新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 設計應用 > IR FastIRFET系列為DC-DC同步降壓應用 提供行業(yè)領(lǐng)先效率

IR FastIRFET系列為DC-DC同步降壓應用 提供行業(yè)領(lǐng)先效率

作者: 時間:2013-11-16 來源:網(wǎng)絡 收藏

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列,適用于先進的電信和網(wǎng)絡通訊設備、服務器、顯卡、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等應用。

IR FastIRFET系列為DC-DC同步降壓應用 提供行業(yè)領(lǐng)先效率

  全新FastIRFET系列配備IR新一代硅技術(shù),采用符合行業(yè)標準的PQFN封裝,為分立式轉(zhuǎn)換器提供基準功率密度。該系列包括能夠提供低至0.7 mΩ導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH4201,以及旨在降低鳴震和進一步提升系統(tǒng)效率的IRFH4210D和IRFH4213D單片式FETKY組件。

  IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“這款先進的25V FastIRFET MOSFET為高性能分立式開關(guān)應用提供行業(yè)領(lǐng)先的功率密度。這些器件與IR旗下的集成式SupIRbuck、PowIRstage和電源模塊平臺相輔相成,為設計人員提供一系列高性能DC-DC轉(zhuǎn)換器?!?/P>

  IR FastIRFET器件為5V柵極驅(qū)動應用作出優(yōu)化,可與各種控制器或驅(qū)動器共同操作,從而使設計更靈活,并且以小占位面積實現(xiàn)高電流、效率和頻率。新器件采用符合行業(yè)標準的5x6mm和3.3x3.3mm PQFN封裝,環(huán)保物料清單不含鉛,并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。

  規(guī)格

IR FastIRFET系列為DC-DC同步降壓應用 提供行業(yè)領(lǐng)先效率



關(guān)鍵詞: DC-DC 同步降壓

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