)面

MOV DAL,#00H

MOV BAH,#00H ;00地址

MOV BAL,#00H

CLR CS ;選中芯片

MOV R0,#RCMD ;指向命令單元

MOV R1,#04H ;4字節(jié)命令

T RCMD: MOV A,@R0

LCALL S OUT ;調(diào)用發(fā)送子程序

INC R0

DJNZ R1,T RCMD

MOV R0,#ICRDATA ;指向讀寫數(shù)據(jù)

緩沖區(qū)首址

MOV R1,#NUMBER

RICDATA: LCALL SIN ;調(diào)用接收子程序

MOV @R0,A ;讀128字節(jié)數(shù)據(jù)到主機(jī)

INC R0

DJNZ R1,RICDATA

SETB CS

RET

;寫IC卡子程序;數(shù)據(jù)首先寫入緩沖區(qū),再使用內(nèi)建擦除周期的從緩沖區(qū)1到內(nèi)存?zhèn)魉兔顚懭胫鞔?/P>

WCARD: SETB CS

SETB SI

SETB SO

CLR SCK

MOV RCMD,#60H ;“寫緩沖區(qū)1”命令

MOV BAH,#00H ;寫00H地址

MOV BAL,#00H ;單元

CLR CS

MOV R0,#RCMD

MOV R1,#04H

T RCMD1: MOV A,@R0

LCALL S OUT

INC R0

DJNZ R1,T RCMD

MOV R0,#ICRDATA;指向讀寫緩沖區(qū)

MOV R1,#NUMBER

T RDATA: MOV A,@R0

LCALL S OUT

INC R0

DJNZ R1,T-RDATA

SETB SCK

CLR SCK

SETB SCK

CLR SCK

SETB SCK

CLR SCK

MOV RCMD,#0A0H

MOV DAH,#00H

MOV DAC,#00H

CLR CS

MOV R0,#RCMD

MOV R1,#04H

T RCMD2: MOV A,@R0

LCALL S OUT

INC R0

DJNZ R1,T-RCMD

SETB CS

LCALL DL30MS ;延時(shí)30ms

RET

;接收一字節(jié)數(shù)據(jù)程序

S-IN: MOV R6,#8

RSHIFT: MOV C,SO

SETB SCK

RLC A

CLR SCK

DJNZ R6,RSHIFT

RET

;發(fā)送一字節(jié)數(shù)據(jù)子程序

S OUT: MOV R7,#8

TSHIFT: RLC A

MOV SI,C

SETB SCK

NOP

CLR SCK

NOP

CLR SCK

DJNA R7,TSHIFT

RET

5 結(jié)束語(yǔ)

SSF1101串行閃速存儲(chǔ)器的串行IC卡封裝形式非常便于和單片機(jī)接口,以便構(gòu)成便攜式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置,同時(shí)其較大的存儲(chǔ)容量也可滿足數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量較大的應(yīng)用系統(tǒng)要求,因而該器件在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域有著較為廣泛的應(yīng)用前景。



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