MICROCOUPLER為高溫應(yīng)用提升功耗性能

光耦合器是具有絕緣安全性及在輸入和輸出之間實(shí)現(xiàn)電氣信號隔離功能的器件，其絕緣和噪聲抑制特性來自于采用的機(jī)械結(jié)構(gòu)和材料。

光耦合器由一個光源和一個由透明光導(dǎo)管圍繞的感光檢測器組成，并藏于環(huán)氧塑料封裝內(nèi)。光源是紅外led，用來將電流轉(zhuǎn)換為光。感光檢測器是一個硅光電二極管，作用是將光轉(zhuǎn)換回電流，然后通過集成的晶體管被放大。光耦合器的增益被稱為晶體管輸出器件的電流傳輸比 (ctr)，其定義是光電晶體管集電極電流與led正向電流的比率(ice/if)。光電晶體管集電極電流與vce有關(guān)，即集電極和發(fā)射極之間的電壓。
額定工作溫度高達(dá)100℃的設(shè)計的出現(xiàn)，使業(yè)界對熱穩(wěn)定性和低驅(qū)動電流的需求飚升。封裝技術(shù)的進(jìn)步也在推動光耦合器封裝的發(fā)展。從dip (雙列直插式) 轉(zhuǎn)至sop (小型封裝) 及mfp (微型扁平封裝) 減小了占位面積，提升了光耦合器的熱性能。體積的減小也有助于在工作溫度范圍內(nèi)增加熱存儲和穩(wěn)定性。

飛兆半導(dǎo)體的microcoupler (fodb100)是無鉛表貼光耦合器，提供高達(dá)125℃的封裝工作溫度。隨著工作溫度的提升，電氣性能和穩(wěn)定性成為重要的課題。面對這些挑戰(zhàn)，新的led材料被選用以便在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)提高ctr穩(wěn)定性。algaas (鋁砷化稼) 紅外發(fā)光二極管在一定溫度范圍內(nèi)較gaas (砷化稼) 紅外發(fā)光二極管具有更好的穩(wěn)定性。algaas led可于低電流 (最低達(dá)500 a) 下工作。更小型的封裝和更佳的ired材料使microcoupler比傳統(tǒng)的光耦合器封裝在較高的工作溫度范圍內(nèi)具有更加穩(wěn)定的電氣性能。

圖1所示為mfp封裝與microcoupler在工作溫度范圍內(nèi)ctr性能的比較。microcoupler在100℃時的標(biāo)準(zhǔn)化ctr下降率約為20％，而mfp封裝則為50％。較小的熱體積和較高效率的algaas ired材料是microcoupler獲得較佳ctr穩(wěn)定性的原因。由于該產(chǎn)品在一定溫度范圍內(nèi)展現(xiàn)較高的穩(wěn)定性，因此更易于在高溫范圍內(nèi)進(jìn)行設(shè)計。

根據(jù)圖1的數(shù)據(jù)，當(dāng)溫度從0℃上升到100℃時，fodb100的ctr從+8％下降到 20％。最小ctr（i_{f}=1ma)為100％。當(dāng)工作10年后，ctr一般會下降20％?，F(xiàn)在，我們可以算出上述條件下最小的ctr：

最小 (ctr在100℃)=100%x0.80x0.80=64%

r_{1}=frac{(v_{cc}-v_{f})}{i_{f}} →(1)

i_{f}=frac{i_{ce}}{ctr} →(2)

首先確定所需的i_{ce}，然后可以確定i_{f}。從以上計算可知ctr為64％。假設(shè)所需i_{ce}為1ma。

從公式 2可得：i_{f}=frac{1ma}{0.64}=1.56ma

從表2可知在100℃當(dāng)v_{f}= 1.1 v時，v_{cc}= 5v；

功耗=(v_{f} i_{f})+(v_{ce} i_{ce})

(導(dǎo)通狀態(tài)) =(1.1v 1.56ma)+(0.4v 1ma)=2.117ma

根據(jù)圖1的數(shù)據(jù)，當(dāng)溫度從0℃上升到100℃時，mfp封裝的ctr從+9％下降到 -50％。最小ctr (i_{f}=5ma)為100％。假設(shè)led電流為(i_{f}=1ma)，ctr增益為100%，那么i_{ce}等于1ma。當(dāng)工作10年后，ctr一般會下降20％?，F(xiàn)在，我們可以算出上述條件下最小的ctr：

最小 (ctr在100℃) =100%x0.50x0.80=40%

首先確定所需的i_{ce}，然后可以確定i_{f}。從以上計算可知ctr為40％。假設(shè)所需i_{ce}為1ma。

從公式 2可得：i_{f}=frac{1ma}{0.4}=2.5ma

從表4可知在100℃當(dāng)v_{f}= 1.15 v時，v_{cc}= 5v；

功耗=(v_{f} i_{f})+(v_{ce} i_{ce})

(導(dǎo)通狀態(tài)) =(1.15v 2.5ma)+(0.4v 1ma)=3.28ma

熱阻

表5列出了兩種不同封裝在同樣電氣特性下的熱性能。封裝密度和封裝材料對于封裝從結(jié)點(diǎn)到周圍的散熱能力有很大影響。由于microcoupler 的封裝密度較小，因此具有比mfp封裝更多的從裸片結(jié)點(diǎn)散熱的路徑。

計算光耦合器裸片溫度相對于周圍溫度的上升：

t_{j}=p_{devicephantom{8}power} _{ja}+t_{a}

microcoupler

tj (發(fā)射器) = 100.44℃
tj (檢測器) = 100.05℃
mfp
tj (發(fā)射器) = 103.96℃
tj (檢測器) = 100.06℃

結(jié)論

在100℃的溫度環(huán)境維持相同增益的前提下，microcoupler的功耗比標(biāo)準(zhǔn)mfp封裝低約35％。microcoupler封裝的高效率led和較佳的熱性能是在高溫應(yīng)用下獲得低功耗的主因。這些優(yōu)點(diǎn)為設(shè)計人員的高溫應(yīng)用提供了理想的低功耗解決方案。