硅頻率控制器(SFC)技術(shù)（二）

　　R1：動態(tài)阻抗

　　C1：動態(tài)電容

　　L1：動態(tài)電感

　　C0：靜態(tài)電容

　　CL：負(fù)載電容

　　并行振蕩模式的頻率可根據(jù)以下公式：

　　FL=[1/2π√(L1*C1))] 2eq eq *√[1+C1/(C0+CL)]

　　其中[1/2π√(L1*C1))]是晶體串行振蕩模式的頻率

　　根據(jù)泰勒展開：

　　FL=[1/2π√(L1*C1) 2eq eq ]*[1+C1/2(C0+CL)] (1)

　　從公式中可以看出，頻率與C0,C1和CL都有關(guān)。

　　在基頻諧振中C1為10-30fF，一般取值為20fF。C0取值與晶體的尺寸有關(guān)，一般取值為5pF。但是CL的計算與晶體外接電容和PCB設(shè)計和材料有關(guān)。下圖是參考電路圖

　　圖3 晶體外接負(fù)載電容示意圖

　　從上面電路中可得出：

　　1/(C11+CS1)+1/(C12+CS2)=1/(CL) (2)

　　其中C11，C12是外接電容，也就是線路設(shè)計中放在晶體兩邊接地的兩個電容。CS1和CS2是寄生電容，和PCB 電路板的走線，焊盤及芯片的管腳有關(guān)。一般為5-10pF(在本文的計算中可設(shè)為8pF)。對于C11和C12，沒有確定的值(15pF-30pF)，這和實(shí)際設(shè)計有關(guān)，例如取18pF。

　　CL如有變化，并行振蕩模式的頻率也隨之變化，請看圖4