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智能嵌入式系統(tǒng)力拱 高容量Flash MCU需求漲

作者: 時間:2013-11-30 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
宋體, arial; WHITE-SPACE: normal; ORPHANS: 2; LETTER-SPACING: normal; COLOR: rgb(0,0,0); WORD-SPACING: 0px; PADDING-TOP: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  黎柏均表示,系統(tǒng)為實現(xiàn)智慧化功能,除須內(nèi)建作業(yè)系統(tǒng)外,亦將新增聯(lián)網(wǎng)、圖形與語音功能,將帶動應用程式碼數(shù)量激增,因此對于微控制器內(nèi)建的 eFlash容量和存取速度要求已愈來愈嚴苛。瑞薩已啟動第二波40奈米eFlash製程量產(chǎn)計畫,準備于下半年發(fā)布新一代通用型32位元Flash MCU。

  據(jù)了解,瑞薩電子在智慧化系統(tǒng)市場,主要係鎖定智慧汽車(Smart Car)、智慧大樓(Smart Building)及智慧家庭(Smart Home)叁大應用,并將持續(xù)借重40奈米eFlash製程,開發(fā)出更高存取速度與記憶體容量的32位元微控制器,以迎合市場對于更高性價比Flash MCU的要求。

  黎柏均強調(diào),該公司憑藉自有的eFlash專利技術(shù)開發(fā)的40奈米製程,已量產(chǎn)出業(yè)界最高存取速度的Flash MCU,達120MHz,在相同記憶體容量之下,相較于其他競爭對手的Flash MCU存取速度可高出一倍之多。 黎柏均進一步指出,該公司新一代通用型32位元Flash MCU內(nèi)嵌的快閃記憶體容量已達4MB,未來將持續(xù)透過40奈米製程開發(fā)記憶體容量高達8MB的32位元Flash MCU。

  除瑞薩電子之外,NOR Flash龍頭大廠飛索看準快閃記憶體在微控制器應用的眾多市場機會點,除出手收購富士通半導體微控制器和類比部門,跨足MCU市場外,亦已與聯(lián)電達成 40奈米製程合作協(xié)議,將採用40奈米製程量產(chǎn)Flash MCU和系統(tǒng)單晶片(SoC),加入40奈米製程賽局。

  整合富士通資源 飛索2015年發(fā)布Flash MCU

  2013年5月,飛索宣布收購富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)微控制器和類比部門,如此大動作跨足微控制器產(chǎn)業(yè),已引發(fā)半導體業(yè)界的關(guān)注。飛索預定于2013年7?9月,正式完成富士通半導體微控制器、類比及混合訊號部門購併,未來將加速整合該部門技術(shù)資源,以及自家的電荷擷?。╡CT)快閃記憶體技術(shù),全力加速Flash微控制器研發(fā),預計于2015年發(fā)布首款產(chǎn)品。

  飛索資深副總裁暨全球技術(shù)長Saied Tehrani(圖3)談到,該公司在嵌入式市場與快閃記憶體領(lǐng)域已累積不少成果,若再結(jié)合富士通半導體微控制器、類比業(yè)務(wù)相關(guān)產(chǎn)品和技術(shù),以及其在日本市場的優(yōu)勢,將可進一步擴大市場版圖,帶動飛索快閃記憶體產(chǎn)品銷售成長。

  Tehrani進一步指出,飛索購併富士通半導體微控制器與類比業(yè)務(wù)將強化針對嵌入式市場的產(chǎn)品線,包括汽車、工業(yè)及消費性電子,預計7?9月完成購併案后,將于2014年為飛索挹注高達4億5,000萬至5億5,000萬美元的收入。

  據(jù)悉,在雙方購併作業(yè)完成后,富士通半導體將成為飛索微控制器和類比業(yè)務(wù)的晶圓代工廠,并將沿用既有的55奈米、65奈米及90奈米製程,為飛索量產(chǎn)Flash MCU。

  Tehrani認為,該公司收購富士通半導體的MCU與類比業(yè)務(wù)后,將會產(chǎn)生諸多綜效,特別是快閃記憶體在微控制器應用有眾多機會點;而在結(jié)合雙方的優(yōu)勢后,更可利用飛索在嵌入式市場的地位和能見度來擴大微控制器、類比及混合訊號產(chǎn)品于汽車、工業(yè)和消費性電子的市場滲透率。

  不僅如此,飛索也與聯(lián)電展開更先進的40奈米eFlash製程合作。Tehrani認為,飛索的eCT快閃記憶體技術(shù),結(jié)合聯(lián)電40奈米製程,將為旗下的SoC提供更高性能、更低功耗及更具成本競爭力的微控制器和SoC方案,大舉插旗嵌入式市場。

  飛索與聯(lián)電的40奈米合作協(xié)議中,將授權(quán)聯(lián)電其獨家的eCT快閃記憶體技術(shù),該技術(shù)類似飛索的MirrorBit技術(shù),但經(jīng)過修改和邏輯優(yōu)化,故具備更快存取時間(低于10奈秒)和更低功率的特色,并易于與邏輯整合,較傳統(tǒng)NOR快閃記憶體生產(chǎn)方式使用更少的光罩製程步驟,讓eCT能整合快閃記憶體和高性能邏輯SoC產(chǎn)品,成為具有成本效益的解決方案。

  面對Flash MCU市場競爭者眾,Tehrani強調(diào),該公司在非揮發(fā)性記憶體發(fā)展有悠久的歷史,并在嵌入式MCU和SoC獨立式快閃記憶體的eCT技術(shù)發(fā)展上有超過 10年經(jīng)驗,且擁有的嵌入式快閃記憶體技術(shù)係專為先進的邏輯設(shè)計,因此具備更快存取速度、低功耗及高運算效率的優(yōu)勢,有利于提高日后旗下Flash MCU產(chǎn)品的市場競爭力。

  在智慧化嵌入式系統(tǒng)蔚為風潮之下,國外半導體大廠正爭相加入新一輪先進奈米Flash製程賽局,藉由更先進的40奈米製程,開發(fā)出內(nèi)嵌更高NOR快閃記憶體容量、更高存取速度、更具成本競爭力的高階32位元Flash MCU,以避免陷入入門級產(chǎn)品線打價格戰(zhàn)的泥淖,同時積極壯大高毛利的智慧化嵌入式系統(tǒng)市場版圖。

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