ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作
—— ARM11S3C6410系列教程之四NANDflash操作
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在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
本文引用地址：http://www.butianyuan.cn/article/203125.htm
在圖中，我們看到ARM11S3C6410內(nèi)存部分有SRAM、SDRAM、DDR和NANDflash幾種類型，關(guān)于這幾種內(nèi)存之間的聯(lián)系可參考ARM11s3c6410系列教程之三內(nèi)存使用的介紹。從以上幾節(jié)的介紹可以看出，若ARM11S3C6410設(shè)置為NANDflash啟動，則NANDflash作為程序暫時儲存的場所，我們不能不認真的理解下NANDflash的操作。
在硬件上，使能 NAND Flash時， XSELNAND需保持為高電平，也就是AB16為高電平。
在NAND Flash 控制器圖解如下圖所示：
在圖解中我們可以看出NAND Flash控制器片選信號、命令信號，地址信號，讀信號、寫信號、空閑/繁忙管腳和8個數(shù)據(jù)管腳組成，這大大方便了NANDflash的使用和控制。
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