認識射頻功率放大器RFPA
不穩(wěn)定的根源是正反饋,窄帶穩(wěn)定思路是遏制一部分正反饋,當然,這也同時抑制了貢獻。而負反饋做得好,還有產(chǎn)生很多額外的令人欣喜的優(yōu)點。比如,負反饋可能會使晶體管免于匹配,既不需要匹配就可以與外界很好的接洽了。另外,負反饋的引入會提升晶體管的線性性能。
晶體管的效率都有一個理論上的極限。這個極限隨偏置點(靜態(tài)工作點)的選擇不同而不同。另外,外圍電路設(shè)計得不好,也會大大降低其效率。目前工程師們對于效率提升的辦法不多。這里僅講兩種:包絡(luò)跟蹤技術(shù)與Doherty技術(shù)。
包絡(luò)跟蹤技術(shù)的實質(zhì)是:將輸入分離為兩種:相位和包絡(luò),再由不同的放大電路來分別放大。這樣,兩個放大器之間可以專注的負責(zé)其各自的部分,二者配合可以達到更高的效率利用的目標。
Doherty技術(shù)的實質(zhì)是:采用兩只同類的晶體管,在小輸入時僅一個工作,且工作在高效狀態(tài)。如果輸入增大,則兩個晶體管同時工作。這種方法實現(xiàn)的基礎(chǔ)是二只晶體管要配合默契。一種晶體管的工作狀態(tài)會直接的決定了另一支的工作效率。
手機射頻模塊功率放大器(PA)市場情況
手機功率放大器領(lǐng)域是目前手機里無法集成化的元件,手機性能、占位面積、通話質(zhì)量、手機強度、電池續(xù)航能力都由功率放大器決定。
功率放大器領(lǐng)域主要廠家是RFMD、Skyworks、TriQuint、Renesas、NXP、 Avago、ANADIGICS?,F(xiàn)在,原本是PA企業(yè)合作伙伴的高通,也直接加入到PA市場中,將在2013年下半年推出以CMOS制程生產(chǎn)的PA,支持LTE-FDD、LTE-TDD、WCDMA、 EV-DO、CDMA 1x、TD-SCDMA與GSM/EDGE七種模式,頻譜將涵蓋全球使用中的逾40個頻段,以多頻多模優(yōu)勢宣布進軍PA產(chǎn)業(yè)。
PA市場經(jīng)歷了LDMS PA“擂主”時代之后,砷化鎵(GaAs)PA成為3G時代PA市場的“擂主”。當年帶領(lǐng)砷化鎵攻打PA市場的TriQuint正在積極布局砷化鎵的藍圖,針對3G/4G智能手機擴展連接推出高效率多頻多模功率放大器MMPA。
而高通以CMOS PA攻擂PA市場,未來PA可能會成為手機平臺的一部分,并會出現(xiàn)手機芯片平臺企業(yè)收購、兼并PA企業(yè)的現(xiàn)象。
如何集成這些不同頻段和制式的功率放大器是業(yè)界一直在研究的重要課題。目前有兩種方案:一種是融合架構(gòu),將不同頻率的射頻功率放大器PA集成;另一種架構(gòu)則是沿信號鏈路的集成,即將PA與雙工器集成。兩種方案各有優(yōu)缺點,適用于不同的手機。融合架構(gòu),PA的集成度高,對于3個以上頻帶巨有明顯的尺寸優(yōu) 勢,5-7個頻帶時還巨有明顯的成本優(yōu)勢。缺點是雖然PA集成了,但是雙工器仍是相當復(fù)雜,并且PA集成時有開關(guān)損耗,性能會受影響。而對于后一種架構(gòu),性能更好,功放與雙功器集成可以提升電流特性,大約可以節(jié)省幾十毫安電流,相當于延長15%的通話時間。所以,業(yè)內(nèi)人士的建議是,大于6個頻段時(不算 2G,指3G和4G)采用融合架構(gòu),而小于四個頻段時采用PA與雙工器集成的方案PAD。目前TriQuint可提供兩種架構(gòu)的方案,RFMD主要偏向于 融合PA的架構(gòu),Skyworks偏向于多頻PAD方案。
對于手機PA,GaAsHBT將來會被廣泛應(yīng)用。 GaNHEMT憑借高效率的優(yōu)點可能在某些高端產(chǎn)品中有機會??紤]到4G/LTE近來日益強化對線性和功率的更高要求,Si-CMOS一般不認為有機會取代GaAs HBT。因此,GaAs HBT會繼續(xù)保持幾乎100%的市場份額。
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