U盤及微硬盤的存儲(chǔ)介質(zhì)
U盤及微硬盤的存儲(chǔ)介質(zhì)
一、閃存
Flash Memory,即閃存,是一種EEPROM(電可擦寫)芯片。它包含縱橫交錯(cuò)的柵格,其中的單元格的每一個(gè)交叉點(diǎn)都有兩個(gè)晶體管。這兩個(gè)晶體管被一層薄薄的氧化物隔開,分別稱為柵極和控制極。柵極通過控制極直線相連。一旦發(fā)生連接,單元格的值即為“1”。單元格的值要變?yōu)椤?”需要經(jīng)過一個(gè)“空穴運(yùn)動(dòng)”來改變柵極上電子的位置,此時(shí)柵極上通常需要施加10~13V的電壓。這些電荷從位線進(jìn)入柵極和漏極再流向地。這些電荷使得柵極的晶體管象一把電子槍。被激活的電子被推向并聚集在氧化層的另一面,并形成一個(gè)負(fù)電壓。這些帶負(fù)電的電子將控制極和柵極隔離開。專門的單元格傳感器監(jiān)控通過柵極的電荷的電壓大小,如果高于前述電壓的50%,則值為“1”;反之則為“0”。一個(gè)空白的EEPROM所有門極都是完全打開的,其中每一個(gè)單元格的值為“1”。
Flash Memory芯片中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區(qū)還原為正常的“1”。Flash Memory采用內(nèi)部閉合電路,這樣不僅使電子區(qū)能夠作用于整個(gè)芯片,還可以預(yù)先設(shè)定“塊”。在設(shè)定“塊”的同時(shí)就將芯片中的目標(biāo)區(qū)域擦除干凈,以備重新寫入。傳統(tǒng)的EEPROM芯片每次只能擦除一個(gè)字節(jié),而Flash Memory每次可擦寫一塊或整個(gè)芯片。Flash Memory的工作速度大大領(lǐng)先于傳統(tǒng)EEPROM芯片。
在人們追求大容量和小體積的新時(shí)代中,閃存(容量?。┖蛡鹘y(tǒng)硬盤(體積大)均無法滿足市場需求。由超小型筆記本和數(shù)碼相機(jī)領(lǐng)域發(fā)展過來的微硬盤,順理成章地拿過了兩個(gè)老前輩的接力棒。
二、微硬盤
微硬盤(Microdrive)最早是由IBM公司開發(fā)的一款超級(jí)迷你硬盤機(jī)產(chǎn)品。其最初的容量為340MB和512MB,而現(xiàn)在的產(chǎn)品容量有1GB、2GB以及4GB等。與以前相比,目前的微硬盤降低了轉(zhuǎn)速(4200rpm降為3600rpm),從而降低了功耗,但增強(qiáng)了穩(wěn)定性。
微硬盤(Microdrive)最早是由IBM公司開發(fā)的一款超級(jí)迷你硬盤機(jī)產(chǎn)品。其最初的容量為340MB和512MB,而現(xiàn)在的產(chǎn)品容量有1GB、2GB以及4GB等。與以前相比,目前的微硬盤降低了轉(zhuǎn)速(4200rpm降為3600rpm),從而降低了功耗,但增強(qiáng)了穩(wěn)定性。
評(píng)論