Flash存儲器在TMS320C3x系統(tǒng)中的應(yīng)用

摘要：以基于TMS320C32 DSP開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash存儲器Am29F040的原理和應(yīng)用；利用它操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在Flash存儲器內(nèi)的特性，結(jié)合TMS320C3x提出實現(xiàn)DSP系統(tǒng)上電后用戶程序的自動引導(dǎo)的方法。

關(guān)鍵詞：Flash存儲器 TMS320C32 自動引導(dǎo) Am29F040

引言

在對電力系統(tǒng)斷路器的狀態(tài)監(jiān)測過程中，需要對故障數(shù)據(jù)進(jìn)行保存，以便于查撲克；在則故障期間難免會出現(xiàn)停機(jī)的現(xiàn)象，因此，如何在斷電的狀態(tài)下保存數(shù)據(jù)，就成為一個關(guān)鍵問題。對于故障出現(xiàn)的監(jiān)測裝置必須滿足兩個基本的特性――實時性和快速性。這兩種特性都需要以快速處理大量的數(shù)據(jù)信息為基礎(chǔ)，所以我們采用數(shù)據(jù)信號處理DSP來滿足這方面的要求。現(xiàn)在，閃存（Flash Memory）已經(jīng)成為DSP系統(tǒng)的一個基本的配置。

這里Flash存儲器主要用來存放用戶程序代碼。一般來說，將用戶需要的程序代碼裝入Flash存儲器有三種方法：一種是在存儲器出廠前將數(shù)據(jù)寫入；一種是用戶使用編程器自己編程；最后一種是將存儲器安裝在用戶電路板后進(jìn)行編程。隨著芯片制造工藝的提高，芯片的集成度也越來越高，使Flash存儲器正在向小型化、帖片式方向發(fā)展。本文結(jié)合TMS320C3x系列的DSP上電引導(dǎo)表產(chǎn)生方法，討論AMD公司生產(chǎn)的Am29F040閃存在系統(tǒng)中的編程方法。

1 Flash存儲器Am29F040

Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲器，主要作用是固化程序和保存歷史數(shù)據(jù)，也就是開機(jī)后執(zhí)行閃存的程序，并在程序執(zhí)行的過程中實時地保存或修改其內(nèi)部的數(shù)據(jù)單元。

下面首先介紹Am29F040的特點和操作。

Am29F040是采用5V單電源供電的可編程只讀存儲器，是一種電可擦除與重新編程的器件。該器件由8個獨立的64K字節(jié)塊組成，訪問速度為55～150ns。片內(nèi)的狀態(tài)機(jī)編程和擦除器件、嵌入式字節(jié)編程與區(qū)段/芯片擦除功能是全自動的。內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。

A0～A18：地址線。其中A8～A18提供存儲區(qū)地址，行地址確定所在扇區(qū)；A0～A7選定其扇區(qū)的一個字節(jié)，扇區(qū)容量是256字節(jié)。

DQ0～DQ7：數(shù)據(jù)輸入/輸出。在讀周期輸出數(shù)據(jù)；

在寫周期接收數(shù)據(jù)。寫過程中寫入的數(shù)據(jù)被內(nèi)部鎖存。

CE：輸入，芯片使能，低電平時選中該器件。

OE：輸入，輸出使能，低電平時打開數(shù)據(jù)輸出緩沖區(qū)，允許讀操作。

WE：輸入，寫使能，低電平時允許寫操作。

Vcc為5V電源。Vss為地。

工用方式有讀方式、待機(jī)方式、輸出禁止及算法選擇。

例如，對于寫操作的編程命令，如表1所列。

其中：RA為被讀出的存儲單元地址；

PA為被編程的存儲單元地址；

RD為所選地址單元被讀出的數(shù)據(jù)；

PD為所選地址單元被編程的數(shù)據(jù)。

除編程地址、區(qū)段地址和讀地址之外的所有總線周期地址，地址引腳A18、A17、A16、A15為高或低。

下面以命令表的編程命令為例。簡要介紹字節(jié)編程。表1所列命令是一個4總線周期指令。首先，在地址5555H寫入數(shù)據(jù)0AAH，地址2AAAH寫入數(shù)據(jù)055H，再在地址5555H寫入數(shù)據(jù)A0H，最后是編程的地址和數(shù)據(jù)。

