藍牙/IGBT/802.11p全面爆發(fā)
藍牙4.0超越過往 三大操作系統(tǒng)支持飛速發(fā)展
微軟、蘋果等操作系統(tǒng)早已經(jīng)原生支持藍牙4.0,谷歌也于近日發(fā)布Android 4.3版本,可原生支持Bluetooth Smart Ready技術。這意味著藍牙4.0得到了蘋果、谷歌、微軟為代表的三大操作系統(tǒng)的支持。鑒于Android高達70%的市場份額,它的原生支持將使得藍牙4.0迎來更大的市場空間?!八{牙產(chǎn)品總出貨量已經(jīng)超過90億,而每年均有近20億藍牙設備進入市場。今年預計25億的出貨量。”Bluetooth SIG開發(fā)者計劃總監(jiān)何根飛表示。
基于藍牙4.0 技術的藍牙智能應用配件的增長態(tài)勢將非??捎^。數(shù)據(jù)預測,2013年搭載藍牙4.0的配件總出貨量將達2.2億部,2014年達5億部,2018年則超過11億部。2013-2014年將是藍牙4.0增速最快的階段。
FinFET點燃晶圓代工廠戰(zhàn)火 主流廠商加速導入
目前英特爾(Intel)是唯一完成FinFET制程技術實作的制造商。該公司自2012年初即采用自有的第一代22奈米FinFET技術,生產(chǎn)IvyBridge CPU。未來幾年內(nèi),愈來愈多頂尖IC設計業(yè)者將擴大投資并導入FinFET技術,以制造更先進的智慧型手機和平板應用處理器。為因應客戶需求,臺積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES) 與三星(Samsung)等主要晶圓代工廠已積極排定FinFET量產(chǎn)時程,最快可望于2013年第三季開始試產(chǎn)FinFET制程,準備好投入量產(chǎn)則將在 2014年第三季以后。屆時,IC設計業(yè)者與晶圓代工廠合作下,將推出以FinFET技術為基礎的應用處理器,與IDM業(yè)者共同角逐市場商機。
第三代半導體材料成本大幅降低 功率應用潛力巨大
未來第三代半導體的發(fā)展趨勢主要具備以下幾方面特征:半導體照明將側(cè)重于降低成本和向更廣闊的市場拓展;由國防推動的射頻領域應用需要更高的功率密度以實現(xiàn)降低成本;功率應用有著最大的增長潛力,例如,600V及以上的器件需求量潛力較大,但其研發(fā)仍需攻關。
日本在過去的兩年中發(fā)展方向有所轉(zhuǎn)變,很多公司轉(zhuǎn)向成為專門生產(chǎn)GaN的企業(yè)。發(fā)生轉(zhuǎn)變的原因主要包括:600V-1200V功率器件已成為規(guī)模最大的市場,而GaN在這一區(qū)間內(nèi)有著十分優(yōu)異的表現(xiàn);在SiC基底上生長GaN技術的進步使得GaN功率器件的成本大幅度降低;企業(yè)只需通過對現(xiàn)有設備進行調(diào)整便可實現(xiàn)生產(chǎn)的轉(zhuǎn)型和升級。
導入TSV制程技術 模擬芯片邁向3D堆疊架構
類比積體電路設計將進入三維晶片(3D IC)時代。在數(shù)位晶片開發(fā)商成功量產(chǎn)3D IC方案后,類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產(chǎn)線,期透過矽穿孔(TSV)與立體堆疊技術,在單一封裝內(nèi)整合采用不同制程生產(chǎn)的異質(zhì)類比元件,以提升包括電源晶片、感測器與無線射頻(RF)等各種類比方案效能。奧地利微電子執(zhí)行副總裁Thomas Riener表示,導致印刷電路板(PCB)空間愈來愈不夠用,且系統(tǒng)設計難度也與日俱增,因此類比晶片制程技術勢必須有全新的突破,才能克服此一技術挑戰(zhàn)。目前類比晶片在3D IC領域的發(fā)展較為緩慢。所幸目前已有不少晶圓廠與晶片業(yè)者正大舉投入TSV技術研發(fā),讓此一技術愈來愈成熟,將引領類比晶片邁向新的技術里程碑。
新能源應用加持IGBT市場商機無限
在2011-2012年IGBT市場少許反常性的下跌后,Yole分析師預期今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步,具體而言,市場規(guī)模預估將從今年的36億美元,在5年后達到60億美元。
IGBT在電動車/動力混合汽車( EV/HEV),再生能源( Renewable Energies),電機驅(qū)動器( Motor Drive),不間斷電動力系統(tǒng) (UPS)及交通上的應用是市場成長的動力來源。如今,對高效能源的需求比以往更甚,IGBT仍處于發(fā)展及改善階段:更薄的晶圓,更高效率的生產(chǎn),功能整合等等。因此,Yole認為IGBT市場絕沒有進入彌留之際或是衰退期,IGBT市場的商機無限。
中國或再調(diào)關稅 加大面板業(yè)扶持力度
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