基于TOP223Y多路單端反激式開關電源的設計方案（二）

3.3 鉗位保護電路

　　當功率開關關斷時，由于漏感的影響，高頻變壓器的初級繞組上會產生反射電壓和尖峰電壓，這些電壓會直接施加在TOPSwitch芯片的漏極上，不加保護極容易使功率開關MOSFET燒壞。加入由R1、C2和VD1組成經典的RCD鉗位保護電路，則可以有效地吸收尖峰沖擊將漏極電壓鉗位在200 V左右，保護芯片不受損壞。推薦鉗位電阻R1取27 kΩ/2 W，VD1鉗位阻斷二極管快恢復二極管耐壓800 V 的FR106，鉗位電容選取22 nF/600 V的CBB電容。

　　3.4 高頻變壓器

　　3.4.1 磁芯的選擇

　　磁芯是制造高頻變壓器的重要組成，設計時合理、正確地選擇磁芯材料、參數(shù)、結構，對變壓器的使用性能和可靠性，將產生至關重要的影響。高頻變壓器磁芯只工作在磁滯回線的第一象限。在開關管導通時只儲存能量，而在截止時向負載傳遞能量。因為開關頻率為 100 kHz，屬于比較高的類型，所以選擇材料時選擇在此頻率下效率較高的鐵氧體，由：

　　估算磁芯有效截面積為0.71 cm2，根據(jù)計算出的Ae 考慮到閾量，查閱磁芯手冊，選取EE2825，其磁芯長度A=28 mm，有效截面積SJ=0.869 cm2，有效磁路長度L=5.77 cm，磁芯的等效電感AL=3.3 μH/匝2，骨架寬度Bw=9.60 mm.

　　3.4.2 初級線圈的參數(shù)

　?。?）最大占空比。根據(jù)式（1），代入數(shù)據(jù)：寬范圍輸入時，次級反射到初級的反射電壓VoR 取135 V，查閱TOP223Y數(shù)據(jù)手冊知MOSFET導通時的漏極至源極的電壓VDS=10 V，則：

　?。?）設置KRP .KRP= IR IP ，其中IR為初級紋波電流；IP為初級峰值電流；KRP用以表征開關電源的工作模式（連續(xù)、非連續(xù)）。連續(xù)模式時KRP小于1，非連續(xù)模式KRP大于1. 對于KRP的選取，一般由最小值選起，即當電網(wǎng)入電壓為100 VAC/115 VAC或者通用輸入時，KRP=0.4;當電網(wǎng)輸入電壓為230 VAC時，取KRP=0.6.當選取的KRP較小時，可以選用小功率的功率開關，但高頻變壓器體積相對要大，反之，當選取的KRP較大時，高頻變壓器體積相對較小，但需要較大功率的功率開關。對于KRP的選取需要根據(jù)實際不斷調整取最佳。

　?。?）初級線圈的電流初級平均輸入電流值（單位：A）：

　　可知，KRP 選取合適。TOPSwitch器件的選擇遵循的原則是選擇功率容量足夠的最小的型號。

　?。?）變壓器初級電感

　　3.4.3 初級次級繞組匝數(shù)