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硅片級(jí)可靠性測(cè)試詳解

作者： 時(shí)間：2013-11-30 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò) 收藏
OTTOM: 0px; WIDOWS: 2; TEXT-TRANSFORM: none; TEXT-INDENT: 0px; MARGIN: 0px 0px 20px; PADDING-LEFT: 0px; PADDING-RIGHT: 0px; FONT: 14px/25px 宋體, arial; WHITE-SPACE: normal; ORPHANS: 2; LETTER-SPACING: normal; COLOR: rgb(0,0,0); WORD-SPACING: 0px; PADDING-TOP: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">　　已有的研究表明，天線比越大，等離子損傷越厲害。所以對(duì)于每種情況（金屬、多晶體硅、通孔等），我們要通過(guò)評(píng)價(jià)，最后給出一個(gè)結(jié)果，說(shuō)明在多少的天線比以下是安全的，供電路設(shè)計(jì)工程師參考。這也是設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（design rule check，DRC）的一部分。

　　除了以上說(shuō)提到的這些測(cè)試項(xiàng)目以外，還有氧化層中可動(dòng)離子的測(cè)試也是目前非常關(guān)注的一個(gè)項(xiàng)目。

　　結(jié)語(yǔ)

　　隨著工藝改進(jìn)速度的不斷加快，硅片級(jí)可靠性的重要性越來(lái)越被體現(xiàn)出來(lái)。它可以快速的反映出工藝條件的變化對(duì)可靠性的影響，把可靠性整合在工藝開(kāi)發(fā)的整個(gè)過(guò)程當(dāng)中。本文在分析硅片級(jí)可靠性測(cè)試的重要性的基礎(chǔ)上，介紹了硅片級(jí)可靠性所涉及的各個(gè)項(xiàng)目。同時(shí)，對(duì)各個(gè)項(xiàng)目的測(cè)試和評(píng)價(jià)方法也做了詳細(xì)的分析。通過(guò)對(duì)硅片級(jí)可靠性測(cè)試的現(xiàn)狀分析可以看出，其測(cè)試方法、測(cè)試速度及準(zhǔn)確性等方面還需要不斷改善和提高。
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評(píng)論


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