功率元器件應(yīng)用秘訣，采用專(zhuān)用MOSFET提高效率

　　然而，實(shí)現(xiàn)這種隔離有一些問(wèn)題，一旦OR-ing二極體插入到電流路徑中，會(huì)產(chǎn)生額外的功率損耗并降低效率，產(chǎn)生更多熱源，故須加裝散熱器，導(dǎo)致系統(tǒng)功率密度難以提升。再者，OR-ing須具有軟開(kāi)關(guān)特性，否則當(dāng)二極體被關(guān)斷時(shí)，反向恢復(fù)會(huì)對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)生影響。

　　為克服OR-ing二極體的問(wèn)題，一直都是採(cǎi)用蕭特基二極體設(shè)計(jì)，其與P-N二極體之間的主要差異，就是減小正向電壓降及可忽略的反向恢復(fù)。普通硅二極體的壓降介于0.71.7伏特之間；而蕭特基二極體的正向電壓降在0.20.55伏特之間。當(dāng)以蕭特基二極體做為OR-ing元件使用時(shí)，即便具有高洩漏電流，為系統(tǒng)帶來(lái)額外的導(dǎo)通損耗，該總體損耗仍會(huì)小于硅二極體。

　　另一個(gè)解決方案是以功率MOSFET來(lái)取代蕭特基二極體，但須引進(jìn)額外的MOSFET閘極驅(qū)動(dòng)器，增加系統(tǒng)復(fù)雜性。由于MOSFET的Rds（on）要求很小，因而兩端電壓降會(huì)比蕭特基二極體的正向電壓低很多，可稱(chēng)之為新一代主動(dòng)OR-ing二極體設(shè)計(jì)。

　　現(xiàn)階段低壓MOSFET的Rds（on）已做到很低；即便採(cǎi)用TO-220或D2封裝，也可以低至幾毫歐姆。舉例來(lái)說(shuō)，快捷的FDS7650採(cǎi)用PQFN56封裝，對(duì)于30伏特MOSFET而言，可達(dá)到小于1毫歐姆，當(dāng)OR-ing MOSFET導(dǎo)通時(shí)，還可讓電流以任一方向流動(dòng)。至于在失效情況下，冗余電源提供大電流，因而OR-ing MOSFET須快速關(guān)斷，快捷的PowerTrench MOSFET也可解決此種狀況。