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基于LDO的優(yōu)化開關(guān)電源設(shè)計

作者: 時間:2012-11-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
t-stroke-width: 0px">  基于LDO的優(yōu)化開關(guān)電源設(shè)計

  圖2:應用于原理。

5. 輸出電容器

  典型需要增加外部輸入和輸出電容器。利用較低ESR的大電容器一般可以全面提高電源抑制比(PSRR)、噪聲以及瞬態(tài)性能。

  陶瓷電容器通常是首選,因為它們價格低而且故障模式是斷路,相比之下鉭電容器比較昂貴且其故障模式是短路。輸出電容器的等效串聯(lián)電阻(ESR)會影響其穩(wěn)定性,陶瓷電容器具有較低的ESR,大概為10 mΩ量級,而鉭電容器ESR在100 mΩ量級。另外,許多鉭電容器的ESR隨溫度變化很大,會對性能產(chǎn)生不利影響。電容的具體應用需要咨詢LDO廠商以確保正確實施。

  6. 封裝

  選擇LDO產(chǎn)品時應考慮LDO的散熱,負載大的LDO應盡可能選擇大封裝,這樣有利于LDO性能穩(wěn)定。

  LDO應用于設(shè)計

  遵循以上原則,本文選擇哈爾濱圣邦微電子有限公司生產(chǎn)的SG2002和SG2012系列LDO。

  應用LDO于的電路如圖2所示,圖中虛線部分是開關(guān)電源通常采用的電路,它可以給LDO提供+6V/1.5A的輸出電壓/電流。該電源應用SG2002-5.0XN5/TR、SG2012-3.3XKC3/TR、SG2012-2.5XKC3/TR以及SG2012-1.8XKC3/TR分別生成+5.0V/0.3A、3.3/0.4A、2.5V/0.4A以及1.8V/0.4A電壓/電流。圖中LDO芯片的輸入端和輸出端接有1uF的瓷片電容,以此提高LDO的穩(wěn)定性。在每個LDO的BP端接上一個0.01uF的瓷片電容,可以有效地降低LDO的輸出噪聲。

  LDO在開關(guān)電源中的作用

  1. 簡化開關(guān)電源設(shè)計

  開關(guān)電源多路輸出一般通過增加高頻變壓器反饋端來實現(xiàn),這使得開關(guān)電源在設(shè)計過程中增加了設(shè)計者的工作量。應用LDO作為開關(guān)電源的輸出終端,可以極大地簡化開關(guān)電源的設(shè)計,縮短開發(fā)周期。

  2. 提高開關(guān)電源的負載調(diào)整率

  LDO是來穩(wěn)定電源電壓的專用芯片,目前有很多公司設(shè)計的LDO的負載調(diào)整率非常小。應用LDO可以大幅度地降低開關(guān)電源負載調(diào)整率。

  3. 有效濾除開關(guān)電源電磁干擾,減小紋波輸出

  開關(guān)電源的突出缺點是產(chǎn)生較強的EMI。EMI信號既具有很寬的頻率范圍,又有一定的幅度,經(jīng)傳導和輻射會污染電磁環(huán)境,對通信設(shè)備和電子產(chǎn)品造成干擾。如果處理不當,開關(guān)電源本身就會變成一個干擾源。LDO有較高的電源抑制比,且LDO是低噪聲器件,因此應用LDO可以有效地濾除開關(guān)電源EMI,減小紋波輸出。

  4.為開關(guān)電源提供過流保護

  盡管許



關(guān)鍵詞: LDO 開關(guān)電源

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