工程師參考手冊(一):D類功放設(shè)計須知
一般來講,在柵極信號中的開關(guān)時間誤差是導(dǎo)致非線性的主要原因。特別是死區(qū)時間嚴重影響了D類功放的線性。幾十納秒少量的死區(qū)時間很容易就產(chǎn)生1%以上的THD(總諧波失真),見圖5(c)所示。
8、 死區(qū)時間(見圖5(a)所示是如何影響非線性的)
其圖5(a)(b)(c)為死區(qū)時間(或稱延時時間)對失真的影響示意圖。D類輸出級中的工作模式可以根據(jù)輸出波形如何跟隨輸入時間可歸類成三個不同的區(qū)域。在這三個不同的工作區(qū),輸出波形跟隨高低端輸入信號的不同邊緣而變化的。
讓我們檢查一下第一個操作區(qū)(見圖5c所示High side edges),在這里電流比電感器波紋電流還大時,輸出電流就從D類功放流向負載。高端器件在低端器件開通之前關(guān)斷,輸出節(jié)點就會被轉(zhuǎn)到負母線。這個過程與低端器件開通時間無關(guān),它是通過從解調(diào)電感的換向電流自動造成的。因此輸出波形與嵌入到低端器件開通前的死區(qū)時間無關(guān)。因此PWM波形只被嵌入到高端柵極信號的死區(qū)短路了,而造成所希望的輸入占空比的輕微電壓增益降低。
有個相似的情況發(fā)生在負工作區(qū)(見圖5c所示Low side edges),輸出電流從加載流向D類功放。電流高于電感波紋電流。在這種情況下,輸出波形的時間并沒有受嵌入高端開通沿的死區(qū)時間的影響,而總是允許低端輸入時間。因此,PWM波形只被嵌入到低端器件柵極信號的死區(qū)時間短路。
在以前描述的兩個操作模式中存在一個區(qū)域,在這個區(qū)域中輸出時間與死區(qū)時間是獨立的。當(dāng)輸出電流小于電感波紋電流時,輸出時間跟隨每個輸入的關(guān)斷沿。因為在這個區(qū)域,是ZVS(零電壓開關(guān))操作狀態(tài)(見圖5c所示Falling edges),因此在中間區(qū)域就不會有失真。
當(dāng)輸出電流隨著音頻輸入信號的不同而變化時,D類功放將改變它的操作區(qū),這樣每個都會有細小的不同增益。在音頻信號的周期中的這三個不同區(qū)域增議會歪曲輸出波形。
圖5(b)顯示的是死區(qū)時間如何影響THD性能的。一個40nS死區(qū)時間可以產(chǎn)生2%的THD。這個可以通過減小死區(qū)時間到15nS提高到0.2%。這個標(biāo)志著更好線性與高低端開關(guān)器件轉(zhuǎn)換過程的重要性。
9、 音頻性能測量
有著AESl7網(wǎng)絡(luò)過濾器的音頻測量儀器是很必需的。當(dāng)然,像傳統(tǒng)音頻分析器HP8903B,加上合適的前級低通濾波器也可以使用。在這里需要重要考慮的是D類功放的輸出信號在其波形上仍然含有大量的開關(guān)載波頻率,這樣就造成錯誤的讀取。這些分析器也許很難防止D類功放的載波泄露。
10、防止直通
盡管如此,一個狹窄的死區(qū)時間在大量生產(chǎn)中是很危險的。因為一旦高低端晶體管被同時打開,那么直流母線的電壓就會被晶體管短路,大量的直通電流將開始流動,這便會導(dǎo)致器件損壞。我們應(yīng)該注意到有效的死區(qū)時間對每個功放是不同的,與元件參數(shù)和芯片溫度有關(guān)。對于一個D類功放的可靠設(shè)計來講確保死區(qū)時間總是正的而決不是負的來防止晶體管進入直通,這是非常重要的。
11、關(guān)于電源吸收能量
另外一個在D類功放中引起明顯降額的原因是母線充電,當(dāng)半橋拓撲在給負載輸出低頻時可以看到。要時刻記住,D類功放的增益與母線電壓直接成比例關(guān)系。因此,母線電壓波動產(chǎn)生失真,而D類功放中的電流流動是雙向的,則就存在了從功放返回到電源時期。大量流回到電源的能量來自于輸出LPF的電感存儲的能量。通常,電源沒有辦法吸收從負載回流過來的能量。因此,母線電壓上升,造成電壓波動。母線電壓上升并不是發(fā)生在全橋拓撲上,因為從開關(guān)橋臂同儲到由源的能源熔會在另一個橋臂消耗掉。
12、對EMI(電磁輻射)的考慮
在D功放設(shè)計中的EMI(電磁輻射)是很麻煩的,像在其他開關(guān)應(yīng)用中一樣。EMI的主要來源之一是來自從高到低流動的MOSFET二極管的反向恢復(fù)電荷,和電流直通很相象。在嵌入到阻止直通電流的死區(qū)過程中,在輸出LPF中的電感電流打開體二極管。在下一個階段中,當(dāng)另外一端的MOSFET在死區(qū)未打開時,體晶體管保持導(dǎo)通狀態(tài),除非儲存的大量少數(shù)載波被完全復(fù)合。這個
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