什么原因毀掉了運算放大器

初步、檢查

第一種運算放大器OP1遭到一個大型的EOS事件，其許多電路部件受到損壞。第二種運算放大器OP2的情形是EOS事件只損壞了一只薄膜電阻器。兩個運算放大器都有一個或多個引腳無法進行連續(xù)性測試—這是器件失效的第一個征兆。此外，OP1的其它幾個引腳呈現功能退化。無論OP1還是OP2都通不過功能測試。在運行電測試后，我們打開每一個運算放大器的外封裝，對失效器件進行了檢查，從外觀上將失效器件與有效器件進行對比可幫確定失效位置。
OP1運算放大器呈現多處地方受損(圖1)，損壞大部分與器件的輸出、負輸入和正電源引腳關聯(lián)。運算放大器輸出端上的保險燒斷的金屬線路證明，運算放大器在EOS事件出現時接到了大量的能量。
相反，OP2器件沒顯示常規(guī)的EOS征兆---異常的金屬印跡和灼燒標記。僅有一只電阻可疑，顯示顏色略有不同?；诖它c得出結論，EOS事件沒造成失效，可能是由NiCr電阻器遭氧化或侵蝕所致。但是，同一區(qū)域的其它電阻器沒顯示類似的色變跡象，圓片制造上的問題不可能只對單一個電阻器造成了影響。此外我們還觀察到沒有其它腐蝕存在，也沒發(fā)現會把腐蝕性化學品帶給電阻器的鈍化氧化物缺陷。經分析我們發(fā)現是連接著OP2負輸入端的開路電阻(圖3)造成了器件工作的不正常。當這一電阻斷開時，它切斷了反饋通路并造成運算放大器輸出擺高，不管施加的輸入信號如何變化都停留在高電位。對損壞電阻進行探查顯示，輸入端印跡正常，表示EOS事件沒有損壞運算放大器輸入通路中的其它電路。

圖1 運算放大器OP1許多地方出現損壞，得出結論是：高能量事件造成了運算放大器的失效

圖2 運算放大器中輸出線路燒斷顯示EOS事件造成損壞。這時保險絲斷開連接

對原因追根溯源

在知道了造成兩種失效的損壞之后，我們還得對原因進行追根溯源。第一步是辨別EOS事件的原因，這涉及到從失效報告人處取得的信息。因為我們需要知道發(fā)生失效時哪些電路和線路板配置在使用，在最后一次得知部件正常工作的時刻測試條件是什么，以及在經過部件功能正常情況下的最后一次測試或使用之后到底發(fā)生了什么樣的事件。包含每一種運算放大器的電路示意圖給出的運算放大器與所有其它元件以及“外界”信號間的連接。
查看在每種運算放大器上觀察到的損壞圖案，基于這些圖案以及對每種運算放大器周邊電路元件的了解，獲到了有關EOS事件的來源和強度的信息，如通過大阻抗的外部信號過小可能成為EOS事件的能量供源。阻抗使電流量變小，具有某種保護功能。由電源及其它器件的引腳直接與運算放大器相連雖會產生低阻抗，卻因而更容易向半導體器件傳導EOS能量。
含有OP1的電路將器件當作一只一致性增益非反相放大器使用，其輸出與線路板上一根電纜導線連接。在這種結構中，運算放大器的輸出直接與其負輸入連接。針對放大器的輸入信號直接與來自線路板電源的OP1正輸入連接。
基于我們的觀察以及運算放大器的應用，認為發(fā)生損壞是因為對運算放大器的輸出腳施加了正電壓。OP1的局部示意圖(圖4)顯示出電流從運算放大器的輸出腳流經Q70及Q75到達V+線路的路徑。Q70是一個大的輸出晶體管，可以應付EOS事件的功率，但Q75不能，正如我們在Q75的基極-發(fā)射結處發(fā)現鋁“短路”所反映的一樣。這種小的晶體管在不短路的情況下是不能消掉EOS事件的大量能量的。在電流達到臨界電平后，通向焊盤(bond pad)一端的金屬輸出線路燒斷，如圖2所示一大段線路燒壞。燒掉如此大段的金屬線需要短時間內的大電流脈沖(1~2A)。
OP1還出現了其它損壞。當金屬輸出線路斷開時，電流迅速降為0，電壓迅速增加。由于運算放大器的輸出與其負輸入直接相接，因此在運算放大器Input連接的周圍觀察到了由EOS電壓脈沖造成的損壞(圖1)。在我看來，是EOS信號源的寄生電感造成了輸出電壓的迅速升高。
看起來OP2比OP1損壞輕---僅有一個開路NiCr電阻，這使得難于判斷引起器件失效的原因。電測試表明與NiCr電阻器相連的其它元件工作正常。該電阻器連于焊盤和輸入級之間。對于由焊盤到負電源的正電壓存在一個最低擊穿路徑。如果電荷采取了不同的路徑，理應出現其它電路損壞。由此，EOS能量脈沖必是進入了負輸入引腳。
最低電阻擊穿路徑存在于負輸入和負電源線之間，于是EOS電流便流經了這條線路。而由于除該電阻器以外我們沒看到金屬線或其它元件受損，因此得到結論，這一EOS事件只產生了少量的能量。還有，如果是慢脈沖理應損壞NiCr電阻器的中心而非損壞全部電阻區(qū)域。因此，我們認定EOS事件的出現十分迅捷，有一個快速上升時間。