為你的智能續(xù)航 最新電源管理技術(shù)

智能手機(jī)、平板電腦和超級(jí)本等移動(dòng)消費(fèi)類設(shè)備面臨著提供豐富、多樣化和即時(shí)的網(wǎng)絡(luò)多媒體體驗(yàn)等不斷增長(zhǎng)的需求。系統(tǒng)設(shè)計(jì)中從屏幕和外設(shè)（如收音機(jī)、照相機(jī)和數(shù)據(jù)接口）到應(yīng)用處理器，每個(gè)部分幾乎都會(huì)發(fā)生變化。這些變化對(duì)電源管理功能的實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生了重大影響，除了需要管理整個(gè)系統(tǒng)的電源，還需要提高電源的效率以實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的電池續(xù)航時(shí)間。

　　例如，當(dāng)今最受歡迎的移動(dòng)設(shè)備都配有多個(gè)攝像頭，包括前置和后置攝像頭，一些還可以支持3D攝影和錄像，在一些情況下分辨率可高達(dá)4100萬像素。目前，為了實(shí)現(xiàn)更好的視覺體驗(yàn)，大屏幕尺寸正越來越流行，同時(shí)伴隨著電容式多點(diǎn)觸控功能的運(yùn)用，以及在一些最先進(jìn)的款式中還趨向于配備有3D功能的屏幕。

　　就無線連接而言，除了GSM、藍(lán)牙、Wi-Fi和GPS外，使用近距離無線通信（NFC）技術(shù)進(jìn)行移動(dòng)支付的新應(yīng)用增加了更多的射頻（RF）連接。如今的平板電腦和智能手機(jī)用戶也在期待高質(zhì)量的通話效果，即更響亮和更高品質(zhì)的揚(yáng)聲器性能、高品質(zhì)麥克風(fēng)以及高清晰度音頻回放。此外，像社交網(wǎng)絡(luò)和移動(dòng)網(wǎng)頁瀏覽等應(yīng)用程序的普及，意味著用戶也在通過3G及4G LTE不斷得到更大的數(shù)據(jù)帶寬。

　　深入到用戶從未見過的內(nèi)部系統(tǒng)，應(yīng)用處理器僅僅在一兩年時(shí)間內(nèi)已從單核發(fā)展到雙核，甚至到目前的四核配置，目的是為了處理越來越多樣化和高性能的功能。一些最新的多核應(yīng)用處理器系列也集成了額外的外設(shè)，如DRAM控制器及ARM Neon這樣的媒體/圖像協(xié)處理器。

　　當(dāng)今的移動(dòng)處理器平臺(tái)中可見到的外設(shè)及處理器內(nèi)核的數(shù)量在不斷增多，這也推動(dòng)了對(duì)日益復(fù)雜的電源管理功能的需求。電源管理也必須能夠處理更加復(fù)雜的充電場(chǎng)景，至少能夠滿足當(dāng)今用戶對(duì)其設(shè)備充電時(shí)最可能的充電方式，如電腦USB接口、車載充電器以及常規(guī)的交流電源充電器。

　　多核處理器的影響

　　圖1說明了各種智能手機(jī)中電源管理的子系統(tǒng)。為了給這些子系統(tǒng)供電，電源管理IC必須帶有足夠的降壓或升壓轉(zhuǎn)換器和低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO），同時(shí)還需滿足上電和斷電時(shí)序、高精度耗電計(jì)量等需求，為用戶提供預(yù)計(jì)的剩余電池續(xù)航時(shí)間。由于多內(nèi)核架構(gòu)中時(shí)序要求非常關(guān)鍵，上電和斷電控制對(duì)應(yīng)用處理器尤為重要。智能電源管理還需要處理數(shù)量不斷增多的傳感器，以支持諸如背光源調(diào)光、相機(jī)手勢(shì)識(shí)別、導(dǎo)航和接近探測(cè)等各項(xiàng)功能。

　　圖1：在現(xiàn)今移動(dòng)設(shè)備中越來越復(fù)雜的電源管理功能。

　　在處理器架構(gòu)從單核過渡到雙核架構(gòu)時(shí)，電源管理設(shè)計(jì)通常傾向于采用同一個(gè)電源域同時(shí)為兩個(gè)內(nèi)核供電。隨著四核處理器的出現(xiàn)，每個(gè)處理器內(nèi)核分別由單個(gè)穩(wěn)壓器的電源域獨(dú)立供電，可使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員更加靈活地去控制每個(gè)內(nèi)核的供電。處理器中的每個(gè)內(nèi)核可以被單獨(dú)地關(guān)斷，并且每個(gè)穩(wěn)壓器可以合理地降低到一個(gè)較小的、滿足最壞情況需求的電流。

去集成的電源管理

　　多核應(yīng)用處理器的低納米工藝技術(shù)正對(duì)電源管理的實(shí)現(xiàn)方式產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。在2G手機(jī)這樣的較早期平臺(tái)中，基帶、應(yīng)用處理器和電源管理芯片（PMIC）通常集成在同一塊芯片之中。這在應(yīng)用處理器采用更低納米技術(shù)工藝制造時(shí)已變得不再可能，因?yàn)榭s小工藝尺寸則要求較低的工作電壓。在采用CMOS工藝的芯片中，更小的器件尺寸降低了所能承受需要的最大電壓。圖2說明了半導(dǎo)體工藝幾何尺寸降低與內(nèi)核和I/O承受電壓之間的關(guān)系，并將這些電壓與電池最大電壓作了比較。

　　圖2：低納米工藝無法在電池電壓下支持電源管理功能。