表1 軟件命令簡表

對于芯片擦除功能，自動地提供編程和電擦除之前，校驗所有存儲單元所需的電壓和時序，然后自動擦除并校驗單元界限。利用數(shù)據(jù)輪詢（datapolling）特性，可以監(jiān)視自動芯片擦除操作期間器件的狀態(tài)，以檢驗操作是否完成。

程序如下：

int Chip_Erase()

{

(int)0x00005555=0xAAAAAAAA; /*寫芯片擦除命令部分*/

*（int *）0x00002AAA=0x55555555;

*(int *)0x00005555=0x80808080;

*(int)0x00005555=0xAAAAAAAA;

*(int *)0x00002AAA=0x55555555;

*(int *)0x00005555=0x10101010;

while((*int)0x000055550x80808080)!=0x80808080)/*數(shù)據(jù)輪詢*/

對于區(qū)段擦除暫停，在區(qū)段擦除期間擦除暫停有效，數(shù)據(jù)值為B0H，不管地址值。區(qū)段擦除恢復(fù)，僅在擦除暫停之后擦除有效，數(shù)據(jù)值為30H，不管地址值。下面是簡要的程序代碼：

int Sector_Erase(sectadd)

int * sectadd;

{

(int)0x00005555=0xAAAAAAAA; /*寫區(qū)段擦除命令部分*/

*（int *）0x00002AAA=0x55555555;

*(int *)0x00005555=0x80808080;

*(int *)0x00005555=0xAAAAAAAA;

*(int *)0x00002AAA=0x55555555;

*sectadd=0x30303030;

對于數(shù)據(jù)保護(hù)，此特性禁止在1～8個區(qū)段的任何組合進(jìn)行編程和擦除操作。執(zhí)行編程和擦除被保護(hù)區(qū)段的命令時，不改變區(qū)段內(nèi)的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)輪詢位和跳轉(zhuǎn)位工作在2～100μs，然后返回到有效數(shù)據(jù)。在地址引腳A9和控制引腳E，使用11.5～12.5V高電壓VID，且在控制引腳E上使用VIL將使此特性起作用。其具體操作為：當(dāng)W為VIH，E為VIL且地址引腳G為VID時，區(qū)段保護(hù)方式被激活，地址引腳A18、A17、A16用來選擇被保護(hù)的區(qū)段。一旦地址穩(wěn)定，W處于脈沖低電平，操作開始于W的下降沿。

2 在TMS320C3x中的應(yīng)用

TMS320C3x支持32位或16位寬度的程序外部存儲器。由于Am209F040的數(shù)據(jù)寬度是8位，而從RAM單元中取出的數(shù)據(jù)寬度為32位，所以還要采用移位的方法寫入Am29F040。

引導(dǎo)表的格式主要由下面幾部分組成：首先，是包括引導(dǎo)表數(shù)據(jù)寬度和其它數(shù)據(jù)總線寄存器值的頭文件。接著，是COFF文件中各個段的數(shù)據(jù)，其中每個段都包含一個該段的文件頭來說明該段的代碼長度和地址。最后是結(jié)束段。

這里，采用COFF格式生成引導(dǎo)表比較麻煩。TI公司提供了一個很有用的轉(zhuǎn)換工具HEX30，只須編寫一個命令文件，就可使用這個轉(zhuǎn)化工具自動生成引導(dǎo)表。Flash存儲器燒寫流程如圖2所示。

