功率元器件的發(fā)展與電源IC技術(shù)的變革四

　　而在羅姆提出的四大發(fā)展戰(zhàn)略注13中，其中之一便是“強(qiáng)化以SiC為核心的功率元器件產(chǎn)品”。其實(shí)，羅姆在功率元器件領(lǐng)域的不斷發(fā)展中，為推進(jìn)節(jié)能減排，羅姆也一直致力于以新一代元件碳化硅（SiC），氮化鎵（GaN）為原材料的產(chǎn)品的研發(fā)，并已陸續(xù)推出了適用于不同業(yè)界的各種解決方案，利用高新技術(shù)將這兩種“理想器件”植入生活的各個(gè)層面。通過在高效化、大電流化、高耐壓化、小型化、模塊化等各個(gè)方面的研發(fā)，帶來更多精彩的呈現(xiàn)。

　?。夹g(shù)語解說＞

　　注1：SJ-MOSFET

　　超級(jí)結(jié)MOSFET的縮寫。即超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管。

　　注2：MOSFET

　　Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor的縮寫。即金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。

　　注3：雙極晶體管

　　又稱雙極型晶體管（Bipolar Transistor），由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成的具有電流放大作用的晶體三極管。

　　注4：肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）

　　肖特基勢(shì)壘二極管（Schottky Barrier Diode，縮寫成SBD）是一種熱載流子二極管。

　　注5：快速恢復(fù)二極管（FRD）

　　快速恢復(fù)二極管（Fast Recovery Diode，縮寫成FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管。

　　注6：二極管（Di）

　　又稱晶體二極管，簡(jiǎn)稱二極管（Diode，縮寫成Di），是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件。

　　注7：齊納二極管

　　又稱穩(wěn)壓二極管，是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。

　　注8：SiC

　　Silicon Carbide的縮寫。即碳化硅，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑為原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

　　注9：GaN

　　即氮化鎵，屬第三代半導(dǎo)體材料，六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)。

　　注10：LDO

　　Low Dropout Regulator的縮寫。即低壓差線性穩(wěn)壓器。

　　注11：DC/DC轉(zhuǎn)換器

　　是轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。

　　注12：FET

　　Field Effect Transistor的縮寫。場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。

　　注13：四大發(fā)展戰(zhàn)略

　　2008年羅姆于創(chuàng)立50周年之際，面向未來50年提出發(fā)展戰(zhàn)略。其中包括：

　?。?）相乘戰(zhàn)略：羅姆將融合模擬IC及LAPIS Semiconductor的數(shù)字LSI技術(shù)，開拓汽車、工控市場(chǎng)。

　　（2）功率元器件戰(zhàn)略：以SiC為核心的元器件技術(shù)及依據(jù)功率IC的控制技術(shù)，以及將二者合二為一的模塊技術(shù)，融合這三項(xiàng)技術(shù)，不斷為節(jié)能環(huán)保做出貢獻(xiàn)。

　　（3）LED戰(zhàn)略：以LED照明為核心，從LED貼片、驅(qū)動(dòng)IC到電源模塊提供綜合性LED綜合解決方案。

　?。?）傳感器戰(zhàn)略：羅姆于2009年將MEMS加速度傳感器的供應(yīng)商Kionix公司納入集團(tuán)，以世界頂級(jí)的產(chǎn)品陣容，滿足傳感器市場(chǎng)的各種需求。