IR潘大偉：善用功率器件，為節(jié)能設(shè)計(jì)保駕護(hù)航

　　亟待解決電機(jī)節(jié)能設(shè)計(jì)問(wèn)題

　　隨著社會(huì)的發(fā)展不斷向前推進(jìn)，人們的生活水平也得到了提高，冰箱、空調(diào)以及其他的自動(dòng)化產(chǎn)品開(kāi)始進(jìn)入千家萬(wàn)戶(hù)。這些產(chǎn)品一年消耗的電量是一個(gè)龐大的數(shù)字，一直讓這些設(shè)備滿(mǎn)載運(yùn)行不符合當(dāng)今節(jié)能減排的要求。因此變頻電機(jī)就因時(shí)而起，迅速走進(jìn)了大眾的眼球。我們知道，電子單元的設(shè)計(jì)很復(fù)雜，并且涉及到了數(shù)字、模擬和功率計(jì)三個(gè)方面。與此同時(shí)，設(shè)計(jì)者還必須要以較低的成本去滿(mǎn)足大批量推廣高性能產(chǎn)品，這就對(duì)設(shè)計(jì)平臺(tái)有較高的要求。IR相關(guān)節(jié)能方案是如何助力高效節(jié)能設(shè)計(jì)的？

IR公司亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉先生

　　潘大偉表示，IR提供iMOTION?集成式設(shè)計(jì)平臺(tái)，整個(gè)平臺(tái)整合了所需要的數(shù)字、模擬和功率芯片，并且還有控制算法、開(kāi)發(fā)軟件和設(shè)計(jì)工具，可以幫助工程師完成包括識(shí)字控制IC和μIPM?電源模塊的電機(jī)控制設(shè)計(jì)，從而能夠構(gòu)建整個(gè)系統(tǒng)。潘總強(qiáng)調(diào)，這個(gè)平臺(tái)不但簡(jiǎn)化了工業(yè)應(yīng)用以及采用變速電機(jī)家用電器的開(kāi)發(fā)，而且可以將產(chǎn)品能耗降低60%。

　　談到具體的設(shè)計(jì)應(yīng)用，潘大偉還給我們舉了個(gè)實(shí)例：IR的高集成度小型μIPM?電源模塊系列（專(zhuān)利申請(qǐng)）面向高效電器和輕工業(yè)應(yīng)用。利用這個(gè)模塊可以實(shí)現(xiàn)冰箱的壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)器、用于供暖和水循環(huán)的水泵、空調(diào)扇、洗碗機(jī)和自動(dòng)化系統(tǒng)。由于整個(gè)產(chǎn)品采用了一個(gè)創(chuàng)新型的封裝，μIPM系列就能夠提供新的器件尺寸基準(zhǔn)，進(jìn)而將占位面積在現(xiàn)有三相電機(jī)控制電源IC的基礎(chǔ)上縮小了60%之多。此外，還在線提供應(yīng)用實(shí)例和面向各種功率高達(dá)1800W的電機(jī)控制應(yīng)用的參考設(shè)計(jì)。

　　IGBT等功率器件——善用節(jié)能利器

　　由于具有開(kāi)關(guān)速度高，開(kāi)關(guān)損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)功率小等優(yōu)勢(shì)，IGBT問(wèn)世以來(lái)就受到廣大用戶(hù)的歡迎。尤其是在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器之類(lèi)的工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，IGBT成為了首選的功率半導(dǎo)體器件。

　　潘大偉特別強(qiáng)調(diào)，功率損耗的降低和電流密度的提高是IGBT的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也成了高級(jí)IGBT開(kāi)發(fā)的主要目標(biāo)。通過(guò)采用這樣的功率器件，不但可以提高系統(tǒng)效率，提升功率處理能力，還可以獲取成本優(yōu)勢(shì)。 例如減少余熱排出系統(tǒng)（散熱器）的數(shù)量。

　　對(duì)于IGBT技術(shù)的進(jìn)展，潘大偉還給我們介紹了IR的一個(gè)平臺(tái)，那就是IR最新的Gen8 IGBT平臺(tái)，這個(gè)平臺(tái)提供了面向工業(yè)應(yīng)用的出色技術(shù)。該IGBT平臺(tái)還具有同類(lèi)產(chǎn)品中最佳的Vce（on）、穩(wěn)定性和開(kāi)關(guān)特性，專(zhuān)門(mén)用于解決工業(yè)市場(chǎng)的嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。第八代（Gen8）1200V IGBT平臺(tái)采用IR最新一代溝道柵場(chǎng)截止技術(shù)，為工業(yè)和節(jié)能應(yīng)用提供了同類(lèi)中最佳的性能。

　　潘大偉還提到，Gen8 IGBT實(shí)現(xiàn)了出色的穩(wěn)定性。新技術(shù)具有更軟的關(guān)斷特性，是電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的理想之選，能夠?qū)v/dt降至最低水平，從而降低了EMI和過(guò)電壓，提高了可靠性和穩(wěn)定性。參數(shù)分布范圍窄，從而能夠在大電流電源模塊內(nèi)并聯(lián)多個(gè)IGBT時(shí)實(shí)現(xiàn)出色的電流共享。薄晶圓技術(shù)改善了熱阻，提供了高達(dá)175°C的最高結(jié)溫。

　　新型功率器件為節(jié)能設(shè)計(jì)保駕護(hù)航

　　最后，潘大偉介紹了IR采用IR最新功率MOSFET芯片300V器件系列，該系列產(chǎn)品為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供了基準(zhǔn)通態(tài)電阻（Rds（on））。例如110-120 VAC線路調(diào)節(jié)器和110-120 VAC電源與DC-AC逆變器，包括太陽(yáng)能逆變器和不間斷電源（UPS）。

　　新功率MOSFET系列具有超低Rds（on），提高了系統(tǒng)效率，讓設(shè)計(jì)者能夠在并聯(lián)多個(gè)MOSFET的情況下減少元件數(shù)量。IR的300V MOSFET系列具有基準(zhǔn)Rds（on），能夠提供更高的效率、電源密度和可靠性，適于需要更高系統(tǒng)效率的工業(yè)應(yīng)用。新器件通過(guò)了工業(yè)級(jí)和一級(jí)濕度靈敏性（MSL1）認(rèn)證，不含鉛，符合RoHS指令的要求。

　　半導(dǎo)體材料和技術(shù)的發(fā)展促進(jìn)了功率器件的發(fā)展進(jìn)步，兩者的配合應(yīng)用提高了電能的使用率，能夠逐漸滿(mǎn)足當(dāng)前要求的能源標(biāo)準(zhǔn)。希望借助IR公司提供的各種節(jié)能方案，開(kāi)發(fā)出更多更好的產(chǎn)品，滿(mǎn)足社會(huì)日益增長(zhǎng)的節(jié)能新需求。