ARM11 S3C6410系列教程之三：內(nèi)存使用

　　當(dāng)在S3C6410跑操作系統(tǒng)的時候，我們不太會注意S3C6410的內(nèi)存使用情況，但是，當(dāng)我們做裸板測試時，該處理器的8K的片內(nèi)內(nèi)存的使用就不得不注意，一旦編寫的程序大小超過了片內(nèi)內(nèi)存的大小，我們就不能得到正確的結(jié)果，究其原因，我們先看一下S3C6410的啟動過程。

　　S3C6410如果選用NANDflash啟動，在我們燒寫裸板程序是，先將程序燒寫至NANDflash中，S3C6410通過硬件將NANDflash中前8K的程序完整復(fù)制到S3C6410片內(nèi)內(nèi)存中。若裸板程序較小，程序可以正常運行，若果程序超過了8K，那么裸板測試程序不能完整的復(fù)制到片內(nèi)內(nèi)存，使得程序出現(xiàn)未知的結(jié)果。這時，我們需要關(guān)注S3C6410的各種內(nèi)存的使用情況了。

　　我們知道，在一個程序文件中，擁有代碼段、數(shù)據(jù)段和bss段，而一個程序的bin文件中是沒有bss段，因此，在程序的bin文件中主要完成：

　?、儆布某跏蓟?br /> 　　②DDR的初始化
　?、跾3C6410程序的重定位
　?、芸截惓绦蛑?a class="contentlabel" href="http://www.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/DDR">DDR中
　?、萸宄?a class="contentlabel" href="http://www.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/DDR">DDR中bss段
　?、蕹绦蜴溄又罝DR中

　　為進(jìn)一步說明啟動過程，現(xiàn)在進(jìn)行詳細(xì)的說明：

　　S3C6410為NANDflash啟動，同時S3C6410外掛DDR，這樣，就能解決程序超過8K之后的正常運行。三者之間的連接示意圖如下圖所示：

　　我們知道，S3C6410啟動的時候，將NANDflash中前8K的程序完整拷貝至S3C6410片內(nèi)內(nèi)存中，在這8K程序中，必須完成硬件初始化、DDR初始化和程序從NANDflash中拷貝到DDR中，這樣才能保證S3C6410cpu程序可以跳轉(zhuǎn)到DDR，保證程序的順利進(jìn)行。在這過程中會涉及到程序的鏈接地址和程序的重定位方面的知識，如果你對這方面知識不熟悉，請查閱該方面的知識。

　　三者之間的操作步驟如下：

　　1、系統(tǒng)上電，S3C6410為NANDflash啟動，硬件自動將NANDflash中前8k的程序復(fù)制到S3C6410片內(nèi)內(nèi)存中;

　　2、系統(tǒng)從S3C6410片內(nèi)內(nèi)存0地址開始執(zhí)行，此時程序需要完成DDR初始化、將bin程序從S3C6410片內(nèi)內(nèi)存或者NANDflash拷貝到DDR鏈接地址起始位置;

　　3、將NANDflash程序拷貝到DDR中，通過程序重定位和鏈接到DDR鏈接地址開始位置(此時注意，在程序的編寫中需要用位置無關(guān)跳轉(zhuǎn)指令進(jìn)行編寫，否則程序會因為跳轉(zhuǎn)后找不到鏈接起始地址和變量而出現(xiàn)錯誤)

　　4、當(dāng)系統(tǒng)完成以上操作后，通過位置相關(guān)指令將PC值鏈接到DDR重定位位置，完成程序的運行(注意此時應(yīng)使用位置相關(guān)指令完成PC值的跳轉(zhuǎn)，若使用位置無關(guān)指令，則程序一直循環(huán)在S3C6410片內(nèi)內(nèi)存中)。