BluGlass通過RPCVD技術減少GaN膜生長雜質
知名且獨立的材料特性公司Evans Analytical Group采用了二次離子光譜學予以證明,BluGlass的技術可以將碳、氫和氧雜質的水平控制在每立方厘米為1*1017個原子以下。
現(xiàn)在BluGlass計劃對p-GaN層進行優(yōu)化,并將RPCVD的優(yōu)點介紹給顧客,包括該技術跟傳統(tǒng)的MOCVD 相比所獲得的LED設備效率的提高。
BluGlass的CEO Giles Bourne說:“這一成果對于我們公司來說是一個突破,也是給業(yè)界和未來顧客證明我們技術實力的關鍵一步。眾所周知,碳和氧抑制了RPCVD技術的障礙,所以這兩種雜質的降低將是一個重要的發(fā)現(xiàn)。
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