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突破電路設(shè)計桎梏 32位元MCU功耗再降

作者: 時間:2013-12-04 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
bkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  運行頻率12MHz,MCU電壓3伏特,LDO輸出1.8伏特供給CPU內(nèi)核、記憶體及其他數(shù)位電路;低功耗Cortex-M0內(nèi)核:600微安培;嵌入式快閃記憶體:1.5毫安培;低功耗12MHz晶振電路:230微安培;LDO本身的靜態(tài)消耗電流:70微安培。

  總和=0.6+2+0.23+0.07=2.4毫安培,平均功耗約200μA/MHz。其中耗電比例最高的是嵌入式快閃記憶體。若要運行在更高頻率,通常會啟動內(nèi)建的鎖相回路(PLL)提供更高頻率的時脈源,在1.8伏特供電的典型PLL,12MHz輸入輸出、48MHz工作電流約為1?2毫安培,若不能有效降低PLL耗電,對高頻工作的低功耗MCU將是一大電流負(fù)擔(dān)。

  LDO的最低靜態(tài)功耗、32.768kHz晶振電路、BOD及扭轉(zhuǎn)向列型液晶顯示器(TN LCD)驅(qū)動電路的工作電流,都會大大影響到待機或RTC模式的功耗指標(biāo)。以低功耗應(yīng)用的熱能表為例,RTC加LCD顯示的功耗要求在3V/8微安培以下,這代表可以預(yù)估分配給下列電路的電流預(yù)算為:LDO靜態(tài)功耗0.5微安培+32.768kHz晶振及RTC電路1微安培+BOD1微安培+TN LCD驅(qū)動4微安培+LCD玻璃1微安培+所有數(shù)位電路及類比周邊漏電流0.5微安培。這些類比周邊除了低耗電要求,同時必須兼具要求批量生產(chǎn)及溫度變化時的一致性,這對類比設(shè)計人員將是一大挑戰(zhàn)。

  快速喚醒這個性能指標(biāo)也會影響到下列類比周邊的穩(wěn)定時間。當(dāng)MCU從低耗電的待機模式喚醒時,首先要將LDO快速切換到高供電模式,啟動內(nèi)部高速RC振蕩器,使能嵌入式快閃記憶體及CPU,以上所有電路的穩(wěn)定時間總和必須在數(shù)個微秒內(nèi)完成,才能符合快速喚醒的需求。

  另外一個容易被忽略的設(shè)計是周邊電路啟動電流,因為相當(dāng)多的可攜式裝置采用CR2032小型鋰電池,瞬間推動力僅有數(shù)毫安培,尤其使用一段時間瞬間推動力會更低,當(dāng)MCU被喚醒時,若周邊電路啟動電流總和太大時,將會導(dǎo)致CR2032輸出電壓驟降,致使MCU重置(Reset)或工作不正常。為了避免此問題,除了降低周邊電路的啟動電流,另一種方法是分時分段啟動周邊電路,不要集中開啟太多耗電的電路。

  平均功耗計算范例

  為了讓讀者更具體了解平均功耗的計算,以新唐科技的低功耗MCU Nano系列及血糖計應(yīng)用為例,進(jìn)行使用年限的預(yù)估。

  此血糖計范例采用CR2032 230mAh電池,使用方式、運行功耗及靜態(tài)功耗如表1所示。

  突破電路設(shè)計桎梏 32位元MCU功耗再降

  使用年限的計算方式請參考表2。量測時間比例、顯示時間比例及待機時間比例可由表2求得。例如,量測時間比例為六次×0.25分鐘/(60×24)分鐘=0.1%。其余時間比例依此類推。量測平均電流為量測時間比例×(MCU運行耗電流+外部量測電路耗電流+待機(含RTC)耗電流+LCD耗電流+CR2032自放電)。顯示平均電流為顯示時間比例×(待機(含RTC)耗電流+LCD耗電流+CR2032自放電)。待機平均電流為待機時間比例×(待機(含RTC)耗電流+CR2032自放電)。最后計算出使用年限約為2.77年。由于待機時間比例高達(dá)99%,故血糖計應(yīng)用待機電流為延長使用年限最重要的參數(shù)。

  突破電路設(shè)計桎梏 32位元MCU功耗再降

  低功耗MCU開發(fā)須兼顧性價比要求

  低功耗MCU設(shè)計是一個須多面向考慮的復(fù)雜工作,本文僅闡述基本設(shè)計理念。開發(fā)低功耗MCU產(chǎn)品時,不只要挑戰(zhàn)的高困難度,更要由客戶應(yīng)用的角度考慮性價比,功能最強的不一定是最好的,往往性價比最適合的產(chǎn)品,才能在市場上取得成功。由于智慧電網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、遠(yuǎn)端控制、自動化管理等低功耗、高效能應(yīng)用需求量持續(xù)增加,在可預(yù)見的未來,低功耗MCU將逐漸取代8、16位元低功耗MCU,成為市場主流。


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