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基于DA-14B33的開(kāi)關(guān)電源電路設(shè)計(jì)流程

作者: 時(shí)間:2012-11-07 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
0px">  整流二極管,一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V),兩者主要差異:

  1.耐壓不同(在此處使用差異無(wú)所謂)

  2.VF不同(FR105=1.2V,BYT42M=1.4V)

  3.3.10 R10(輔助電源電阻):

  主要用于調(diào)整PWM IC 的VCC 電壓,以目前使用的3843 而言,設(shè)計(jì)時(shí)VCC 必須大于8.4V(Min. Load 時(shí)),但為考慮輸出短路的情況,VCC 電壓不可設(shè)計(jì)的太高,以免當(dāng)輸出短路時(shí)不保護(hù)(或輸入瓦數(shù)過(guò)大)。

  3.3.11 C7(濾波電容):

  輔助電源的濾波電容,提供PWM IC 較穩(wěn)定的直流電壓,一般使用100uf/25V 電容。

  3.3.12 Z1(Zener 二極管):

  當(dāng)回授失效時(shí)的保護(hù)電路,回授失效時(shí)輸出電壓沖高,輔助電源電壓相對(duì)提高,此時(shí)若沒(méi)有保護(hù)電路,可能會(huì)造成零件損壞,若在3843VCC 與3843 Pin3 腳之間加一個(gè)Zener Diode,當(dāng)回授失效時(shí)ZenerDiode 會(huì)崩潰,使得Pin3 腳提前到達(dá)1V,以此可限制輸出電壓,達(dá)到保護(hù)零件的目的.Z1 值的大小取決于輔助電源的高低,Z1 的決定亦須考慮是否超過(guò)Q1 的VGS耐壓值,原則上使用公司的現(xiàn)有料(一般使用1/2W 即可).

  3.3.13 R2(啟動(dòng)電阻):

  提供3843 第一次啟動(dòng)的路徑,第一次啟動(dòng)時(shí)透過(guò)R2 對(duì)C7 充電,以提供3843 VCC 所需的電壓,R2 阻值較大時(shí),turn on的時(shí)間較長(zhǎng),但短路時(shí)Pin 瓦數(shù)較小,R2 阻值較小時(shí),turn on的時(shí)間較短,短路時(shí)Pin 瓦數(shù)較大,一般使用220KΩ/2W M.O。.

  3.3.14 R4 (Line Compensation):

  高、低壓補(bǔ)償用,使3843 Pin3 腳在90V/47Hz 及264V/63Hz 接近一致(一般使用750KΩ~1.5MΩ 1/4W 之間)。

  3.3.15 R3,C6,D1 (Snubber):

  此三個(gè)零件組成Snubber,調(diào)整Snubber 的目的:1.當(dāng)Q1 off 瞬間會(huì)有Spike 產(chǎn)生,調(diào)整Snubber 可以確保Spike 不會(huì)超過(guò)Q1 的耐壓值,調(diào)整Snubber 可改善EMI. 一般而言, D1 使用1N4007(1A/1000V)EMI 特性會(huì)較好.R3 使用2W M.O.電阻,C6 的耐壓值以?xún)啥藢?shí)際壓差為準(zhǔn)(一般使用耐壓500V 的陶質(zhì)電容)。

  3.3.16 Q1(N-MOS):

  目前常使用的為3A/600V 及6A/600V 兩種,6A/600V 的RDS(ON)較3A/600V 小,所以溫升會(huì)較低,若IDS 電流未超過(guò)3A,應(yīng)該先以3A/600V 為考慮,并以溫升記錄來(lái)驗(yàn)證,因?yàn)?A/600V 的價(jià)格高于3A/600V 許多,Q1 的使用亦需考慮VDS是否超過(guò)額定值。

  3.3.17 R8:

  R8 的作用在保護(hù)Q1,避免Q1 呈現(xiàn)浮接狀態(tài)。

  3.3.18 R7(Rs 電阻):



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