準方波諧振電源的谷底跳頻問題解決方案v

本文除了簡要介紹準諧振電源，還將進一步闡釋谷底跳頻問題，介紹解決這問題的谷底鎖定技術(shù)，并分享實驗結(jié)果支持理論研究的的實際應(yīng)用案例。

　　準方波信號簡介

　　準方波諧振電源通常也稱作準諧振電源，廣泛用于筆記本適配器或電視電源。這種架構(gòu)的主要特征就是零電壓開關(guān)(ZVS)工作，這種技術(shù)能降低開關(guān)損耗，幫助弱化電磁干擾(EMI)信號。變壓器去磁完成后，在電壓位于MOSFET漏極節(jié)點處存在的電感電容(LC)網(wǎng)絡(luò)諧振導致的自由振蕩(即“谷底開關(guān)”)的最低值時導通MOSFET，從而實現(xiàn)ZVS工作。這個網(wǎng)絡(luò)實際上由初級電感Lp和漏極節(jié)點處的寄生電容Clump組成。

　　圖1：MOSFET在谷底導通

　　準諧振電源的開關(guān)頻率取決于負載條件，本質(zhì)上變化幅度很大。不利的是，負載降低時開關(guān)頻率增加，導致輕載能效欠佳，因為開關(guān)損耗的預(yù)算增加了。要改善輕載能效，必須找出方法來將開關(guān)頻率鉗位降至更低。

　　傳統(tǒng)準諧振轉(zhuǎn)換器

　　傳統(tǒng)準諧振控制器包含內(nèi)部定時器，防止自激(free-running)頻率超過上限。頻率限制值通常固定為125 kHz，從而使頻率保持在CISPR-22 EMI規(guī)范的150 kHz起始點頻率之下。下圖是帶有8 ?s定時器以鉗位開關(guān)頻率的準諧振控制器的內(nèi)部架構(gòu)簡圖。

　　圖2：傳統(tǒng)準諧振控制器電路圖。

　　為了導通MOSFET，不僅要以過零檢測(ZCD)比較器來檢測谷底，而且8 us定時器還必須已經(jīng)結(jié)束計時(圖2)。如果在8 ?s的時間窗口內(nèi)出現(xiàn)谷底，就不允許MOSFET啟動。因此，功率MOSFET的關(guān)閉時間只能通過一個自由振蕩周期內(nèi)的不同階躍(STep)來改變。

　　在低線路電壓和高輸出負載時，變壓器的去磁時間較長，會超過8 ?s：控制器將在第一個谷底導通MOSFET。然而，隨著功率需求降低，去磁時間縮短，而當去磁時間縮短至低于8 ?s時，頻率就被鉗位。在這種情況下，變壓器的磁芯將被指示在8 ?s定時器結(jié)束之前復位(表示次級端電流已經(jīng)到零及內(nèi)部磁場已返回至零)。MOSFET不會立即重啟，8 ?s時間窗口會使MOSFET保持在阻斷狀態(tài)，而某些谷底會被忽略。如果輸出功率電平使得逐周期能量平衡所需關(guān)閉時間降到兩個鄰近谷底之間，電源將以大小不等的開關(guān)周期工作：這就是所謂的谷底跳頻。較長的開關(guān)周期會被較短的開關(guān)周期補償，反之亦然。在圖3中，2或3個周期的第一種谷底開關(guān)之后，跟隨的是1個周期的第二種谷底開關(guān)。谷底跳頻現(xiàn)象使開關(guān)頻率產(chǎn)生很大變化，而這變化會被大峰值電流跳變補償。而電流跳變導致變壓器中產(chǎn)生可聽噪聲。

　　圖3：谷底跳頻：控制器頻率在兩個鄰近谷底之間來回跳動

　　單獨鉗位開關(guān)頻率可以解決輕輸出負載條件下的不穩(wěn)定問題，但不會改善該特定工作點的能效。因此，傳統(tǒng)準諧振轉(zhuǎn)換器中，頻率鉗位要么涉及跳周期電路，要么涉及頻率反走電路。

頻率反走

　　頻率反走電路通常是壓控振蕩器(VCO)，在頻率鉗位時降低開關(guān)頻率(圖4)。通過降低工作頻率，開關(guān)損耗也得以降低，輕載能效相應(yīng)改善。然而，在頻率反走模式期間，MOSFET導通事件仍然與谷底檢測同步：控制器頻率在兩個鄰近谷底之間來回跳動時發(fā)生谷底跳頻，同樣導致準諧振電源中出現(xiàn)可聽噪聲。

　　圖4：帶頻率反走的準諧振模式

　　這種技術(shù)帶來的另一項約束就是滿載和輸入電壓較低時最低頻率的選擇。實際上，頻率鉗位要求選擇較低的最低頻率，而且這個值必須高于可聽頻率范圍(通常約30 kHz)。由于這較低的最低頻率，初級電感值因而增加以提供必要的輸出功率，變壓器尺寸也相應(yīng)地增大。

　　解決谷底跳頻問題

　　一種避免谷底跳頻問題的新方案，是在輸出負載變化時，從某個谷底位置變到下一個/前一個