采用TI公司的TMS320C32的DSP，AMD公司生產(chǎn)的8位Am29F040作為Flash存儲器，這里使用了4片Am29F040。

編寫時必須注意：

①目標(biāo)字寬度，也就是處理器的操作碼長度。選好DSP后，該長度也就確定了。按照我們的例子為32位。

②數(shù)據(jù)寬度。由-datawidth設(shè)定，為32位。

③存儲器寬度。由-Memwidth設(shè)定，本例中為32位。

④ROM寬度。由-romwidth設(shè)定，為8位，由Flash存儲器確定。

程序如下：

C3XCHECK.OUT

-MAP 29f040.MAP

-i /*輸出文件為Intel格式*/

-datawidth 32

-Memwidth 32

-romwidth 8

ROMS

{

FLASHROM：org=000000h,len=80000h,romwidth=8, /*512K8*/

files={f040.b0 f040.b1 f040.b2 f040.b3}

}

SECTIONS

{

.text :paddr=00000040h

.ffttxt:paddr=000008d1h

.data:paddr=0000000h

.sintab:paddr=000009eeh

.paras:paddr=00000a2eh

}

命令文件按照上述編寫，生成了4個文件，分別為f040.b0、f040.b1、f040.b2及f040.b3，然后可以直接用編程器燒寫至4片Am29F040即可。

利用上面的方法已經(jīng)可以完成工作，但是我們還可以利用TMS320C32的boot loader(上電加載)功能直接調(diào)入到存儲器中。

DSP芯片復(fù)位以后，將自動地運(yùn)行固化0H～0FFH空間內(nèi)的引導(dǎo)裝載程序，執(zhí)行引導(dǎo)程序裝載功能。進(jìn)入引導(dǎo)裝載程序以后，DSP將一直等待中斷INT0～I(xiàn)NT3的中斷狀態(tài)，根據(jù)不同中斷，決定是以BOOT1～BOOT3的存儲空間裝載程序到指定的快速閃存，還是以從串口將程序引導(dǎo)裝載到指定的快速閃存。TI公司的引導(dǎo)裝載程序公開的（如果需要，可由其網(wǎng)站下載得到）。實現(xiàn)引導(dǎo)裝載功能時，需要自己設(shè)計程序頭，其中必須描述：

①待裝載程序的存儲器寬度為8位/16位/32位；

②SWW等待狀態(tài)發(fā)生器的方式；

③裝載到快速RAM的程序大?。?/P>

④裝載的目的地址。

如果在實際系統(tǒng)中目的地址不止一個，其操作過程也是一樣的，當(dāng)一個模塊裝載完畢以后，如果還有一個另外的模塊，那么它將繼續(xù)執(zhí)行。與上面的方法一樣，在程序頭加上必要的信息就可以了。

如將引導(dǎo)表作為程序的一個初始化段，在運(yùn)行程序的時候?qū)⒃摱蔚膬?nèi)容也直接寫到Flash存儲器里面。具體來說，首先編寫段C語言程序，將上面由HEX30生成的文件轉(zhuǎn)化為.dat數(shù)據(jù)文件（使得DSP可以識別，DSP不能識別.b0文件）。然后，在編程程序中建一個段，其中包含這個數(shù)據(jù)文件。最后，在直接運(yùn)行程序時，將其中的內(nèi)容燒寫到存儲器里面。采用這種方法，比采用EPROM編程器編程速度更快，而且省時省力，需要修改時不用取出Flash存儲器，可以在線編程修改。

3 結(jié)論

通過實際的電路仿真測試，證明這種設(shè)計思想簡單、程序語法正確，數(shù)據(jù)傳輸效率高，充分利用了TMS320C32編程語言特點。這種方法能夠?qū)崿F(xiàn)Flash存儲器在系統(tǒng)編程和在DSP系統(tǒng)上電后的用戶程序的自動引導(dǎo)。同時，由對Flash存儲器Am29F040應(yīng)用的討論可知，其不僅可以利用編程器編程，而且可以通過TMS320C32在線進(jìn)行擦除、讀寫及編程。